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Aperçu ProduitsTransistor MOSFET à canal double

RS3A PAR les secondes C/10 à canal double du transistor MOSFET 250 de RS3M sur des terminaux

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Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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RS3A PAR les secondes C/10 à canal double du transistor MOSFET 250 de RS3M sur des terminaux

RS3A PAR les secondes C/10 à canal double du transistor MOSFET 250 de RS3M sur des terminaux
RS3A PAR les secondes C/10 à canal double du transistor MOSFET 250 de RS3M sur des terminaux RS3A PAR les secondes C/10 à canal double du transistor MOSFET 250 de RS3M sur des terminaux

Image Grand :  RS3A PAR les secondes C/10 à canal double du transistor MOSFET 250 de RS3M sur des terminaux

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: RS3A PAR RS3M
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour
Contact

RS3A PAR les secondes C/10 à canal double du transistor MOSFET 250 de RS3M sur des terminaux

description de
Type: diode de redresseur rapide de récupération D'entité: 250 secondes C/10 sur des terminaux
Terminaux: Terminaux axiaux plaqués, solderable par MIL-STD-750, Poids: 0.003ounce, 0.093grams
Identité de produit: RS3A PAR RS3M Affaire: Corps en plastique moulé par DO-41 de JEDEC
Surligner:

transistor MOSFET à double portail

,

transistor MOSFET de grande vitesse

RS3A PAR LE REDRESSEUR DU BÂTI FASTRE COVERY DE SURFACE DE RS3M


 

CARACTÉRISTIQUE
Le paquet en plastique porte le laboratoire de garants
Classification 94V-0 d'inflammabilité
Pour la surface applications montées
Basse fuite inverse
Passe-fils intégré, idéal pour le placement automatisé
Capacité élevée de courant de montée subite en avant
Soudure à hautes températures garantie :
250 secondes C/10 sur des terminaux
Jonction de puce passivée par verre
 
RS3A PAR les secondes C/10 à canal double du transistor MOSFET 250 de RS3M sur des terminaux 0
 
 
DONNÉES MÉCANIQUES
 
 
Cas : Corps en plastique moulé par DO-214AC de JEDEC au-dessus de puce passivée
Terminaux : Soudure plaquée, solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0.003ounce, 0.093grams
 
 
ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire. La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
RS3A PAR les secondes C/10 à canal double du transistor MOSFET 250 de RS3M sur des terminaux 1
 
 
 
Note :
1. État inverse IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A de récupération
2. mesuré à 1MHz et à tension inverse appliquée de C.C 4.0V
3. Résistance thermique de jonction à ambiant à 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm), mounte de carte PCB
 
RS3A PAR les secondes C/10 à canal double du transistor MOSFET 250 de RS3M sur des terminaux 2
 
 
,RS3A PAR les secondes C/10 à canal double du transistor MOSFET 250 de RS3M sur des terminaux 3
 
 
 

Produit Tag:

transistor MOSFET de mode d'amélioration,

transistor MOSFET de grande vitesse,

transistor MOSFET à double portail

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Personne à contacter: David

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