Détails sur le produit:
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Nom du produit: | transistor de puissance de transistor MOSFET | Type: | Transistor de transistor MOSFET |
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Numéro de modèle: | 10G03S | La température de jonction :: | 150℃ |
Application: | Application de commutation de puissance | Caractéristiques: | Le produit sans plomb est acquis |
Surligner: | transistor de transistor MOSFET de canal de n,transistor à haute tension |
Transistor MOSFET de mode d'amélioration de 10G03S 30V N+P-Channel
Description
Le fossé avancé des utilisations 10G03S
technologie pour fournir excellent RDS(DESSUS) et basse charge de porte.
Les transistors MOSFET complémentaires peuvent être utilisés pour former a
le niveau a décalé le commutateur latéral élevé, et pour un centre serveur d'autre
applications
Caractéristiques générales
N-canal
VDS = 30V, ID =10A
RDS(DESSUS)< 16m=""> GS=10V
P-canal
VDS = -30V, ID = -9A
RDS(DESSUS)< 37m=""> GS=-10V
Puissance élevée et capacité de remise actuelle
Le produit sans plomb est acquis
Paquet extérieur de bâti
Application
Application de commutation de puissance de ●
Circuits dur commutés et à haute fréquence de ●
Alimentation d'énergie non interruptible de ●
Inscription et information de commande de paquet
Personne à contacter: David