Aperçu ProduitsTransistor à effet de champ de MOS

Commande de porte de niveau de logique du transistor à effet de champ de MOS d'AlphaSGT HXY4266 60v

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
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Commande de porte de niveau de logique du transistor à effet de champ de MOS d'AlphaSGT HXY4266 60v

Commande de porte de niveau de logique du transistor à effet de champ de MOS d'AlphaSGT HXY4266 60v
Commande de porte de niveau de logique du transistor à effet de champ de MOS d'AlphaSGT HXY4266 60v

Image Grand :  Commande de porte de niveau de logique du transistor à effet de champ de MOS d'AlphaSGT HXY4266 60v

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: HXY4266
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Commande de porte de niveau de logique du transistor à effet de champ de MOS d'AlphaSGT HXY4266 60v

description de
Nom du produit: transistor de puissance de transistor MOSFET Application: Commutation à haute fréquence
Matériau: de silicium Numéro de modèle: HXY4266
VDS: 60V Identification (à VGS=10V): 11A
Surligner:

transistor à forte intensité

,

conducteur de transistor MOSFET à l'aide du transistor

60V N-canal AlphaSGT HXY4266
 

 

Résumé de produit

 

VDS 60V
Identification (à VGS=10V) 11A
Le RDS (DESSUS) (à VGS=10V) < 13="">
Le RDS (DESSUS) (à VGS=4.5V) < 18m="">

 

 

 

Description générale

 

• Le bas RDS (DESSUS)
• Commande de niveau de porte de logique
• Excellent produit de la charge X le RDS de porte (DESSUS) (FOM)
• RoHS et conforme sans halogène

 

 

Applications

 

• Commutation à haute fréquence et rectification synchrone

 

Commande de porte de niveau de logique du transistor à effet de champ de MOS d'AlphaSGT HXY4266 60v 0

 

 

Caractéristiques électriques (T =25°C sauf indication contraire)

 

Commande de porte de niveau de logique du transistor à effet de champ de MOS d'AlphaSGT HXY4266 60v 1

 

A. La valeur duθJAde R est mesurée avec le dispositif monté sur le conseil de 1in2 FR-4 avec 2oz. Cuivrez, dans un environnement aérien encore avec TA =25°C.

la valeur dans n'importe quelle application indiquée dépend de la conception spécifique du conseil de l'utilisateur.

B. La dissipation de puissance PD est basée sur TJ(max) =150°C, utilisant la résistance thermique jonction-à-ambiante du ≤ 10s.

C. l'estimation répétitive, durée d'impulsion limitée par des estimations de la température de jonction TJ(max) =150°C. sont basées sur basse fréquence et des temps d'utilisation pour garder

initialT =25°C.

D. LeθJAde R est la somme de l'impédance thermique de la jonction pour mener leθJLde R et à mener à ambiant.

E. Les caractéristiques statiques sur les schémas 1 6 sont obtenues utilisant <300>

F. Ces courbes sont basées sur l'impédance thermique jonction-à-ambiante avec laquelle est mesuré avec le dispositif monté sur le conseil de 1in2 FR-4

2oz. Cuivrez, en supposant qu'une température de jonction maximum de TJ(max) =150°C. la courbe de SOA fournit une estimation simple d'impulsion.

G. Le coefficient d'utilisation de transitoire 5% maximum, limité par la température de jonction TJ (max) =125°C.

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET THERMIQUES TYPIQUES

 

 

 

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