Aperçu Produitstransistor de puissance de transistor MOSFET

10G03S transistor de la Manche de N + de P, transistor électronique de puissance de transistor MOSFET

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

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10G03S transistor de la Manche de N + de P, transistor électronique de puissance de transistor MOSFET

10G03S transistor de la Manche de N + de P, transistor électronique de puissance de transistor MOSFET
10G03S transistor de la Manche de N + de P, transistor électronique de puissance de transistor MOSFET

Image Grand :  10G03S transistor de la Manche de N + de P, transistor électronique de puissance de transistor MOSFET

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: 10G03S
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

10G03S transistor de la Manche de N + de P, transistor électronique de puissance de transistor MOSFET

description de
Nom du produit: transistor de puissance de transistor MOSFET Type: Transistor de transistor MOSFET
Numéro de modèle: 10G03S La température de jonction :: 150℃
Application: Application de commutation de puissance Caractéristiques: Le produit sans plomb est acquis
Surligner:

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

transistor à haute tension

Transistor MOSFET de mode d'amélioration de 10G03S 30V N+P-Channel

 

 

Description

Le fossé avancé des utilisations 10G03S

technologie pour fournir excellent RDS(DESSUS) et basse charge de porte.

Les transistors MOSFET complémentaires peuvent être utilisés pour former a

le niveau a décalé le commutateur latéral élevé, et pour un centre serveur d'autre

applications

 

Caractéristiques générales

N-canal

VDS = 30V, ID =10A

RDS(DESSUS)< 16m=""> GS=10V

P-canal

VDS = -30V, ID = -9A

RDS(DESSUS)< 37m=""> GS=-10V

Puissance élevée et capacité de remise actuelle

Le produit sans plomb est acquis

Paquet extérieur de bâti

 

Application

Application de commutation de puissance de ●

Circuits dur commutés et à haute fréquence de ●

Alimentation d'énergie non interruptible de ●

 

 

Inscription et information de commande de paquet

 

10G03S transistor de la Manche de N + de P, transistor électronique de puissance de transistor MOSFET 0

Capacités absolues (TC=25℃ sauf indication contraire)
10G03S transistor de la Manche de N + de P, transistor électronique de puissance de transistor MOSFET 1
 
Caractéristiques électriques de N-CH (TA=25℃ sauf indication contraire)

 

10G03S transistor de la Manche de N + de P, transistor électronique de puissance de transistor MOSFET 2

 

 

Caractéristiques électriques de P-CH (TA=25℃ sauf indication contraire)
 
 
10G03S transistor de la Manche de N + de P, transistor électronique de puissance de transistor MOSFET 3
Notes :
1. Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
2. Surface montée sur FR4 le panneau, sec du ≤ 10 de t.
3. Essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.
4. Garanti par conception, pas sujet à la production
 
Caractéristiques typiques de N-canal
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Caractéristiques typiques de P-canal
10G03S transistor de la Manche de N + de P, transistor électronique de puissance de transistor MOSFET 1010G03S transistor de la Manche de N + de P, transistor électronique de puissance de transistor MOSFET 1110G03S transistor de la Manche de N + de P, transistor électronique de puissance de transistor MOSFET 1210G03S transistor de la Manche de N + de P, transistor électronique de puissance de transistor MOSFET 1310G03S transistor de la Manche de N + de P, transistor électronique de puissance de transistor MOSFET 1410G03S transistor de la Manche de N + de P, transistor électronique de puissance de transistor MOSFET 15
 
 

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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