Demande de soumission |
Aperçu ProduitsTriode de semi-conducteur

Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127

Tous les produits

transistor de puissance de transistor MOSFET

(118)

Transistors de puissance d'astuce

(30)

Transistor de puissance de silicium

(19)

Double diode de commutation

(15)

Transistor à effet de champ de MOS

(29)

Transistor MOSFET à canal double

(10)

diode de redresseur rapide de récupération

(6)

diode Zener de puissance

(6)

pont redresseur de Schottky

(10)

diode de redresseur à haute tension

(15)

Triode de semi-conducteur

(9)

Stabilisateur IC de tension

(14)
Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

Je suis en ligne une discussion en ligne

Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127

Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127
Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127

Image Grand :  Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: TIP127
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour
Contact

Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127

description de
Type: Triode de semi-conducteur Transistor de transistor MOSFET de puissance: Plastique TO-126 encapsulé
Identité de produit: TIP122 TIP127 D'entité: Gain actuel élevé de C.C
Dissipation de puissance de collecteur: 1.25W La température de jonction: 150℃
Surligner:

triode de composants électroniques

,

commutateur de semi-conducteur

TO-126 Plastique-encapsulent des transistors

 

 

 

Transistor de TIP122 Darlington (NPN)

Transistor de TIP127 Darlington (PNP)

 

 

CARACTÉRISTIQUE
 
Transistors complémentaires de silicium de puissance moyenne
 
 
TO-126
 

1. ÉMETTEUR

 

 2. COLLECTEUR

 

3. BASE

 

 

 

REPÉRAGE

 

 

TIP122, code de TIP127=Device

 

Point solide = vert moulant le dispositif composé, si aucun, le dispositif normal XX=Code

 

Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127 0

 

 

 

Circuit équivalent

 

Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127 1

 

 

L'INFORMATION DE COMMANDE

Numéro de la pièce Paquet Méthode d'emballage Quantité de paquet
TIP122 TO-126 Le volume 200pcs/Bag
TIP127 TO-126 Le volume 200pcs/Bag
TIP122-TU TO-126 Tube 60pcs/Tube
TIP127-TU TO-126 Tube 60pcs/Tube

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (merci =25℃ sauf indication contraire)

Symbole Paramètre TIP122 TIP127 Unité
VCBO Tension de collecteur-base 100 -100 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 100 -100 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 5 -5 V
IC Courant de collecteur - continu 5 -5 A
PC * Dissipation de puissance de collecteur 1,25 W
RθJA Jonction de résistance thermique à ambiant 100 ℃/W
RθJc Jonction de résistance thermique au cas 8,33 ℃/W
TJ La température de jonction 150 ℃
Tstg Température de stockage -55~+150 ℃

 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

Merci =25 Š sauf indication contraire

 

TIP122 NPN
Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC=1mA, C.-À-D. =0 100   V
Tension claque de collecteur-émetteur VPRÉSIDENT (SUS) IC=30mA, IB=0 100   V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB=100V, C.-À-D. =0   0,2 mA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE=50 V, IB=0   0,5 mA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB=5 V, IC=0   2 mA

 

Gain actuel de C.C

 hFE (1) VCE= 3V, IC=0.5A 1000    
hFE (2) VCE= 3V, IC=3 A 1000 12000  

 

Tension de saturation de collecteur-émetteur

 

VCE (reposé)

 IC=3A, IB=12mA   2

 

V
IC=5 A, IB=20mA   4
Tension d'émetteur de base VBE VCE=3V, IC=3 A   2,5 V
Capacité de sortie Épi VCB=10V, C.-À-D. =0, f=0.1MHz   200 PF

 

 

TIP127 PNP
Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC=-1mA, C.-À-D. =0 -100   V
Tension claque de collecteur-émetteur VPRÉSIDENT (SUS) IC=-30mA, IB=0 -100   V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB=-100V, C.-À-D. =0   -0,2 mA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE=-50 V, IB=0   -0,5 mA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB=-5 V, IC=0   -2 mA

 

Gain actuel de C.C

 hFE (1) VCE=-3V, IC=-0.5A 1000    
hFE (2) VCE=-3V, IC=-3A 1000 12000  

 

Tension de saturation de collecteur-émetteur

 

VCE (reposé)

 IC=-3A, IB=-12mA   -2

 

V
IC=-5 A, IB=-20mA   -4
Tension d'émetteur de base VBE VCE=-3V, IC=-3 A   -2,5 V
Capacité de sortie Épi VCB=-10V, C.-À-D. =0, f=0.1MHz   300 PF

* cet essai est réalisé sans le radiateur à Ta=25℃.

 

 

Caractéristiques typiquesTransistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127 2

Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127 3

Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127 4

Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127 5

Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127 6

 

 

 

Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127 7

 


Dimensions d'ensemble du paquet TO-126

 

 

 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 TYPE 0,090 TYPES
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 

Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127 8

 

Produit Tag:

commutateur de semi-conducteur,

triode de composants électroniques,

triode d'usage universel

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Personne à contacter: David

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)

À propos

transistor de puissance de transistor MOSFET

Transistor de niveau de la logique HXY4616, transistor MOSFET complémentaire à haute tension du transistor 30V

Haute tension VDS 40V VGS ±20v du transistor de puissance du transistor MOSFET HXY4616 ±20v VGS

Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P

LAISSEZ UN MESSAGE

Politique de confidentialité | Chine Bon Qualité transistor de puissance de transistor MOSFET Fournisseur. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

Laisser un message

Nous vous rappellerons bientôt!