Demande de soumission |
Aperçu ProduitsTransistor MOSFET à canal double

Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m

Tous les produits

transistor de puissance de transistor MOSFET

(118)

Transistors de puissance d'astuce

(30)

Transistor de puissance de silicium

(19)

Double diode de commutation

(15)

Transistor à effet de champ de MOS

(29)

Transistor MOSFET à canal double

(10)

diode de redresseur rapide de récupération

(6)

diode Zener de puissance

(6)

pont redresseur de Schottky

(10)

diode de redresseur à haute tension

(15)

Triode de semi-conducteur

(9)

Stabilisateur IC de tension

(14)
Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

Je suis en ligne une discussion en ligne

Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m

Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m
Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m

Image Grand :  Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: RS1A
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour
Contact

Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m

description de
Type: diode de redresseur rapide de récupération D'entité: Pour la surface applications montées
Polarité: La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode Poids: 0,002 onces, 0,07 grammes
Identité de produit: FS1A PAR FS1M Affaire: JEDEC DO-214AC a moulé le corps en plastique au-dessus de la puce passivée
Surligner:

transistor MOSFET de mode d'amélioration

,

transistor MOSFET à double portail

RS1A PAR LE BÂTI DE SURFACE DE RS1M JEÛNENT REDRESSEUR DE RÉCUPÉRATION


 

CARACTÉRISTIQUE
 
Passe-fils intégré, idéal pour le placement automatisé
Capacité élevée de courant de montée subite en avant
Soudure à hautes températures garantie :
250 secondes C/10 sur des terminaux
Jonction de puce passivée par verre
Le paquet en plastique porte le laboratoire de garants
Classification 94V-0 d'inflammabilité
Pour la surface applications montées
Basse fuite inverse
 
 
Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m 0
 
Cas : JEDEC DO-214AC a moulé le corps en plastique au-dessus de la puce passivée
Terminaux : Soudure plaquée, solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0,002 onces, 0,07 grammes
 
Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m 1
RS1A PAR LE BÂTI DE SURFACE DE RS1M JEÛNENT REDRESSEUR DE RÉCUPÉRATION
 
DONNÉES MÉCANIQUES
 
Cas : Corps en plastique moulé par DO-201AD de JEDEC
Terminaux : Terminaux axiaux plaqués, solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0,002 onces, 0,07 grammes
 
 
ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire. La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m 2
 
 
 
Note :
1. État inverse IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A de récupération
2. mesuré à 1MHz et à tension inverse appliquée de C.C 4.0V
3. Résistance thermique de jonction à ambiant à 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm), mounte de carte PCB
 
 
ESTIMATIONS ET COURBES CARACTÉRISTIQUES 1N4942 PAR 1N4948
 
 
Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m 3

Produit Tag:

transistor MOSFET de mode d'amélioration,

transistor MOSFET de grande vitesse,

transistor MOSFET à double portail

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Personne à contacter: David

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)

À propos

transistor de puissance de transistor MOSFET

Transistor de niveau de la logique HXY4616, transistor MOSFET complémentaire à haute tension du transistor 30V

Haute tension VDS 40V VGS ±20v du transistor de puissance du transistor MOSFET HXY4616 ±20v VGS

Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de 20G04S 40V N+P

LAISSEZ UN MESSAGE

Politique de confidentialité | Chine Bon Qualité transistor de puissance de transistor MOSFET Fournisseur. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

Laisser un message

Nous vous rappellerons bientôt!