Aperçu ProduitsDouble diode de commutation

Diode de commutation BAW56/BAV70/BAV99 à haute fréquence, double diode idéale

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

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Diode de commutation BAW56/BAV70/BAV99 à haute fréquence, double diode idéale

Diode de commutation BAW56/BAV70/BAV99 à haute fréquence, double diode idéale
Diode de commutation BAW56/BAV70/BAV99 à haute fréquence, double diode idéale

Image Grand :  Diode de commutation BAW56/BAV70/BAV99 à haute fréquence, double diode idéale

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: BAW56/BAV70/BAV99
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Diode de commutation BAW56/BAV70/BAV99 à haute fréquence, double diode idéale

description de
Identité de produit: BAW56/BAV70/BAV99 D'entité: Vitesse de commutation rapide
Type: Double diode de commutation VR: 70V
Palladium: 225mW Si: 200mA
Surligner:

diode de commutation à haute tension

,

double diode Zener

SOT-23 Plastique-encapsulent la DIODE de COMMUTATION des diodes BAW56/BAV70/BAV99

 

CARACTÉRISTIQUES

Ÿ jeûnent vitesse de commutation

Ÿ pour des applications d'usage universel de commutation

Conductibilité élevée de Ÿ

 

 

 

Estimations maximum @Ta=25℃

 

 

Point solide = vert moulant le dispositif composé,

si aucun, le dispositif normal

 

 

Paramètre Symbole Limite Unité
Tension inverse VR 70 V
Courant en avant SI 200 mA
Courant de montée subite en avant maximal non répétitif @t=8.3ms IFSM 2,0 A
Dissipation de puissance Palladium 225 mW
Jonction de résistance thermique à ambiant RθJA 556 ℃/W
La température de jonction TJ 150
Température ambiante de température de stockage TSTG -55~+150

 

 

Caractéristiques électriques @Ta=25℃

Paramètre Symbole Minute Type Maximum Unité Conditions
Tension claque inverse V R 70     V IR=100μA

 

 

Tension en avant

VF1     0,715 V IF=1mA
VF2     0,855 V IF=10mA
VF3     1 V IF=50mA
VF4     1,25 V IF=150mA
Courant inverse IR     2,5 μA VR=70V
Capacité entre les terminaux CT     1,5 PF VR=0, f=1MHz

 

Temps de rétablissement inverse

 

t r r

   

 

6

 

NS

IF = IR = 10mA,

Irr= 0,1 x IR, RL = 100Ω

 

 

 

Dimensions d'ensemble du paquet SOT-23

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
Minute Maximum Minute Maximum
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TYPES 0,037 TYPES
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 RÉFÉRENCES 0,022 RÉFÉRENCES
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ

 

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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