Aperçu ProduitsTransistor de puissance de silicium

Transistor à forte intensité de MMBD1501A, fuite de transistor de commutateur électrique basse

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

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Transistor à forte intensité de MMBD1501A, fuite de transistor de commutateur électrique basse

Transistor à forte intensité de MMBD1501A, fuite de transistor de commutateur électrique basse
Transistor à forte intensité de MMBD1501A, fuite de transistor de commutateur électrique basse

Image Grand :  Transistor à forte intensité de MMBD1501A, fuite de transistor de commutateur électrique basse

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: MMBD1501A
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Transistor à forte intensité de MMBD1501A, fuite de transistor de commutateur électrique basse

description de
Type: COMMUTATION DIODESOD D'entité: Basse fuite
Transistor de transistor MOSFET de puissance: SOT-23 Plastique-encapsulent des diodes Tension de blocage de C.C: 200V
Identité de produit: MMBD1501A Dissipation de puissance: 350mW
Surligner:

power switch transistor

,

power mosfet transistors

La BASSE DIODE SOT-23 de FUITE de MMBD1501A Plastique-encapsulent des diodes


 

CARACTÉRISTIQUE
 
basse fuite de 
conductibilité élevée de 

Repérage : A11

Transistor à forte intensité de MMBD1501A, fuite de transistor de commutateur électrique basse 0

 

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)
Transistor à forte intensité de MMBD1501A, fuite de transistor de commutateur électrique basse 1

 
 
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 

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Characterisitics typique  
 
 
Transistor à forte intensité de MMBD1501A, fuite de transistor de commutateur électrique basse 3Transistor à forte intensité de MMBD1501A, fuite de transistor de commutateur électrique basse 4



 
 
 
 
 
 
 Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TYPES 0,037 TYPES
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 RÉFÉRENCES 0,022 RÉFÉRENCES
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ

 

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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