Détails sur le produit:
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Tension de collecteur-base: | 700V | Tension de collecteur-émetteur: | 400V |
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tension d'Émetteur-base: | 9V | Nom du produit: | type de triode de semi-conducteur |
TJ: | 150℃ | Type: | Transistor de triode |
Surligner: | transistors de série d'astuce,transistor de pnp de puissance élevée |
TO-92 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 3DD13001B (NPN)
Applications de commutation de puissance de Ÿ
REPÉRAGE
code 13003B=Device
Le solide dot=Green le dispositif composé de moulage, si aucun, le dispositif normal
XXX=Code
L'INFORMATION DE COMMANDE
Numéro de la pièce | Paquet | Méthode d'emballage | Quantité de paquet |
3DD13003B | TO-92 | Le volume | 1000pcs/Bag |
3DD13003B-TA | TO-92 | Bande | 2000pcs/Box |
ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)
Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
V CBO | Tension de collecteur-base | 700 | V |
V PRÉSIDENT | Tension de collecteur-émetteur | 400 | V |
V EBO | Tension d'Émetteur-base | 9 | V |
IC | Courant de collecteur - continu | 1,5 | A |
PC | Dissipation de puissance de collecteur | 0,9 | W |
TJ | La température de jonction | 150 | ℃ |
Tstg | Température de stockage | -55 ~150 | ℃ |
Merci =25 Š sauf indication contraire
Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
Tension claque de collecteur-base | V (BR) CBO | IC= 1mA, C.-À-D. =0 | 700 | V | ||
Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT V (DE BR) | IC= 10mA, IB=0 | 400 | V | ||
tension claque d'Émetteur-base | V (BR) EBO | C.-À-D. = 1mA, IC=0 | 9 | V | ||
Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB= 700V, C.-À-D. =0 | 100 | µA | ||
Courant de coupure de collecteur | ICEO | VCE= 400V, IB=0 | 50 | µA | ||
Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB= 7V, IC=0 | 10 | µA | ||
Gain actuel de C.C | hFE | VCE= 10V, IC= 0,4 A | 20 | 40 | ||
Tension de saturation de collecteur-émetteur |
VCE (reposé) 1 | IC=1.5A, IB= 0.5A | 3 | V | ||
VCE (reposé) 2 | IC=0.5A, IB= 0.1A | 0,8 | V | |||
Tension de saturation d'émetteur de base | VBE (reposé) | IC=0.5A, IB=0.1A | 1 | V | ||
Fréquence de transition | fT | VCE=10V, IC=100mA, f =1MHz | 4 | Mégahertz | ||
Temps de chute | tf | IC=1A | 0,7 | µs | ||
Temps d'entreposage | ts | IB1=-IB2=0.2A | 4 | µs |
Rang | ||||
Gamme | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
Caractéristiques typiques
Dimensions d'ensemble du paquet TO-92
Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
Minute | Maximum | Minute | Maximum | |
A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
D1 | 3,430 | 0,135 | ||
E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
e | 1,270 TYPE | 0,050 TYPES | ||
e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
Φ | 1,600 | 0,063 | ||
h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Personne à contacter: David