|
Détails sur le produit:
|
| VCBO: | -400V | VCEO: | -400V |
|---|---|---|---|
| VEBO: | -5V | Nom du produit: | type de triode de semi-conducteur de silicium |
| TJ: | 150Š | Transistor de transistor MOSFET de puissance: | TO-92 Plastique-s'encapsulent |
| Surligner: | transistor de pnp d'astuce,transistors de série d'astuce |
||
TO-92 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors A94 (PNP)
Tension claque élevée
REPÉRAGE
Code d'A94=Device
Le solide dot=Green le dispositif composé de moulage, si aucun, le dispositif normal
Z=Rank de hFE
XXX=Code
L'INFORMATION DE COMMANDE
| Numéro de la pièce | Paquet | Méthode d'emballage | Quantité de paquet |
| A94 | TO-92 | Le volume | 1000pcs/Bag |
| A94-TA | TO-92 | Bande | 2000pcs/Box |
ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VCBO | Tension d'ector-base de Coll | -400 | V |
| VCEO | Tension d'ector-émetteur de Coll | -400 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | -5 | V |
| IC | Courant d'ector de Coll - continu | -0,2 | A |
| Missile aux performances améliorées | Courant d'ector de Coll - pulsé | -0,3 | A |
| PC | Dissipation de puissance d'ector de Coll | 625 | mW |
| RθJA | Le courant ascendant résistent à l'ance de la jonction à ambiant | 200 | ℃ /W |
| TJ | La température de jonction | 150 | ℃ |
| Tstg | Température de stockage | -55~+150 | ℃ |
Merci =25 Š sauf indication contraire
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC=-100ΜA, C.-À-D. =0 | -400 | V | ||
| Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT V (DE BR) | IC=-1mA, IB=0 | -400 | V | ||
| tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | C.-À-D. =-100ΜA, IC=0 | -5 | V | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB=-400V, C.-À-D. =0 | -0,1 | μA | ||
| Courant de coupure de collecteur | ICEO | VCE=-400V, IB=0 | -5 | μA | ||
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB=-4V, IC=0 | -0,1 | μA | ||
|
Gain actuel de C.C |
hFE (1) | VCE=-10V, IC=-10mA | 80 | 300 | ||
| hFE (2) | VCE=-10V, IC=-1mA | 70 | ||||
| hFE (3) | VCE=-10V, IC=-100mA | 60 | ||||
| hFE (4) | VCE=-10V, IC=-50mA | 80 | ||||
|
Tension de saturation de collecteur-émetteur |
VCE (reposé) (1) | IC=-10mA, IB=-1mA | -0,2 | V | ||
| VCE (reposé) (2) | IC=-50mA, IB=-5mA | -0,3 | V | |||
| Tension de saturation d'émetteur de base | VBE (reposé) | IC=-10mA, IB=-1mA | -0,75 | V | ||
| Fréquence de transition | fT | VCE=-20V, IC=-10mA, f=30MHz | 50 | Mégahertz |
| RANG | A | B | C |
| GAMME | 80-100 | 100-200 | 200-300 |
Caractéristiques typiques
Dimensions d'ensemble de paquet
| Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Minute | Maximum | Minute | Maximum | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TYPE | 0,050 TYPES | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Personne à contacter: David
