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Rendement élevé bas de la tension 9V d'émetteur de commutateur de transistor de 3DD13005 Npn

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

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Rendement élevé bas de la tension 9V d'émetteur de commutateur de transistor de 3DD13005 Npn

Rendement élevé bas de la tension 9V d'émetteur de commutateur de transistor de 3DD13005 Npn
Rendement élevé bas de la tension 9V d'émetteur de commutateur de transistor de 3DD13005 Npn

Image Grand :  Rendement élevé bas de la tension 9V d'émetteur de commutateur de transistor de 3DD13005 Npn

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: 3DD13005
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Rendement élevé bas de la tension 9V d'émetteur de commutateur de transistor de 3DD13005 Npn

description de
Tension de collecteur-base: 700V La température de jonction: ℃ 150
tension d'Émetteur-base: 9V Nom du produit: type de triode de semi-conducteur
Dissipation de collecteur: 1.25W Type: Transistor de triode
Surligner:

transistor de pnp d'astuce

,

transistor de pnp de puissance élevée

TO-263-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 3DD13005 (NPN)

 

CARACTÉRISTIQUE
 

Applications de commutation de puissance

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 700 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 400 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 9 V
IC Courant de collecteur - continu 1,5 A
PC Dissipation de collecteur 1,25 W
TJ, Tstg Jonction et température de stockage -55~+150

 

 

 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Merci =25 Š sauf indication contraire


 

Merci =25 Š sauf indication contraire

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO Ic= 1mA, IE=0 700     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) Ic= 10 mA, IB=0 400     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. = 1mA, IC=0 9     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB= 700V, C.-À-D. =0     1 mA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE= 400V, IB=0     0,5 mA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB= 9 V, IC=0     1 mA

 

Gain actuel de C.C

hFE (1) VCE= 5 V, IC= 0,5 A 8   40  
  hFE (2) VCE= 5 V, IC= 1.5A 5      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC=1A, IB= 250 mA     0,6 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (reposé) IC=1A, IB= 250mA     1,2 V
Tension d'émetteur de base VBE IE= 2A     3 V

 

Fréquence de transition

 

pi

VCE=10V, Ic=100mA

f =1MHz

 

5

   

 

Mégahertz

Temps de chute tf IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V     0,5 µs
Temps d'entreposage ts IC=250mA 2   4 µs

 

 

CLASSIFICATION de hFE1

Rang              
Gamme 8-10 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

CLASSIFICATION des solides totaux

 

Rang A1 A2 B1 B2
Gamme 2-2.5 (μs) 2.5-3 (μs) 3-3.5 (μs) 3.5-4 (μs)
         

 

 

 

Dimensions d'ensemble du paquet TO-92

 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minimal. Maximum. Minimal. Maximum.
A 4,470 4,670 0,176 0,184
A1 0,000 0,150 0,000 0,006
B 1,120 1,420 0,044 0,056
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
e 2,540 TYPE. 0,100 TYPES.
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
L 14,940 15,500 0,588 0,610
L1 4,950 5,450 0,195 0,215
L2 2,340 2,740 0,092 0,108
Φ
V 5,600 Réf. 0,220 Réf.

 

 

 

 

 

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