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matériel de silicium d'AlphaSGT HXY4264 de la Manche du transistor à effet de champ de MOS 60V N

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
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matériel de silicium d'AlphaSGT HXY4264 de la Manche du transistor à effet de champ de MOS 60V N

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Image Grand :  matériel de silicium d'AlphaSGT HXY4264 de la Manche du transistor à effet de champ de MOS 60V N

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: HXY4264
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

matériel de silicium d'AlphaSGT HXY4264 de la Manche du transistor à effet de champ de MOS 60V N

description de
Nom du produit: transistor de puissance de transistor MOSFET La température de jonction :: 150℃
Matériau: de silicium Numéro de modèle: HXY4264
Affaire: Bande/plateau/bobine Type: Transistor de transistor MOSFET

60V N-canal AlphaSGT HXY4264
 

 

Résumé de produit

 

 

VDS 60V
Identification (à VGS=10V) 13.5A
Le RDS (DESSUS) (à VGS=10V) < 9="">
Le RDS (DESSUS) (à VGS=4.5V) < 13="">

 

 

Description générale

 

Technologie d'AlphaSGTTMde puissance de fossé

Bas RDS(DESSUS)

Basse charge de porte

 

 

Applications

 

Alimentation d'énergie de rendement élevé

Redresseur secondaire de synchronus

 

 

matériel de silicium d'AlphaSGT HXY4264 de la Manche du transistor à effet de champ de MOS 60V N 0

 

Caractéristiques électriques (T =25°C sauf indication contraire)

matériel de silicium d'AlphaSGT HXY4264 de la Manche du transistor à effet de champ de MOS 60V N 1

 

 

A. La valeur duθJAde R est mesurée avec le dispositif monté sur le conseil de 1in2 FR-4 avec 2oz. Cuivrez, dans un environnement aérien encore avec TA =25°C.

la valeur dans n'importe quelle application indiquée dépend de la conception spécifique du conseil de l'utilisateur.

B. La dissipation de puissance PD est basée sur TJ(max) =150°C, utilisant la résistance thermique jonction-à-ambiante du ≤ 10s.

C. l'estimation répétitive, durée d'impulsion limitée par des estimations de la température de jonction TJ(max) =150°C. sont basées sur basse fréquence et des temps d'utilisation pour garder

initialT =25°C.

D. LeθJAde R est la somme de l'impédance thermique de la jonction pour mener leθJLde R et à mener à ambiant.

E. Les caractéristiques statiques sur les schémas 1 6 sont obtenues utilisant <300>

F. Ces courbes sont basées sur l'impédance thermique jonction-à-ambiante avec laquelle est mesuré avec le dispositif monté sur le conseil de 1in2 FR-4

2oz. Cuivrez, en supposant qu'une température de jonction maximum de TJ(max) =150°C. la courbe de SOA fournit une estimation simple d'impulsion.

G. Le coefficient d'utilisation de transitoire 5% maximum, limité par la température de jonction TJ (max) =125°C.

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET THERMIQUES TYPIQUES

 

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