|
Détails sur le produit:
|
| Nom du produit: | transistor de puissance de transistor MOSFET | Application: | Gestion de puissance |
|---|---|---|---|
| D'entité: | L'excellent RDS (dessus) | Transistor de transistor MOSFET de puissance: | Transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration |
| Numéro de modèle: | 12N10 | ||
| Surligner: | transistor de transistor MOSFET de canal de n,transistor à haute tension |
||
Transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration du N-canal HXY12N10
DESCRIPTION
Le HXY12N10 emploie la technologie et la conception avancées de fossé pour fournir à l'excellent RDS (DESSUS) la basse charge de porte. Il peut être employé dans une grande variété d'applications.
CARACTÉRISTIQUES
● VDS =100V, ID =12A
LE RDS (DESSUS) < 130m="">
Application
Application de commutation de puissance de ●
Circuits dur commutés et à haute fréquence de ●
Alimentation d'énergie non interruptible de ●
| Paramètre | Symbole | Limite | Unité |
| Tension de Drain-source | VDS | 100 | V |
| Tension de Porte-source | VGS | ±20 | V |
| Vidangez Actuel-continu | Identification | 12 | A |
| Vidangez Actuel-continu (TC=100℃) | ID (100℃) | 6,5 | A |
| Courant pulsé de drain | IDM | 38,4 | A |
| Dissipation de puissance maximum | Palladium | 30 | W |
| Sous-sollicitation du facteur | 0,2 | W/℃ | |
| Énergie simple d'avalanche d'impulsion (note 5) | EAS | 20 | MJ |
| Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | TJ, TSTG | -55 à 175 | ℃ |
Note : Tâche de Pin : G : Porte D : Drain S : Source
CAPACITÉS ABSOLUES (TC = 25°С, sauf indication contraire)
| PARAMÈTRE | SYMBOLE | ESTIMATIONS | UNITÉ | |
| Tension de Drain-source | VDSS | 600 | V | |
| Tension de Porte-source | VGSS | ±30 | V | |
| Courant continu de drain | ID | 10 | A | |
| Courant pulsé de drain (note 2) | IDM | 40 | A | |
| Courant d'avalanche (note 2) | IAR | 8,0 | A | |
| Énergie d'avalanche | Choisissez pulsé (note 3) | EAS | 365 | MJ |
| Faites une pointe la récupération de diode dv/dt (note 4) | dv/dt | 4,5 | NS | |
|
Dissipation de puissance |
TO-220 |
PD |
156 | W |
| TO-220F1 | 50 | W | ||
| TO-220F2 | 52 | W | ||
| La température de jonction | TJ | +150 | °C | |
| Température de stockage | TSTG | -55 | +150 | °C | |
Notes : 1. les capacités absolues sont ces valeurs au delà dont le dispositif pourrait être de manière permanente endommagé.
Les capacités absolues sont des estimations d'effort seulement et l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée.
4. Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
5. L = 84mH, ICOMME =1.4A, Vdensité double = 50V, RG = Ω 25 commençant TJ = 25°C
6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, densité double ≤BVSAD d'écart-typede V, commençant TJ = 25°C
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TJ = 25°С, sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Condition | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Outre des caractéristiques | ||||||
| Tension claque de Drain-source | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 100 | 110 | - | V |
| Courant zéro de drain de tension de porte | IDSS | VDS=100V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| Courant de fuite de Porte-corps | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
| Sur des caractéristiques (note 3) | ||||||
| Tension de seuil de porte | VGS (Th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1,2 | 1,8 | 2,5 | V |
| Résistance de Sur-état de Drain-source | LE RDS (DESSUS) | VGS=10V, ID =8A | 98 | 130 | Ω de m | |
| Transconductance en avant | gFS | VDS=25V, ID=6A | 3,5 | - | - | S |
| Caractéristiques dynamiques (Note4) | ||||||
| Capacité d'entrée | Clss |
VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz |
- | 690 | - | PF |
| Capacité de sortie | Coss | - | 120 | - | PF | |
| Capacité inverse de transfert | Crss | - | 90 | - | PF | |
| Caractéristiques de commutation (note 4) | ||||||
| Temps de retard d'ouverture | le TD (dessus) |
VDD=30V, ID=2A, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω |
- | 11 | - | NS |
| Temps de montée d'ouverture | tr | - | 7,4 | - | NS | |
| Temps de retard d'arrêt | le TD () | - | 35 | - | NS | |
| Temps d'arrêt d'automne | tf | - | 9,1 | - | NS | |
| Charge totale de porte | Qg |
VDS=30V, ID=3A, VGS=10V |
- | 15,5 | OR | |
| Charge de Porte-source | Qgs | - | 3,2 | - | OR | |
| Charge de Porte-drain | Qgd | - | 4,7 | - | OR | |
| Caractéristiques de diode de Drain-source | ||||||
| Tension en avant de diode (note 3) | VSD | VGS=0V, IS=9.6A | - | - | 1,2 | V |
| Courant en avant de diode (note 2) | IS | - | - | 9,6 | A | |
| Temps de rétablissement inverse | trr |
TJ = 25°C, SI =9.6A di/dt = 100A/μs(Note3) |
- | 21 | NS | |
| Charge inverse de récupération | Qrr | - | 97 | OR | ||
| Temps d'ouverture en avant | tonne | Le temps d'ouverture intrinsèque est négligeable (la mise en fonction est dominée par LS+LD) | ||||
Essentiellement indépendant de température de fonctionnement. Notes : 1. essai d'impulsion : ≤ 300µs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.
Personne à contacter: David
