Aperçu ProduitsTransistor de puissance de silicium

Transistor à effet de champ de BAV19W~BAV21W, transistor à haute fréquence

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

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Transistor à effet de champ de BAV19W~BAV21W, transistor à haute fréquence

Transistor à effet de champ de BAV19W~BAV21W, transistor à haute fréquence
Transistor à effet de champ de BAV19W~BAV21W, transistor à haute fréquence

Image Grand :  Transistor à effet de champ de BAV19W~BAV21W, transistor à haute fréquence

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: BAV19W~BAV21W
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Transistor à effet de champ de BAV19W~BAV21W, transistor à haute fréquence

description de
Type: COMMUTATION DIODESOD D'entité: Vitesse de commutation rapide
Transistor de transistor MOSFET de puissance: Plastique-EncapsulateDiodes SOD-123 La température de stockage: -55~+150℃
Identité de produit: BAV19W~BAV21W Courant maximal d'impulsion: 2A
Surligner:

power switch transistor

,

power mosfet transistors

BAV19W~BAV21W SWITCHINGDIODESOD-123 SOD-123Plastic-EncapsulateDiodes


 

CARACTÉRISTIQUE
 
Bas courant inverse
Paquet extérieur de bâti dans le meilleur des cas adapté à l'insertion automatique
Vitesse de commutation rapide 
Pour des applications d'usage universel de commutation

Repérage 

 

Les cates de barindi d'inscription la cathode 

Le solide dot=Green le dispositif composé de moulage,

ifnone, dispositif thenormal.

Transistor à effet de champ de BAV19W~BAV21W, transistor à haute fréquence 0

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 

 Transistor à effet de champ de BAV19W~BAV21W, transistor à haute fréquence 1
 
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 

 
Transistor à effet de champ de BAV19W~BAV21W, transistor à haute fréquence 2


 
 
 
Characterisitics typique  
 Transistor à effet de champ de BAV19W~BAV21W, transistor à haute fréquence 3Transistor à effet de champ de BAV19W~BAV21W, transistor à haute fréquence 4
 




 
 
 
 
 
 
 Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TYPES 0,037 TYPES
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 RÉFÉRENCES 0,022 RÉFÉRENCES
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ

 
 



 
 
 
 

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