Aperçu ProduitsTransistors de puissance d'astuce

Type matériel de transistor de triode de silicium des transistors de puissance de l'astuce MJE13003 NPN

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

Je suis en ligne une discussion en ligne

Type matériel de transistor de triode de silicium des transistors de puissance de l'astuce MJE13003 NPN

Type matériel de transistor de triode de silicium des transistors de puissance de l'astuce MJE13003 NPN
Type matériel de transistor de triode de silicium des transistors de puissance de l'astuce MJE13003 NPN Type matériel de transistor de triode de silicium des transistors de puissance de l'astuce MJE13003 NPN

Image Grand :  Type matériel de transistor de triode de silicium des transistors de puissance de l'astuce MJE13003 NPN

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: MJE13003
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Type matériel de transistor de triode de silicium des transistors de puissance de l'astuce MJE13003 NPN

description de
Type: Transistor de triode Matériau: de silicium
Transistor de transistor MOSFET de puissance: TO-126 Plastique-s'encapsulent Nom du produit: type de triode de semi-conducteur
TJ: 150℃
Surligner:

transistors de série d'astuce

,

transistor de pnp de puissance élevée

TO-126 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors MJE13003 (NPN)

 

 

CARACTÉRISTIQUE
 

Applications de commutation de puissance de Ÿ

 

 

REPÉRAGE

Code de MJE13003=Device

Point solide = vert moulant le dispositif composé, si aucun, le dispositif normal

Type matériel de transistor de triode de silicium des transistors de puissance de l'astuce MJE13003 NPN 0

 

Type matériel de transistor de triode de silicium des transistors de puissance de l'astuce MJE13003 NPN 1

 

 

L'INFORMATION DE COMMANDE

Numéro de la pièce Paquet Méthode d'emballage Quantité de paquet
MJE13003 TO-126 Le volume 200pcs/Bag
MJE13003-TU TO-126 Tube 60pcs/Tube


 

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 600 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 420 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 7 V
IC Courant de collecteur - continu 0,2 A
PC Dissipation de puissance de collecteur 0,75 W
TJ La température de jonction 150
Tstg Température de stockage -55 ~150

 

 

 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Merci =25 Š sauf indication contraire


 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC= 0.1mA, C.-À-D. =0 600     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC= 1mA, IB=0 400     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. =0.1MA, IC=0 6     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB=600V, C.-À-D. =0     100 uA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE=400V, IB=0     100 uA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB=7V, IC=0     10 uA
Gain actuel de C.C hFE (1)* VCE=10V, IC=200mA 20   30  
hFE (2) VCE=10V, IC=250μA 5    
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) 1 IC=200mA, IB=40mA     0,5 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (reposé) IC=200mA, IB=40mA     1,1 V
Fréquence de transition fT VCE=10V, IC=100mA, f=1MHz 5     Mégahertz
Temps de chute tf IC=100mA     0,5 μs
Temps d'entreposage tS* IC=100mA 2   4

 

 
 Dimensions d'ensemble du paquet TO-92

 

 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 TYPE 0,090 TYPES
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 

 

Type matériel de transistor de triode de silicium des transistors de puissance de l'astuce MJE13003 NPN 2

 

 

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Personne à contacter: David

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)

Laisser un message

Nous vous rappellerons bientôt!