Aperçu Produitstransistor de puissance de transistor MOSFET

Inscription équivalente de divers de transistor MOSFET de puissance du transistor 6N60 Z 6.2A 600V amplificateur de radio

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

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Inscription équivalente de divers de transistor MOSFET de puissance du transistor 6N60 Z 6.2A 600V amplificateur de radio

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Inscription équivalente de divers de transistor MOSFET de puissance du transistor 6N60 Z 6.2A 600V amplificateur de radio

Image Grand :  Inscription équivalente de divers de transistor MOSFET de puissance du transistor 6N60 Z 6.2A 600V amplificateur de radio

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: 6N60
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000-2000 PCs
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Inscription équivalente de divers de transistor MOSFET de puissance du transistor 6N60 Z 6.2A 600V amplificateur de radio

description de
Nom du produit: transistor de puissance de transistor MOSFET Application: Gestion de puissance
D'entité: L'excellent RDS (dessus) Transistor de transistor MOSFET de puissance: Transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration
Numéro de modèle: 6N60
Surligner:

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

transistor à haute tension

transistor MOSFET de PUISSANCE de N-CANAL de 6N60 Z 6.2A 600V

 

DESCRIPTION

L'UTC 6N60Z est un transistor MOSFET à haute tension de puissance et est conçu pour avoir de meilleures caractéristiques, telles que le temps rapide de commutation, la basse charge de porte, la basse résistance de sur-état et les caractéristiques rocailleuses élevées d'avalanche. Ce transistor MOSFET de puissance est habituellement utilisé aux applications à grande vitesse de commutation dans des alimentations et des adaptateurs d'énergie de commutation.

 

 

CARACTÉRISTIQUES

RDS(DESSUS)< 1=""> GS = 10V, ID = 3.1A

* capacité rapide de commutation

* énergie d'avalanche examinée

* capacité améliorée de dv/dt, rugosité élevée

 

Inscription équivalente de divers de transistor MOSFET de puissance du transistor 6N60 Z 6.2A 600V amplificateur de radio 0

 

 

Inscription équivalente de divers de transistor MOSFET de puissance du transistor 6N60 Z 6.2A 600V amplificateur de radio 1

L'INFORMATION DE COMMANDE

Numéro de commande Paquet Tâche de Pin Emballage
Sans plomb L'halogène libèrent   1 2 3  
6N60ZL-TF3-T 6N60ZG-TF3-T TO-220F G D S Tube

 

 

Note : Tâche de Pin : G : Porte D : Drain S : Source

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CAPACITÉS ABSOLUES (TC = 25°С, sauf indication contraire)

 

PARAMÈTRE SYMBOLE ESTIMATIONS UNITÉ
Tension de Drain-source VDSS 600 V
Tension de Porte-source VGSS ±20 V
Courant d'avalanche (note 2) IAR 6,2 A
Courant continu de drain ID 6,2 A
Courant pulsé de drain (note 2) IDM 24,8 A
Énergie d'avalanche Choisissez pulsé (note 3) EAS 252 MJ
Répétitif (note 2) OREILLE 13 MJ
Récupération maximale de diode dv/dt (note 4) dv/dt 4,5 NS
Dissipation de puissance PD 40 W
La température de jonction TJ +150 °C
Température de fonctionnement TOPR -55 | +150 °C
Température de stockage TSTG -55 | +150 °C

Notes : 1. les capacités absolues sont ces valeurs au delà dont le dispositif pourrait être de manière permanente endommagé.

Les capacités absolues sont des estimations d'effort seulement et l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée.

4. Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.

5. L = 84mH, ICOMME =1.4A, Vdensité double = 50V, RG = Ω 25 commençant TJ = 25°C

6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, densité double ≤BVSAD d'écart-typede V, commençant TJ = 25°C

DONNÉES THERMIQUES

PARAMÈTRE SYMBOLE ÉVALUATION UNITÉ
Jonction à ambiant θJA 62,5 °C/W
Jonction au cas θJC 3,2 °C/W

 

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TJ = 25°С, sauf indication contraire)

 

 

PARAMÈTRE SYMBOLE CONDITIONS D'ESSAI MINUTE TYPE Max UNITÉ
OUTRE DES CARACTÉRISTIQUES
Tension claque de Drain-source BVDSS VGS = 0V, ID = 250μA 600     V

 

Courant de fuite de Drain-source

 

IDSS

VDS = 600V, VGS = 0V     10 μA
VDS = 480V, VGS = 0V, TJ=125°C     100 μA
Courant de fuite de source de porte En avant IGSS VGS = 20V, VDS = 0V     10 μA
Inverse VGS = -20V, VDS = 0V     -10 μA
Coefficient de température de tension claque △BVDSS/△TJ ID=250μA, référencé à 25°C   0,53   V/°C
SUR DES CARACTÉRISTIQUES
Tension de seuil de porte VGS (TH) VDS = VGS, ID = 250μA 2,0   4,0 V
Résistance statique de Sur-état de Drain-source LE RDS (DESSUS) VGS = 10V, ID = 3.1A   1,4 1,75
CARACTÉRISTIQUES DYNAMIQUES
Capacité d'entrée CISS VDS=25V, VGS=0V, f=1.0 mégahertz   770 1000 PF
Capacité de sortie COSS   95 120 PF
Capacité inverse de transfert CRSS   10 13 PF
CARACTÉRISTIQUES DE COMMUTATION
Temps de retard d'ouverture le TD (DESSUS)

VGS=0~10V, VDD=30V, ID =0.5A, RG =25Ω

(Note 1, 2)

  45 60 NS
Temps de montée d'ouverture tR   95 110 NS
Temps de retard d'arrêt le TD ()   185 200 NS
Temps d'arrêt d'automne tF   110 125 NS
Charge totale de porte QG VGS=10V, VDD=50V, ID=1.3A IG=100μA (note 1, 2)   32,8   OR
Charge de Porte-source QGS   7,0   OR
Charge de Porte-drain QGD   9,8   OR
CARACTÉRISTIQUES DE DIODE DE DRAIN-SOURCE ET ESTIMATIONS MAXIMUM
Tension en avant de diode de Drain-source VSD VGS = 0 V, IS = 6,2 A     1,4 V
La diode continue maximum de Drain-source expédient le courant IS       6,2 A

Le maximum a palpité diode de Drain-source

Courant en avant

ISM       24,8 A
Temps de rétablissement inverse trr

VGS = 0 V, IS = 6,2 A,

DiF/dt = 100 A/μs (note 1)

  290   NS
Charge inverse de récupération QRR   2,35   μC


Essentiellement indépendant de température de fonctionnement. Notes : 1. essai d'impulsion : ≤ 300µs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.

 

Inscription équivalente de divers de transistor MOSFET de puissance du transistor 6N60 Z 6.2A 600V amplificateur de radio 4Inscription équivalente de divers de transistor MOSFET de puissance du transistor 6N60 Z 6.2A 600V amplificateur de radio 5

 

 

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