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Aperçu Produitstransistor de puissance de transistor MOSFET

Identification 6.5A de transistor MOSFET de mode d'amélioration de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6G03S 30V

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Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Identification 6.5A de transistor MOSFET de mode d'amélioration de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6G03S 30V

Identification 6.5A de transistor MOSFET de mode d'amélioration de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6G03S 30V
Identification 6.5A de transistor MOSFET de mode d'amélioration de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6G03S 30V

Image Grand :  Identification 6.5A de transistor MOSFET de mode d'amélioration de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6G03S 30V

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: 6G03S
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour
Contact

Identification 6.5A de transistor MOSFET de mode d'amélioration de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6G03S 30V

description de
Nom du produit: transistor de puissance de transistor MOSFET LE RDS (DESSUS): < 37m="">
Numéro de modèle: 6G03S Identification: 6.5A
D'entité: Basse charge de porte VGS: -10V
Surligner:

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

commutateur à forte intensité de transistor MOSFET

Transistor MOSFET de mode d'amélioration de 6G03S 30V N+P-Channel

 

 

Description

Le fossé avancé des utilisations 6G03S

technologie pour fournir excellent RDS(DESSUS) et basse charge de porte.

Les transistors MOSFET complémentaires peuvent être utilisés pour former a

le niveau a décalé le commutateur latéral élevé, et pour un centre serveur d'autre

applications

 

Caractéristiques générales

P-canal de N-canal

N-canal

VDS = 30V, ID =6.5A

RDS(DESSUS)< 16m=""> GS=10V

P-canal

VDS = -30V, ID = -7A

RDS(DESSUS)< 37m=""> GS=-10V

Puissance élevée et capacité de remise actuelle

Le produit sans plomb est acquis

Paquet extérieur de bâti

 

 

Application

Application de commutation de puissance de ●

Circuits dur commutés et à haute fréquence de ●

Alimentation d'énergie non interruptible de ●

 

 

Inscription et information de commande de paquet

Identification 6.5A de transistor MOSFET de mode d'amélioration de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6G03S 30V 0

 

Capacités absolues (TC=25℃ sauf indication contraire)
Identification 6.5A de transistor MOSFET de mode d'amélioration de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6G03S 30V 1
 
Caractéristiques électriques de N-CH (TA=25℃ sauf indication contraire)

Identification 6.5A de transistor MOSFET de mode d'amélioration de transistor de puissance de transistor MOSFET de 6G03S 30V 2

 

Notes :
1. Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
2. Surface montée sur FR4 le panneau, sec du ≤ 10 de t.
3. Essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.
4. Garanti par conception, pas sujet à la production
 
 
caractéristiques électriques de la Manche de 30V N+P-Channel EnhancemeN- et thermiques typiques (courbes)
 
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transistor à haute tension,

transistor de transistor MOSFET de canal de n,

commutateur à forte intensité de transistor MOSFET

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Personne à contacter: David

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À propos

transistor de puissance de transistor MOSFET

Transistor de niveau de la logique HXY4616, transistor MOSFET complémentaire à haute tension du transistor 30V

Haute tension VDS 40V VGS ±20v du transistor de puissance du transistor MOSFET HXY4616 ±20v VGS

Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P

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