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Détails sur le produit:
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| Nom du produit: | transistor de puissance de transistor MOSFET | VDS: | 20V |
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| Numéro de modèle: | HXY9926A | Affaire: | Bande/plateau/bobine |
| VGS: | ±1.2V | Courant continu de drain: | 6.5A |
| Surligner: | transistor de transistor MOSFET de canal de n,commutateur à forte intensité de transistor MOSFET |
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HXY9926A 20V conjuguent transistor MOSFET de N-canal
Description générale
La technologie avancée de fossé d'utilisations de HXY9926A à
fournissez l'excellent RDS (DESSUS), la basses charge de porte et opération
avec des tensions de porte aussi basses que 1.8V tout en maintenant un 12V
Estimation de VGS (max). Ce dispositif convient pour l'usage en tant qu'unidirectionnel
ou commutateur bidirectionnel de charge.
Résumé de produit
Capacités absolues T =25°C sauf indication contraire
Caractéristiques électriques (T =25°C sauf indication contraire)
A. La valeur duθJAde R est mesurée avec le dispositif monté sur le conseil de 1in2 FR-4 avec 2oz. Cuivrez, dans un environnement aérien encore avec TA =25°C.
la valeur dans n'importe quelle application indiquée dépend de la conception spécifique du conseil de l'utilisateur.
B. La dissipation de puissance PD est basée sur TJ(max) =150°C, utilisant la résistance thermique jonction-à-ambiante du ≤ 10s.
C. l'estimation répétitive, durée d'impulsion limitée par des estimations de la température de jonction TJ(max) =150°C. sont basées sur basse fréquence et des temps d'utilisation pour garder
D. LeθJAde R est la somme de l'impédance thermique de la jonction pour mener leθJLde R et à mener à ambiant.
E. Les caractéristiques statiques sur les schémas 1 6 sont obtenues utilisant <300>
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET THERMIQUES TYPIQUES
Personne à contacter: David
