Aperçu ProduitsTransistor à effet de champ de MOS

Plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche de HXY2308 N SOT-23 encapsulé

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

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Plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche de HXY2308 N SOT-23 encapsulé

Plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche de HXY2308 N SOT-23 encapsulé
Plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche de HXY2308 N SOT-23 encapsulé

Image Grand :  Plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche de HXY2308 N SOT-23 encapsulé

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: HXY2308
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche de HXY2308 N SOT-23 encapsulé

description de
Nom du produit: transistor de puissance de transistor MOSFET LE RDS (DESSUS): 136mΩ
D'entité: Paquet extérieur de bâti Numéro de modèle: HXY2308
Application: Commutateur de batterie Type: Transistor de transistor MOSFET
Surligner:

transistor à forte intensité

,

commutateur de transistor MOSFET de logique

SOT-23 Plastique-encapsulent le transistor MOSFET de N-canal des TRANSISTORS MOSFET HXY2308

 

Résumé de produit

 

VDSS= V ID= 3,0 A 60

Le RDS (dessus) 120mΩ@ 10 V < VGS="
Le RDS (dessus) < 136m="">

 

CARACTÉRISTIQUE
 
puissance élevée de  et capacité de remise actuelle
le produit sans plomb de  est acquis
paquet de bâti de surface de 
 
 

 

Applications

 

commutateur de batterie de 

convertisseur du  DC/DC

 

 

Estimations maximum (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 
Plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche de HXY2308 N SOT-23 encapsulé 0
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Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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