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Commutateur de transistor de 3DD13003 NPN, dissipation de collecteur des transistors 1.25W de série d'astuce

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Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Commutateur de transistor de 3DD13003 NPN, dissipation de collecteur des transistors 1.25W de série d'astuce

Commutateur de transistor de 3DD13003 NPN, dissipation de collecteur des transistors 1.25W de série d'astuce
Commutateur de transistor de 3DD13003 NPN, dissipation de collecteur des transistors 1.25W de série d'astuce

Image Grand :  Commutateur de transistor de 3DD13003 NPN, dissipation de collecteur des transistors 1.25W de série d'astuce

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: 3DD13003
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour
Contact

Commutateur de transistor de 3DD13003 NPN, dissipation de collecteur des transistors 1.25W de série d'astuce

description de
VCBO: 700V VCEO: 400V
tension d'Émetteur-base: 9V Nom du produit: type de triode de semi-conducteur
Dissipation de collecteur: 1.25W Type: Transistor de triode
Surligner:

transistors de série d'astuce

,

transistor de pnp de puissance élevée

TO-251-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 3DD13003 (NPN)

 

CARACTÉRISTIQUE
 

Applications de commutation de puissance

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 700 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 400 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 9 V
IC Courant de collecteur - continu 1,5 A
PC Dissipation de collecteur 1,25 W
TJ, Tstg Jonction et température de stockage -55~+150 ℃

 

 

 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Merci =25 Š sauf indication contraire


 

Merci =25 Š sauf indication contraire

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO Ic= 1mA, IE=0 700     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) Ic= 10 mA, IB=0 400     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. = 1mA, IC=0 9     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB= 700V, C.-À-D. =0     1 mA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE= 400V, IB=0     0,5 mA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB= 9 V, IC=0     1 mA

 

Gain actuel de C.C

 hFE (1) VCE= 5 V, IC= 0,5 A 8   40  
  hFE (2) VCE= 5 V, IC= 1.5A 5      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC=1A, IB= 250 mA     0,6 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (reposé) IC=1A, IB= 250mA     1,2 V
Tension d'émetteur de base VBE IE= 2A     3 V

 

Fréquence de transition

 

pi

VCE=10V, Ic=100mA

f =1MHz

 

5

    

 

Mégahertz
Temps de chute tf IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V     0,5 µs
Temps d'entreposage ts IC=250mA 2   4 µs

 

 

CLASSIFICATION de hFE1

Rang              
Gamme 8-10 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

CLASSIFICATION des solides totaux

 

Rang A1 A2 B1 B2
Gamme 2-2.5 (μs) 2.5-3 (μs) 3-3.5 (μs) 3.5-4 (μs)
         

 


Caractéristiques typiques

 

 Commutateur de transistor de 3DD13003 NPN, dissipation de collecteur des transistors 1.25W de série d'astuce 0Commutateur de transistor de 3DD13003 NPN, dissipation de collecteur des transistors 1.25W de série d'astuce 1Commutateur de transistor de 3DD13003 NPN, dissipation de collecteur des transistors 1.25W de série d'astuce 2
 

 

Dimensions d'ensemble du paquet TO-92

 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minimal. Maximum. Minimal. Maximum.
A 2,200 2,400 0,087 0,094
A1 1,050 1,350 0,042 0,054
B 1,350 1,650 0,053 0,065
b 0,500 0,700 0,020 0,028
b1 0,700 0,900 0,028 0,035
c 0,430 0,580 0,017 0,023
c1 0,430 0,580 0,017 0,023
D 6,350 6,650 0,250 0,262
D1 5,200 5,400 0,205 0,213
E 5,400 5,700 0,213 0,224
e 2,300 TYPE. 0,091 TYPES.
e1 4,500 4,700 0,177 0,185
L 7,500 7,900 0,295 0,311

 

 

 

 

 

Produit Tag:

transistor de pnp de puissance élevée,

transistors de série d'astuce,

transistor de pnp d'astuce

Coordonnées
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