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Plastique des transistors de puissance d'astuce d'A733 PNP TO-92 - encapsulez les transistors

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
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Plastique des transistors de puissance d'astuce d'A733 PNP TO-92 - encapsulez les transistors

Plastique des transistors de puissance d'astuce d'A733 PNP TO-92 - encapsulez les transistors
Plastique des transistors de puissance d'astuce d'A733 PNP TO-92 - encapsulez les transistors Plastique des transistors de puissance d'astuce d'A733 PNP TO-92 - encapsulez les transistors

Image Grand :  Plastique des transistors de puissance d'astuce d'A733 PNP TO-92 - encapsulez les transistors

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: A733
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Plastique des transistors de puissance d'astuce d'A733 PNP TO-92 - encapsulez les transistors

description de
VCBO: -60V VCEO: -50V
VEBO: -5V Nom du produit: type de triode de semi-conducteur de silicium
TJ: 150Š Type: Transistor de triode
Surligner:

transistors de série d'astuce

,

transistor de pnp de puissance élevée

TO-92 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors A733 (PNP)

 

 

CARACTÉRISTIQUE
 

Dissipation de puissance

 

 

REPÉRAGE

  • Code d'A733=Device
  • Le solide dot=Green le dispositif composé de moulage, si aucun, le dispositif normal
  • Z=Rank de hFE
  • XXX=Code

 

Plastique des transistors de puissance d'astuce d'A733 PNP TO-92 - encapsulez les transistors 0

 

 

L'INFORMATION DE COMMANDE

Numéro de la pièce Paquet Méthode d'emballage Quantité de paquet
A733 TO-92 Le volume 1000pcs/Bag
A733-TA TO-92 Bande 2000pcs/Box


 

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base -60 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur -50 V
VEBO Tension d'Émetteur-base -5 V
I C Courant de collecteur - continu -100 mA
PC Dissipation de puissance de collecteur 250 mW
TJ La température de jonction 150
Tstg Jonction et température de stockage -55~+150

 

 

 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Merci =25 Š sauf indication contraire


 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC= -50UA, C.-À-D. =0 -60     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC= -1MA, IB=0 -50     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. = -50UA, IC=0 -5     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB= -60V, C.-À-D. =0     -0,1 uA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB= -5 V, IC=0     -0,1 uA
Gain actuel de C.C hFE VCE= -6V, IC= -1MA 90 200 600  
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC= -100mA, I B=- 10mA   -0,18 -0,3 V
Tension d'émetteur de base VBE VCE=-6V, IC=-1.0mA -0,58 -0,62 -0,68 V
Fréquence de transition pi VCE=-6V, IC=-10mA 100     Mégahertz
Capacité de sortie de collecteur Épi VCB=-10V, C.-À-D. =0, f=1MHZ     6 PF

 

Chiffre de bruit

 

N-F

VCE=-6V, IC=-0.3mA,

Rg=10kΩ, f=100HZ

   

 

20

 

DB

 
  

CLASSIFICATION DEFede h(2)

Rang R Q P K
Gamme 90-180 135-270 200-400 300-600

 

 

 

 Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TYPE 0,050 TYPES
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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