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Rendement élevé bas de la tension 6V d'émetteur de commutateur de transistor de D882M NPN

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Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Rendement élevé bas de la tension 6V d'émetteur de commutateur de transistor de D882M NPN

Rendement élevé bas de la tension 6V d'émetteur de commutateur de transistor de D882M NPN
Rendement élevé bas de la tension 6V d'émetteur de commutateur de transistor de D882M NPN

Image Grand :  Rendement élevé bas de la tension 6V d'émetteur de commutateur de transistor de D882M NPN

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: D882M
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour
Contact

Rendement élevé bas de la tension 6V d'émetteur de commutateur de transistor de D882M NPN

description de
Tension de VoltageCollector-base de collecteur-base: 40V Tension de collecteur-émetteur: 30V
tension d'Émetteur-base: 6v Transistor de transistor MOSFET de puissance: TO-252-2L Plastique-s'encapsulent
Type: type de triode de semi-conducteur Utilisation: Composants électroniques
Surligner:

transistors de série d'astuce

,

transistor de pnp de puissance élevée

TO-252-2L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors D882M (NPN)

 

 

CARACTÉRISTIQUE
 


Dissipation de puissance

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)
 

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 40 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 30 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 6 V
IC Courant de collecteur - continu 3 A
PC Dissipation de puissance de collecteur 1,25 W
TJ La température de jonction 150 ℃
Tstg Température de stockage -55-150 ℃

 
 
 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Merci =25 Š sauf indication contraire

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC = 100μA, C.-À-D. =0 40     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC = 10mA, IB=0 30     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. = 100μA, IC=0 6     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB= 40 V, C.-À-D. =0     1 µA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE= 30 V, IB=0     10 µA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB= 6 V, IC=0     1 µA
Gain actuel de C.C hFE VCE= 2 V, IC= 1A 60   400  
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC= 2A, IB= 0,2 A     0,5 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (reposé) IC= 2A, IB= 0,2 A     1,5 V

 

Fréquence de transition

 

fT

VCE= 5V, IC=0.1A

f =10MHz

  

 

90

  

 

Mégahertz

 
  

CLASSIFICATION DEFede h(2)

Rang R O Y LE GR
Gamme 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Caractéristiques typiques

 

 
 Rendement élevé bas de la tension 6V d'émetteur de commutateur de transistor de D882M NPN 0Rendement élevé bas de la tension 6V d'émetteur de commutateur de transistor de D882M NPN 1Rendement élevé bas de la tension 6V d'émetteur de commutateur de transistor de D882M NPN 2Rendement élevé bas de la tension 6V d'émetteur de commutateur de transistor de D882M NPN 3
 

 Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minimal. Maximum. Minimal. Maximum.
A 2,200 2,380 0,087 0,094
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
B 0,800 1,400 0,031 0,055
b 0,710 0,810 0,028 0,032
c 0,460 0,560 0,018 0,022
c1 0,460 0,560 0,018 0,022
D 6,500 6,700 0,256 0,264
D1 5,130 5,460 0,202 0,215
E 6,000 6,200 0,236 0,244
e 2,286 TYPE. 0,090 TYPES.
e1 4,327 4,727 0,170 0,186
M 1.778REF. 0.070REF.
N 0.762REF. 0.018REF.
L 9,800 10,400 0,386 0,409
L1 2.9REF. 0.114REF.
L2 1,400 1,700 0,055 0,067
V 4,830 Réf. 0,190 Réf.
ĭ 1,100 1,300 0,043 0.0±1

 
 

 
 

Produit Tag:

transistor de pnp de puissance élevée,

transistors de série d'astuce,

transistor de pnp d'astuce

Coordonnées
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