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Transistor de transistor MOSFET de la Manche de 60N03PIT 30V N, transistor de puissance élevée

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Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Transistor de transistor MOSFET de la Manche de 60N03PIT 30V N, transistor de puissance élevée

Transistor de transistor MOSFET de la Manche de 60N03PIT 30V N, transistor de puissance élevée
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Image Grand :  Transistor de transistor MOSFET de la Manche de 60N03PIT 30V N, transistor de puissance élevée

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: 60N03PIT
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour
Contact

Transistor de transistor MOSFET de la Manche de 60N03PIT 30V N, transistor de puissance élevée

description de
Nom du produit: transistor de puissance de transistor MOSFET La température de jonction :: 150℃
Matériau: de silicium Numéro de modèle: HXY2312
Affaire: Bande/plateau/bobine Type: Transistor de transistor MOSFET
Surligner:

transistor à forte intensité

,

conducteur de transistor MOSFET à l'aide du transistor

Transistor MOSFET de mode d'amélioration de N-canal de 18N20X 200V

 

Résumé de produit

 

Le 18N20X emploie la technologie plate avancée pour fournir à l'excellent RDS (DESSUS), à la basses charge de porte et opération des tensions de porte aussi basses que 2.5V. Ce dispositif convient pour l'usage comme protection de batterie ou dans l'autre application de commutation.
 
 
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Produit Tag:

commutateur de transistor MOSFET de logique,

conducteur de transistor MOSFET à l'aide du transistor,

transistor à forte intensité

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Personne à contacter: David

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À propos

transistor de puissance de transistor MOSFET

Transistor de niveau de la logique HXY4616, transistor MOSFET complémentaire à haute tension du transistor 30V

Haute tension VDS 40V VGS ±20v du transistor de puissance du transistor MOSFET HXY4616 ±20v VGS

Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P

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