Aperçu ProduitsTransistor MOSFET à canal double

Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

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Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m

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Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m

Image Grand :  Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: RS1A
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m

description de
Type: diode de redresseur rapide de récupération D'entité: Pour la surface applications montées
Polarité: La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode Poids: 0,002 onces, 0,07 grammes
Identité de produit: FS1A PAR FS1M Affaire: JEDEC DO-214AC a moulé le corps en plastique au-dessus de la puce passivée
Surligner:

enhancement mode mosfet

,

dual gate mosfet

RS1A PAR LE BÂTI DE SURFACE DE RS1M JEÛNENT REDRESSEUR DE RÉCUPÉRATION


 

CARACTÉRISTIQUE
 
Passe-fils intégré, idéal pour le placement automatisé
Capacité élevée de courant de montée subite en avant
Soudure à hautes températures garantie :
250 secondes C/10 sur des terminaux
Jonction de puce passivée par verre
Le paquet en plastique porte le laboratoire de garants
Classification 94V-0 d'inflammabilité
Pour la surface applications montées
Basse fuite inverse
 
 
Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m 0
 
Cas : JEDEC DO-214AC a moulé le corps en plastique au-dessus de la puce passivée
Terminaux : Soudure plaquée, solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0,002 onces, 0,07 grammes
 
Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m 1
RS1A PAR LE BÂTI DE SURFACE DE RS1M JEÛNENT REDRESSEUR DE RÉCUPÉRATION
 
DONNÉES MÉCANIQUES
 
Cas : Corps en plastique moulé par DO-201AD de JEDEC
Terminaux : Terminaux axiaux plaqués, solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0,002 onces, 0,07 grammes
 
 
ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire. La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m 2
 
 
 
Note :
1. État inverse IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A de récupération
2. mesuré à 1MHz et à tension inverse appliquée de C.C 4.0V
3. Résistance thermique de jonction à ambiant à 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm), mounte de carte PCB
 
 
ESTIMATIONS ET COURBES CARACTÉRISTIQUES 1N4942 PAR 1N4948
 
 
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Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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