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Température de stockage élevée -55-150 de densité de cellules de bâti de surface de transistors de série de l'astuce B772

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Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Température de stockage élevée -55-150 de densité de cellules de bâti de surface de transistors de série de l'astuce B772

Température de stockage élevée -55-150 de densité de cellules de bâti de surface de transistors de série de l'astuce B772
Température de stockage élevée -55-150 de densité de cellules de bâti de surface de transistors de série de l'astuce B772

Image Grand :  Température de stockage élevée -55-150 de densité de cellules de bâti de surface de transistors de série de l'astuce B772

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: B772
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour
Contact

Température de stockage élevée -55-150 de densité de cellules de bâti de surface de transistors de série de l'astuce B772

description de
Courant de collecteur - continu: 3A VCEO: 30V
VCBO: 40V Nom du produit: type de triode de semi-conducteur
TJ: 150℃ Type: Transistor de triode
Surligner:

transistor de pnp d'astuce

,

transistor de pnp de puissance élevée

TO-126 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors D882 (NPN)

 

CARACTÉRISTIQUE
 

Dissipation de puissance

 

 

REPÉRAGE

Code de D882=Device

Point solide = vert moulant le dispositif composé, si aucun, le dispositif normal XX=Code

 

Température de stockage élevée -55-150 de densité de cellules de bâti de surface de transistors de série de l'astuce B772 0

 

 

L'INFORMATION DE COMMANDE

Numéro de la pièce Paquet Méthode d'emballage Quantité de paquet
D882 TO-126 Le volume 200pcs/Bag
D882-TU TO-126 Tube 60pcs/Tube


 

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 40 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 30 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 6 V
IC Courant de collecteur - continu 3 A
PC Dissipation de puissance de collecteur 1,25 W
TJ La température de jonction 150 ℃
Tstg Température de stockage -55-150 ℃

 

 

 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Merci =25 Š sauf indication contraire


 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC = 100μA, C.-À-D. =0 40     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC = 10mA, IB=0 30     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. = 100μA, IC=0 6     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB= 40 V, C.-À-D. =0     1 µA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE= 30 V, IB=0     10 µA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB= 6 V, IC=0     1 µA
Gain actuel de C.C hFE VCE= 2 V, IC= 1A 60   400  
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC= 2A, IB= 0,2 A     0,5 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (reposé) IC= 2A, IB= 0,2 A     1,5 V

 

Fréquence de transition

 

fT

VCE= 5V, IC=0.1A

f =10MHz

  

 

90

  

 

Mégahertz
             

 
  

CLASSIFICATION DEFede h(2)

Rang R O Y LE GR
Gamme 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Caractéristiques typiques

Température de stockage élevée -55-150 de densité de cellules de bâti de surface de transistors de série de l'astuce B772 1Température de stockage élevée -55-150 de densité de cellules de bâti de surface de transistors de série de l'astuce B772 2Température de stockage élevée -55-150 de densité de cellules de bâti de surface de transistors de série de l'astuce B772 3Température de stockage élevée -55-150 de densité de cellules de bâti de surface de transistors de série de l'astuce B772 4

 

 

 Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 TYPE 0,090 TYPES
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 

 

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Produit Tag:

transistor de pnp de puissance élevée,

transistors de série d'astuce,

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Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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