Aperçu Produitstransistor de puissance de transistor MOSFET

Transistor à effet de champ rapide de MOS de temps de commutation, transistor de commutateur électrique

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

Je suis en ligne une discussion en ligne

Transistor à effet de champ rapide de MOS de temps de commutation, transistor de commutateur électrique

Transistor à effet de champ rapide de MOS de temps de commutation, transistor de commutateur électrique
Transistor à effet de champ rapide de MOS de temps de commutation, transistor de commutateur électrique

Image Grand :  Transistor à effet de champ rapide de MOS de temps de commutation, transistor de commutateur électrique

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: G170C03LR1S
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: négociation
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Transistor à effet de champ rapide de MOS de temps de commutation, transistor de commutateur électrique

description de
Nom du produit: Transistor à effet de champ de MOS D'entité: Temps rapide de commutation
V DS: 30V 9,5 A: (Vgs= 10V)
mΩ 12,9: (Vgs= 10V) mΩ 19,3: (Vgs= 4.5V)
Surligner:

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

transistor à haute tension

Transistor à effet de champ rapide de MOS de temps de commutation, transistor de commutateur électrique

 

Description de transistor à effet de champ de MOS

 

Le transistor à effet de champ de MOS sont utilisés dans les beaucoup alimentation d'énergie et applications de puissance générale, particulièrement comme commutateurs. La variante s incluent les transistors MOSFET planaires, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs et d'autres différentes marques.

 

Caractéristique de transistor à effet de champ de MOS 

 

N- La Manche P - la Manche
Vds = 30V Vds = -30V
9,5 A (Vgs= 10V) - 8 A (Vgs= -10V)
mΩ 12,9 de mΩ (Vgs= 10V) 21,6 (Vgs= -10V)
mΩ 19,3 de mΩ (Vgs= 4.5V) 40,0 (Vgs= -4.5V)
avalanche 100% de  examinée
 fiable et rocailleux
halogène de  libre et dispositifs verts disponibles
(RoHS conforme)

 

Applications de transistor à effet de champ de MOS

 

Redresseurs synchrones
Puissance sans fil
commande de moteur de H-pont

 

L'information de commande et de repérage

 

S
G170C03

Code de paquet
S : SOP8L
Code de date

 

Note : Les produits sans plomb de HUAYI contiennent des composés de bâti/meurent les matériaux d'attache et le fer-blanc de matte de 100% Termi-
Finition de nation ; ce qui sont entièrement conformes avec RoHS. Les produits sans plomb de HUAYI rencontrent ou dépassent le sans plomb exigent
ments d'IPC/JEDEC J-STD-020 pour la classification de MSL à la température maximale sans plomb de ré-écoulement. HUAYI définit
« Vert » pour signifier sans plomb (RoHS conforme) et l'halogène libre (le Br ou le Cl ne dépasse pas 900ppm en poids dedans
le matériel et le total homogènes de Br et de Cl ne dépasse pas 1500ppm en poids).
HUAYI se réserve le droit d'apporter des changements, des corrections, des améliorations, des modifications, et des améliorations à ces RP
oduct et/ou à ce document à tout moment sans préavis.

 

Capacités absolues

 

Transistor à effet de champ rapide de MOS de temps de commutation, transistor de commutateur électrique 0

 

Caractéristiques du fonctionnement N-transistor MOSFET typiques

 

Transistor à effet de champ rapide de MOS de temps de commutation, transistor de commutateur électrique 1

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Personne à contacter: David

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)

Laisser un message

Nous vous rappellerons bientôt!