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Détails sur le produit:
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| Nom du produit: | transistor de puissance de transistor MOSFET | Application: | Gestion de puissance |
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| D'entité: | L'excellent RDS (dessus) | Transistor de transistor MOSFET de puissance: | Transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration |
| Numéro de modèle: | 10N60 | ||
| Surligner: | transistor de transistor MOSFET de canal de n,transistor à haute tension |
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transistor MOSFET de PUISSANCE de 10N60 K-MTQ 10A 600VN-CHANNEL
DESCRIPTION
L'UTC 10N60K-MTQ est un transistor MOSFET à haute tension de puissance conçu pour avoir de meilleures caractéristiques, telles que le temps rapide de commutation, la basse charge de porte, la basse résistance de sur-état et les caractéristiques rocailleuses élevées d'avalanche. Ce transistor MOSFET de puissance est habituellement utilisé dans des applications à grande vitesse de commutation des alimentations et des adaptateurs d'énergie de commutation.
CARACTÉRISTIQUES
RDS(DESSUS)< 1=""> GS = 10 V, ID = 5,0 A
* capacité rapide de commutation
* énergie d'avalanche examinée
* capacité améliorée de dv/dt, rugosité élevée
| Numéro de commande | Paquet | Tâche de Pin | Emballage | |||
| Sans plomb | L'halogène libèrent | 1 | 2 | 3 | ||
| 10N60KL-TF3-T | 10N60KG-TF3-T | TO-220F | G | D | S | Tube |
| 10N60KL-TF1-T | 10N60KG-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Tube |
| 10N60KL-TF2-T | 10N60KG-TF2-T | TO-220F2 | G | D | S | Tube |
Note : Tâche de Pin : G : Porte D : Drain S : Source
CAPACITÉS ABSOLUES (TC = 25°С, sauf indication contraire)
| PARAMÈTRE | SYMBOLE | ESTIMATIONS | UNITÉ | |
| Tension de Drain-source | VDSS | 600 | V | |
| Tension de Porte-source | VGSS | ±30 | V | |
| Courant continu de drain | ID | 10 | A | |
| Courant pulsé de drain (note 2) | IDM | 40 | A | |
| Courant d'avalanche (note 2) | IAR | 8,0 | A | |
| Énergie d'avalanche | Choisissez pulsé (note 3) | EAS | 365 | MJ |
| Faites une pointe la récupération de diode dv/dt (note 4) | dv/dt | 4,5 | NS | |
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Dissipation de puissance |
TO-220 |
PD |
156 | W |
| TO-220F1 | 50 | W | ||
| TO-220F2 | 52 | W | ||
| La température de jonction | TJ | +150 | °C | |
| Température de stockage | TSTG | -55 | +150 | °C | |
Notes : 1. les capacités absolues sont ces valeurs au delà dont le dispositif pourrait être de manière permanente endommagé.
Les capacités absolues sont des estimations d'effort seulement et l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée.
4. Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
5. L = 84mH, ICOMME =1.4A, Vdensité double = 50V, RG = Ω 25 commençant TJ = 25°C
6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, densité double ≤BVSAD d'écart-typede V, commençant TJ = 25°C
| PARAMÈTRE | SYMBOLE | ÉVALUATION | UNITÉ |
| Jonction à ambiant | θJA | 62,5 | °C/W |
| Jonction au cas | θJC | 3,2 | °C/W |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TJ = 25°С, sauf indication contraire)
| PARAMÈTRE | SYMBOLE | CONDITIONS D'ESSAI | MINUTE | TYPE | Max | UNITÉ | |
| OUTRE DES CARACTÉRISTIQUES | |||||||
| Tension claque de Drain-source | BVDSS | VGS = 0V, ID = 250μA | 600 | V | |||
| Courant de fuite de Drain-source | IDSS | VDS = 600V, VGS = 0V | 10 | μA | |||
| Courant de fuite de source de porte | En avant | IGSS | VGS = 30V, VDS = 0V | 100 | Na | ||
| Inverse | VGS = -30V, VDS = 0V | -100 | Na | ||||
| SUR DES CARACTÉRISTIQUES | |||||||
| Tension de seuil de porte | VGS (TH) | VDS = VGS, ID = 250μA | 2,0 | 4,0 | V | ||
| Résistance statique de Sur-état de Drain-source | LE RDS (DESSUS) | VGS = 10V, ID = 5.0A | 1,0 | Ω | |||
| CARACTÉRISTIQUES DYNAMIQUES | |||||||
| Capacité d'entrée | CISS | VDS=25V, VGS=0V, f=1.0 mégahertz | 1120 | PF | |||
| Capacité de sortie | COSS | 120 | PF | ||||
| Capacité inverse de transfert | CRSS | 13 | PF | ||||
| CARACTÉRISTIQUES DE COMMUTATION | |||||||
| Charge totale de porte (note 1) | QG | VDS=50V, ID=1.3A, IG=100μA VGS=10V (note 1,2) | 28 | OR | |||
| Charge de Porte-source | QGS | 8 | OR | ||||
| Charge de Porte-drain | QGD | 6 | OR | ||||
| Temps de retard d'ouverture (note 1) | le TD (DESSUS) |
VDENSITÉ DOUBLE =30V, ID =0.5A, RG =25Ω, VGS=10V (note 1,2) |
80 | NS | |||
| Temps de montée d'ouverture | tR | 89 | NS | ||||
| Temps de retard d'arrêt | le TD () | 125 | NS | ||||
| Temps d'arrêt d'automne | tF | 64 | NS | ||||
| CARACTÉRISTIQUES DE DIODE DE DRAIN-SOURCE ET ESTIMATIONS MAXIMUM | |||||||
| La diode continue maximum de Drain-source expédient le courant | IS | 10 | A | ||||
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Le maximum a palpité diode de Drain-source Courant en avant |
ISM | 40 | A | ||||
| Tension en avant de diode de Drain-source (note 1) | VSD | VGS = 0 V, IS = 10 A | 1,4 | V | |||
Essentiellement indépendant de température de fonctionnement. Notes : 1. essai d'impulsion : ≤ 300µs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.
Personne à contacter: David
