Aperçu ProduitsTransistor à effet de champ de MOS

Le plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche 20-V (D-S) de HXY2312 N SOT-23 s'encapsulent

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Le plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche 20-V (D-S) de HXY2312 N SOT-23 s'encapsulent

Le plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche 20-V (D-S) de HXY2312 N SOT-23 s'encapsulent
Le plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche 20-V (D-S) de HXY2312 N SOT-23 s'encapsulent

Image Grand :  Le plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche 20-V (D-S) de HXY2312 N SOT-23 s'encapsulent

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: HXY2312
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Le plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche 20-V (D-S) de HXY2312 N SOT-23 s'encapsulent

description de
Nom du produit: transistor de puissance de transistor MOSFET La température de jonction :: 150℃
Matériau: de silicium Numéro de modèle: HXY2312
Affaire: Bande/plateau/bobine Type: Transistor de transistor MOSFET
Surligner:

transistor à forte intensité

,

commutateur de transistor MOSFET de logique

 
 
SOT-23 Plastique-encapsulent le transistor MOSFET du N-canal 20-V (D-S) des TRANSISTORS MOSFET HXY2312
 

 

Résumé de produit

 

ID= 6,0 A VDSS=20v
Le RDS (dessus) <32 m="">
Le RDS (dessus) <40 m="">
 
 
CARACTÉRISTIQUE 
 
Transistor MOSFET de puissance de TrenchFET
 
 
APPLICATION
 
 
Convertisseurs de DC/DC
Commutation de charge pour des applications portatives
 
 
Estimations maximum (Ta=25℃ sauf indication contraire)
Le plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche 20-V (D-S) de HXY2312 N SOT-23 s'encapsulent 0
 
T =25 un ℃ sauf indication contraire
 
Le plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche 20-V (D-S) de HXY2312 N SOT-23 s'encapsulent 1
 
Le plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche 20-V (D-S) de HXY2312 N SOT-23 s'encapsulent 2Le plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche 20-V (D-S) de HXY2312 N SOT-23 s'encapsulent 3

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