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Transistor à effet de champ de BAV19W~BAV21W, transistor à haute fréquence

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Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Transistor à effet de champ de BAV19W~BAV21W, transistor à haute fréquence

Transistor à effet de champ de BAV19W~BAV21W, transistor à haute fréquence
Transistor à effet de champ de BAV19W~BAV21W, transistor à haute fréquence

Image Grand :  Transistor à effet de champ de BAV19W~BAV21W, transistor à haute fréquence

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: BAV19W~BAV21W
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour
Contact

Transistor à effet de champ de BAV19W~BAV21W, transistor à haute fréquence

description de
Type: COMMUTATION DIODESOD D'entité: Vitesse de commutation rapide
Transistor de transistor MOSFET de puissance: Plastique-EncapsulateDiodes SOD-123 La température de stockage: -55~+150℃
Identité de produit: BAV19W~BAV21W Courant maximal d'impulsion: 2A
Surligner:

transistor de commutateur électrique

,

transistors de transistor MOSFET de puissance

BAV19W~BAV21W SWITCHINGDIODESOD-123 SOD-123Plastic-EncapsulateDiodes


 

CARACTÉRISTIQUE
 
Bas courant inverse
Paquet extérieur de bâti dans le meilleur des cas adapté à l'insertion automatique
Vitesse de commutation rapide 
Pour des applications d'usage universel de commutation

Repérage 

 

Les cates de barindi d'inscription la cathode 

Le solide dot=Green le dispositif composé de moulage,

ifnone, dispositif thenormal.

Transistor à effet de champ de BAV19W~BAV21W, transistor à haute fréquence 0

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 

 Transistor à effet de champ de BAV19W~BAV21W, transistor à haute fréquence 1
 
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 

 
Transistor à effet de champ de BAV19W~BAV21W, transistor à haute fréquence 2


 
 
 
Characterisitics typique  
 Transistor à effet de champ de BAV19W~BAV21W, transistor à haute fréquence 3Transistor à effet de champ de BAV19W~BAV21W, transistor à haute fréquence 4
 




 
 
 
 
 
 
 Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TYPES 0,037 TYPES
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 RÉFÉRENCES 0,022 RÉFÉRENCES
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ 0° 8° 0° 8°

 
 



 
 
 
 

Produit Tag:

transistors de transistor MOSFET de puissance,

transistor de commutateur électrique,

transistor à haute fréquence

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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