Aperçu Produitstransistor de puissance de transistor MOSFET

transistor de commutation de diode de 3.13W 40A IGBT AP4434AGYT-HF PMPAK

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

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transistor de commutation de diode de 3.13W 40A IGBT AP4434AGYT-HF PMPAK

transistor de commutation de diode de 3.13W 40A IGBT AP4434AGYT-HF PMPAK
transistor de commutation de diode de 3.13W 40A IGBT AP4434AGYT-HF PMPAK

Image Grand :  transistor de commutation de diode de 3.13W 40A IGBT AP4434AGYT-HF PMPAK

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen, Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: AP4434AGYT-HF
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: Négociation
Prix: Negotiate
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: Western Union, L/C, T/T
Capacité d'approvisionnement: 10,000PCS/Month

transistor de commutation de diode de 3.13W 40A IGBT AP4434AGYT-HF PMPAK

description de
Number modèle :: AP4434AGYT-HF Type :: LOGIQUE ICS
Marque :: Marque originale Paquet :: DIP/SMD
Condition :: Nouveau 100% AP4434AGYT-HF Médias disponibles :: fiche technique
Surligner:

transistor de commutation de diode de 3.13W IGBT

,

transistor de commutation de diode de 40A IGBT

,

TRANSISTOR MOSFET IGBT D'AP4434AGYT-HF

AP4434AGYT-HF PMPAK (commutation originale de YT MOSFET/IGBT/Diode/transistor IC ébrèche

 

Description

 

Les séries d'AP4434A sont de puissance avancée ont innové conception et technologie transformatrice de silicium de réaliser la plus basse possible sur-résistance et la représentation de changement rapide. Il fournit au concepteur un dispositif efficace extrême pour l'usage dans un large éventail d'applications de puissance.

Le paquet de PMPAK® 3x3 est spécial pour l'application de conversion de tension utilisant la technique infrarouge standard de ré-écoulement avec le radiateur de postérieur pour réaliser la bonne représentation thermique.

 

Capacités absolues

 

Symbole Paramètre Estimation Unités
VDS Tension de Drain-source 20 V
VGS Tension de Porte-source +8 V
ID@TA =25℃ Courant continu3, VGS @ 4.5V de drain 10,8
ID@TA =70℃ Courant continu3, VGS @ 4.5V de drain 8,6
IDM Courant pulsé1de drain 40
PD@TA =25℃ Dissipation de puissance totale3 3,13 W
TSTG Température ambiante de température de stockage -55 à 150
TJ Température ambiante fonctionnante de jonction -55 à 150

 

données hermal

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
Rthj-c Résistance thermique maximum, Jonction-cas 4 ℃/W
Rthj-a Résistance thermique maximum,3Jonction-ambiants 40 ℃/W

 

AP4434AGYT-H

 

Characteristics@Tj électrique =25oC (sauf indication contraire)

Symbole Paramètre Conditions d'essai Mn. Type. Maximum. Unités
BVDSS Tension claque de Drain-source VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA 20 - - V
LE RDS (DESSUS) Sur-résistance statique2de Drain-source VGS =4.5V, IDENTIFICATION =7A - - 18
VGS =2.5V, IDENTIFICATION =4A - - 25
VGS =1.8V, IDENTIFICATION =1A - - 34
VGS (Th) Tension de seuil de porte VDS =VGS, IDENTIFICATION =250UA 0,25 - 1 V
gfs Transconductance en avant VDS =10V, IDENTIFICATION =7A - 29 - S
IDSS Courant de fuite de Drain-source VDS =16V, VGS =0V - - 10 uA
IGSS Fuite de Porte-source VGS =+8V, VDS =0V - - +100 Na
Qg Charge totale de porte

IDENTIFICATION =7A VDS =10V

VGS =4.5V

- 12,5 20 OR
Qgs Charge de Porte-source - 1,5 - OR
Qgd Charge de Porte-drain (« Miller ») - 4,5 - OR
le TD (dessus) Temps de retard d'ouverture

IDENTIFICATION =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V

VGS =5V

- 10 - NS
TR Temps de montée - 10 - NS
le TD () Temps de retard d'arrêt - 24 - NS
tf Temps de chute - 8 - NS
Ciss Capacité d'entrée

VG.S =0V VDS =10V

f=1.0MHz

- 800 1280 PF
Coss Capacité de sortie - 165 - PF
Crss Capacité inverse de transfert - 145 - PF
Rg Résistance de porte f=1.0MHz - 1,5 3 Ω

 

Diode de Source-drain

 

Symbole Paramètre Conditions d'essai Mn. Type. Maximum. Unités
VSD Expédiez sur la tension2 EST =2.6A, VGS =0V - - 1,2 V
trr Temps de rétablissement inverse

EST =7A, VGS =0V,

dI/dt=100A/µs

- 20 - NS
Qrr Charge inverse de récupération - 10 - OR

 

Notes :

 

largeur 1.Pulse limitée par la température de jonction maximale.
essai 2.Pulse

3.Surface a monté sur 1 dansla protection de l'en cuivre2 2oz FR4 du panneau, t<> 10sec ; 210oC/W une fois monté sur la protection de cuivre minimale.

 

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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