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Détails sur le produit:
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| Nom du produit: | transistor de puissance de transistor MOSFET | Application: | Gestion de puissance |
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| D'entité: | L'excellent RDS (dessus) | Transistor de transistor MOSFET de puissance: | Transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration |
| Numéro de modèle: | 5N60 | ||
| Surligner: | transistor de transistor MOSFET de canal de n,transistor à haute tension |
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transistor MOSFET de PUISSANCE de N-CANAL de 5N60 K-TCQ 5A 600V
L'UTC 5N60K-TCQ est un transistor MOSFET à haute tension de puissance et est conçu pour avoir de meilleures caractéristiques, telles que le temps rapide de commutation, la basse charge de porte, basse résistance de sur-état et pour avoir des caractéristiques rocailleuses élevées d'une avalanche. Ce transistor MOSFET de puissance est habituellement utilisé aux applications à grande vitesse de commutation dans des contrôles d'alimentations d'énergie, de moteur de PWM, Efficace élevé des convertisseurs continu-continu Et des montages en pont.
CARACTÉRISTIQUES
RDS(DESSUS)< 2=""> GS =10V, ID = 2.5A
* capacité rapide de commutation
* énergie d'avalanche spécifique
* capacité améliorée de dv/dt, rugosité élevée
Application
Commutation de charge
Dur commuté et la haute fréquence fait le tour de l'alimentation d'énergie non interruptible
| Numéro de commande | Paquet | Tâche de Pin | Emballage | |||
| Sans plomb | L'halogène libèrent | 1 | 2 | 3 | ||
| 5N60KL-TA3-T | 5N60KG-TA3-T | TO-220 | G | D | S | Tube |
| 5N60KL-TF1-T | 5N60KG-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Tube |
| 5N60KL-TN3-R | 5N60KG-TN3-R | TO-252 | G | D | S | Bande magnétique |
Note : Tâche de Pin : G : Porte D : Drain S : Source
CAPACITÉS ABSOLUES (TC = 25°С, sauf indication contraire)
| PARAMÈTRE | SYMBOLE | ESTIMATIONS | UNITÉ | |
| Tension de Drain-source | VDSS | 600 | V | |
| Tension de Porte-source | VGSS | ±30 | V | |
| Vidangez le courant | Continu | ID | 5,0 | A |
| Pulsé (note 2) | IDM | 20 | A | |
| Courant d'avalanche (note 2) | IAR | 4,0 | A | |
| Énergie d'avalanche | Choisissez pulsé (note 3) | EAS | 80 | MJ |
| Faites une pointe la récupération de diode dv/dt (note 4) | dv/dt | 3,25 | V/ns | |
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Dissipation de puissance |
TO-220 |
PD |
106 | W |
| TO-220F1 | 36 | W | ||
| TO-252 | 50 | W | ||
| La température de jonction | TJ | +150 | °C | |
| Température de stockage | TSTG | -55 | +150 | °C | |
Notes : 1. les capacités absolues sont ces valeurs au delà dont le dispositif pourrait être de manière permanente endommagé.
Les capacités absolues sont des estimations d'effort seulement et l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée.
4. Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
5. L = 84mH, ICOMME =1.4A, Vdensité double = 50V, RG = Ω 25 commençant TJ = 25°C
6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, densité double ≤BVSAD d'écart-typede V, commençant TJ = 25°C
| PARAMÈTRE | SYMBOLE | ÉVALUATION | UNITÉ | |
| Jonction à ambiant | TO-220F/TO-220F1 | θJA | 62,5 | °C/W |
| TO-252 | 110 | °C/W | ||
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Jonction au cas |
TO-220 |
θJC |
1,18 | °C/W |
| TO-220F1 | 3,47 | °C/W | ||
| TO-252 | 2,5 | °C/W | ||
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TJ = 25°С, sauf indication contraire)
| PARAMÈTRE | SYMBOLE | CONDITIONS D'ESSAI | MINUTE | TYPE | Max | UNITÉ | |
| OUTRE DES CARACTÉRISTIQUES | |||||||
| Tension claque de Drain-source | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 600 | V | |||
| Courant de fuite de Drain-source | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | 1 | μA | |||
| Courant de fuite de Porte-source | En avant | IGSS | VGS=30V, VDS=0V | 100 | Na | ||
| Inverse | VGS=-30V, VDS=0V | -100 | |||||
| SUR DES CARACTÉRISTIQUES | |||||||
| Tension de seuil de porte | VGS (TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2,0 | 4,0 | V | ||
| Résistance statique de Sur-état de Drain-source | LE RDS (DESSUS) | VGS=10V, ID=2.5A | 2,5 | Ω | |||
| CARACTÉRISTIQUES DYNAMIQUES | |||||||
| Capacité d'entrée | CISS |
VGS=0V, V DS=25V, f=1.0MHz |
480 | PF | |||
| Capacité de sortie | COSS | 60 | PF | ||||
| Capacité inverse de transfert | CRSS | 6,5 | PF | ||||
| CARACTÉRISTIQUES DE COMMUTATION | |||||||
| Charge totale de porte (note 1) | QG | VDS=50V, ID=1.3A, VGS=10V IG=100μA (note 1, 2) | 46 | OR | |||
| Porte à la charge de source | QGS | 4,6 | OR | ||||
| Porte pour vidanger la charge | QGD | 6,0 | OR | ||||
| Temps de retard d'ouverture (note 1) | le TD (DESSUS) |
VDD=30V, VGS=10V, ID=0.5A, RG=25Ω (note 1, 2) |
42 | NS | |||
| Temps de montée | tR | 44 | NS | ||||
| Temps de retard d'arrêt | le TD () | 120 | NS | ||||
| Chute-Time | tF | 38 | NS | ||||
| ESTIMATIONS ET CARACTÉRISTIQUES DE DIODE DE DRAIN DE SOURCE | |||||||
| Courant continu de Corps-diode maximum | IS | 5 | A | ||||
| La Corps-diode maximum a palpité courant | ISM | 20 | A | ||||
| Tension en avant de diode de Drain-source (note 1) | VSD | IS=5.0A, VGS=0V | 1,4 | V | |||
| Temps de rétablissement d'inverse de diode de corps (note 1) | trr |
IS=5.0A, VGS=0V, DiF/dt=100A/μs |
390 | NS | |||
| Charge de récupération d'inverse de diode de corps | Qrr | 1,6 | μC | ||||
Notes : 1. essai d'impulsion : ≤ 300µs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.
Personne à contacter: David
