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Le plastique des transistors de puissance d'astuce de M28S NPN TO-92 a encapsulé le palladium 625mW

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Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Le plastique des transistors de puissance d'astuce de M28S NPN TO-92 a encapsulé le palladium 625mW

Le plastique des transistors de puissance d'astuce de M28S NPN TO-92 a encapsulé le palladium 625mW
Le plastique des transistors de puissance d'astuce de M28S NPN TO-92 a encapsulé le palladium 625mW

Image Grand :  Le plastique des transistors de puissance d'astuce de M28S NPN TO-92 a encapsulé le palladium 625mW

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: M28S
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour
Contact

Le plastique des transistors de puissance d'astuce de M28S NPN TO-92 a encapsulé le palladium 625mW

description de
VCBO: 40V VCEO: 20V
Palladium: 625Mw Nom du produit: type de triode de semi-conducteur
Tstg: -55 ~+150Š Transistor de transistor MOSFET de puissance: TO-92 Plastique-s'encapsulent
Surligner:

transistor de pnp d'astuce

,

transistors de série d'astuce

TO-92 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors A94 (PNP)

 

 

CARACTÉRISTIQUE

 

Gain actuel élevé de C.C de Ÿ et grande capacité actuelle

 

 

REPÉRAGE

Code de M28S=Device

Le solide dot=Green le dispositif composé de moulage,

 

si aucun, le dispositif normal

Z=Rank de hFE, XXX=Code

 

 

Le plastique des transistors de puissance d'astuce de M28S NPN TO-92 a encapsulé le palladium 625mW 0

 

 

L'INFORMATION DE COMMANDE

Numéro de la pièce Paquet Méthode d'emballage Quantité de paquet
M28S TO-92 Le volume 1000pcs/Bag
M28S-TA TO-92 Bande 2000pcs/Box


 

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)

Symbole Mètre de Para Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 40 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 20 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 6 V
IC Courant de collecteur - continu 1 A
PD Dissipation de puissance de collecteur 625 mW
R0 JA Le courant ascendant résistent à la jonction de ROM de l'ance f à ambiant 200 Š/W
Tj La température de jonction 150 Š
Tstg Température de stockage -55 ~+150 Š

 

 

 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Merci =25 Š sauf indication contraire


 

 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC= 0.1mA, C.-À-D. =0 40     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC=1mA, IB=0 20     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. =0.1MA, IC=0 6     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB=40V, C.-À-D. =0     1 µA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE=20V, IB=0     5 µA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB=5V, IC=0     0,1 µA

 

 

Gain actuel de C.C

 hFE (1) VCE=1V, IC=1mA 290      
  hFE (2) VCE=1V, IC=100mA 300   1000  
  hFE (3) VCE=10V, IC=300mA 300      
  hFE (4) VCE=1V, IC=500mA 300      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC=600mA, IB=20mA     0,55 V
Fréquence de transition fT VCE=10V, C.-À-D. =50mA, f=30MHz 100     Mégahertz

 
  

CLASSIFICATION DEFede h(2)

RANG B C D
GAMME 300-550 500-700 650-1000

 

 

 

 Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TYPE 0,050 TYPES
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

Produit Tag:

transistor de pnp de puissance élevée,

transistors de série d'astuce,

transistor de pnp d'astuce

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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