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Détails sur le produit:
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| Nom du produit: | transistor de puissance de transistor MOSFET | Application: | Gestion de puissance |
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| D'entité: | L'excellent RDS (dessus) | Transistor de transistor MOSFET de puissance: | Transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration |
| Numéro de modèle: | 5N20DY | ||
| Surligner: | transistor de transistor MOSFET de canal de n,transistor à haute tension |
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5N20D / Transistor MOSFET de mode d'amélioration de N-canal de Y 200V
Le fossé avancé d'utilisations d'AP50N20D
technologie pour fournir l'excellent RDS (DESSUS) et la basse charge de porte.
Les transistors MOSFET complémentaires peuvent être utilisés pour former un commutateur latéral élevé décalé par niveau, et pour un centre serveur d'autre
CARACTÉRISTIQUES
VDS =200V, IDENTIFICATION =5A
LE RDS (DESSUS) <520m>
Application
Commutation de charge
Dur commuté et la haute fréquence fait le tour de l'alimentation d'énergie non interruptible
| Identité de produit | Paquet | Repérage | Quantité (PCS) |
| 5N20D | TO-252 | 5N20D | 3000 |
| 5N20Y | TO-251 | 5N20Y | 4000 |
Note : Tâche de Pin : G : Porte D : Drain S : Source
CAPACITÉS ABSOLUES (TC = 25°С, sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Limite | Unité |
| Tension de Drain-source | VDS | 200 | V |
| Tension de Porte-source | VGS | ±20 | V |
| Vidangez Actuel-continu | Identification | 5 | A |
| Vidangez Actuel-pulsé (note 1) | IDM | 20 | A |
| Dissipation de puissance maximum | Palladium | 30 | W |
| Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | TJ, TSTG | -55 à 150 | ℃ |
Notes : 1. les capacités absolues sont ces valeurs au delà dont le dispositif pourrait être de manière permanente endommagé.
Les capacités absolues sont des estimations d'effort seulement et l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée.
4. Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
5. L = 84mH, ICOMME =1.4A, Vdensité double = 50V, RG = Ω 25 commençant TJ = 25°C
6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, densité double ≤BVSAD d'écart-typede V, commençant TJ = 25°C
| Résistance thermique, Jonction-à-ambiante (note 2) | RθJA | 4,17 | ℃/W |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TJ = 25°С, sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Condition | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Outre des caractéristiques | ||||||
| Tension claque de Drain-source | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 200 | - | - | V |
| Courant zéro de drain de tension de porte | IDSS | VDS=200V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| Courant de fuite de Porte-corps | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
| Sur des caractéristiques (note 3) | ||||||
| Tension de seuil de porte | VGS (Th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1,2 | 1,7 | 2,5 | V |
| Résistance de Sur-état de Drain-source | LE RDS (DESSUS) | VGS=10V, ID=2A | - | 520 | 580 | mΩ |
| Transconductance en avant | gFS | VDS=15V, ID=2A | - | 8 | - | S |
| Caractéristiques dynamiques (Note4) | ||||||
| Capacité d'entrée | Clss |
VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz |
- | 580 | - | PF |
| Capacité de sortie | Coss | - | 90 | - | PF | |
| Capacité inverse de transfert | Crss | - | 3 | - | PF | |
| Caractéristiques de commutation (note 4) | ||||||
| Temps de retard d'ouverture | le TD (dessus) |
VDD=100V, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω |
- | 10 | - | NS |
| Temps de montée d'ouverture | tr | - | 12 | - | NS | |
| Temps de retard d'arrêt | le TD () | - | 15 | - | NS | |
| Temps d'arrêt d'automne | tf | - | 15 | - | NS | |
| Charge totale de porte | Qg |
VDS=100V, ID=2A, VGS=10V |
- | 12 | OR | |
| Charge de Porte-source | Qgs | - | 2,5 | - | OR | |
| Charge de Porte-drain | Qgd | - | 3,8 | - | OR | |
| Caractéristiques de diode de Drain-source | ||||||
| Tension en avant de diode (note 3) | VSD | VGS=0V, IS=2A | - | - | 1,2 | V |
| Courant en avant de diode (note 2) | IS | - | - | 5 | A | |
Notes : 1. essai d'impulsion : ≤ 300µs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.
Personne à contacter: David
