Aperçu ProduitsTransistors de puissance d'astuce

Tension de saturation élevée du circuit VCEO 400V de transistor de la puissance 3DD13002B basse

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

Je suis en ligne une discussion en ligne

Tension de saturation élevée du circuit VCEO 400V de transistor de la puissance 3DD13002B basse

Tension de saturation élevée du circuit VCEO 400V de transistor de la puissance 3DD13002B basse
Tension de saturation élevée du circuit VCEO 400V de transistor de la puissance 3DD13002B basse

Image Grand :  Tension de saturation élevée du circuit VCEO 400V de transistor de la puissance 3DD13002B basse

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: 3DD13002B
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Tension de saturation élevée du circuit VCEO 400V de transistor de la puissance 3DD13002B basse

description de
VCBO: 600v VCEO: 400V
Tension de collecteur-base: 6v Nom du produit: type de triode de semi-conducteur
Transistor de transistor MOSFET de puissance: TO-92 Plastique-s'encapsulent Type: Transistor de triode
Surligner:

transistors de série d'astuce

,

transistor de pnp de puissance élevée

TO-92 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 3DD13002B (NPN)

 

CARACTÉRISTIQUE
 

Applications de commutation de puissance

 

 

REPÉRAGE

code 13002B=Device

Le solide dot=Green le dispositif composé de moulage, si aucun, le dispositif normal

XXX=Code

 

Tension de saturation élevée du circuit VCEO 400V de transistor de la puissance 3DD13002B basse 0

 

 

L'INFORMATION DE COMMANDE

Numéro de la pièce Paquet Méthode d'emballage Quantité de paquet
3DD13002B TO-92 Le volume 1000pcs/Bag
3DD13002B-TA TO-92 Bande 2000pcs/Box


 

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 600 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 400 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 6 V
IC Courant de collecteur - continu 0,8 A
PC Dissipation de puissance de collecteur 0,9 W
TJ La température de jonction 150
Tstg Température de stockage -55 | 150

 

 

 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Merci =25 Š sauf indication contraire


 

 

Tension de saturation élevée du circuit VCEO 400V de transistor de la puissance 3DD13002B basse 1

Paramètre

Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum

 

Tension de saturation élevée du circuit VCEO 400V de transistor de la puissance 3DD13002B basse 2

Unité

Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC=100μA, C.-À-D. =0 600     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC=1mA, IB=0 400     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. = 100μA, IC=0 6     V

 

Courant de coupure de collecteur

ICBO VCB= 600V, C.-À-D. =0     100 µA
  ICEO VCE= 400V, IB=0     100 µA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB= 6 V, IC=0     100 µA

 

Gain urrent de C.C c

hFE1 VCE= 10 V, IC=200mA 9   40  
  hFE2 VCE= 10 V, IC=0.25mA 5      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC=200mA, IB=40mA     0,5 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (reposé) IC=200mA, IB=40mA     1,1 V

 

Fréquence de transition

 

fT

VCE=10V, IC=100mA

f =1MHz

 

5

   

 

Mégahertz

Temps de chute tf

 

IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V

    0,5 µs
Temps d'entreposage ts       2,5 µs

 
  

CLASSIFICATION DEFede h(2)

Gamme 9-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

 

Caractéristiques typiques

Tension de saturation élevée du circuit VCEO 400V de transistor de la puissance 3DD13002B basse 3Tension de saturation élevée du circuit VCEO 400V de transistor de la puissance 3DD13002B basse 4Tension de saturation élevée du circuit VCEO 400V de transistor de la puissance 3DD13002B basse 5Tension de saturation élevée du circuit VCEO 400V de transistor de la puissance 3DD13002B basse 6

 

Dimensions d'ensemble du paquet TO-92

 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TYPE 0,050 TYPES
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
Φ   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Personne à contacter: David

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)

Laisser un message

Nous vous rappellerons bientôt!