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Détails sur le produit:
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| Nom du produit: | transistor de puissance de transistor MOSFET | Application: | Gestion de puissance |
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| D'entité: | L'excellent RDS (dessus) | Transistor de transistor MOSFET de puissance: | Transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration |
| Numéro de modèle: | 12N60 | Type: | transistor de transistor MOSFET de canal de n |
| Surligner: | transistor de transistor MOSFET de canal de n,transistor à haute tension |
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Transistor de transistor MOSFET de la Manche d'OEM N, petit mode d'amélioration de commutateur électrique de transistor MOSFET
DESCRIPTION de transistor de transistor MOSFET de la Manche de N
L'UTC 12N60-C est un transistor MOSFET à haute tension de puissance conçu pour avoir de meilleures caractéristiques, telles que le temps rapide de commutation, la basse charge de porte, la basse résistance de sur-état et les caractéristiques rocailleuses élevées d'avalanche. Ce transistor MOSFET de puissance est habituellement utilisé dans des applications à grande vitesse de commutation des alimentations et des adaptateurs d'énergie de commutation.
CARACTÉRISTIQUES de transistor de transistor MOSFET de la Manche de N
* RDS(DESSUS)< 0=""> GS = 10 V, ID = 6,0 A
* capacité rapide de commutation
* énergie d'avalanche examinée
* capacité améliorée de dv/dt, rugosité élevée
| Numéro de commande | Paquet | Tâche de Pin | Emballage | |||
| Sans plomb | L'halogène libèrent | 1 | 2 | 3 | ||
| 12N60L-TF1-T | 12N60G-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Tube |
| 12N60L-TF3-T | 12N60G-TF3-T | TO-220F | G | D | S | Tube |
Note : Tâche de Pin : G : Porte D : Drain S : Source
CAPACITÉS ABSOLUES (TC = 25°С, sauf indication contraire)
| PARAMÈTRE | SYMBOLE | CONDITIONS D'ESSAI | MINUTE | TYPE | Max | UNI T | |
| OUTRE DES CARACTÉRISTIQUES | |||||||
| Tension claque de Drain-source | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 600 | V | |||
| Courant de fuite de Drain-source | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | 1 | μA | |||
| Courant de fuite de source de porte | En avant | IGSS | VGS=30V, VDS=0V | 100 | Na | ||
| Inverse | VGS=-30V, VDS=0V | -100 | Na | ||||
| SUR DES CARACTÉRISTIQUES | |||||||
| Tension de seuil de porte | VGS (TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2,0 | 4,0 | V | ||
| Résistance statique de Sur-état de Drain-source | LE RDS (DESSUS) | VGS=10V, ID=6.0A | 0,7 | Ω | |||
| CARACTÉRISTIQUES DYNAMIQUES | |||||||
| Capacité d'entrée | CISS |
VGS=0V, VDS=25V, f =1.0 mégahertz |
1465 | PF | |||
| Capacité de sortie | COSS | 245 | PF | ||||
| Capacité inverse de transfert | CRSS | 57 | PF | ||||
| CARACTÉRISTIQUES DE COMMUTATION | |||||||
| Charge totale de porte (note 1) | QG | VDS=50V, ID=1.3A, IG=100μA VGS=10V (note 1,2) | 144 | OR | |||
| Charge de Porte-source | QGS | 10 | OR | ||||
| Charge de Porte-drain | QGD | 27 | OR | ||||
| Temps de retard d'ouverture (note 1) | le TD (DESSUS) |
VDENSITÉ DOUBLE =30V, ID =0.5A, RG =25Ω, VGS=10V (note 1,2) |
81 | NS | |||
| Temps de montée d'ouverture | tR | 152 | NS | ||||
| Temps de retard d'arrêt | le TD () | 430 | NS | ||||
| Temps d'arrêt d'automne | tF | 215 | NS | ||||
| CARACTÉRISTIQUES DE DIODE DE DRAIN-SOURCE ET ESTIMATIONS MAXIMUM | |||||||
| La diode continue maximum de Drain-source expédient le courant | IS | 12 | A | ||||
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Le maximum a palpité diode de Drain-source Courant en avant |
ISM | 48 | A | ||||
| Tension en avant de diode de Drain-source | VSD | VGS=0 V, IS=6.0 A | 1,4 | V | |||
| Temps de rétablissement inverse | trr |
VGS=0 V, IS=6.0 A, DiF/dt=100 A/μs (note 1) |
336 | NS | |||
| Charge inverse de récupération | Qrr | 2,21 | μC | ||||
Notes : 1. les capacités absolues sont ces valeurs au delà dont le dispositif pourrait être de manière permanente endommagé.
Les capacités absolues sont des estimations d'effort seulement et l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée.
4. Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
5. L = 84mH, ICOMME =1.4A, Vdensité double = 50V, RG = Ω 25 commençant TJ = 25°C
6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, densité double ≤BVSAD d'écart-typede V, commençant TJ = 25°C
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TJ = 25°С, sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Condition | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Outre des caractéristiques | ||||||
| Tension claque de Drain-source | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 100 | 110 | - | V |
| Courant zéro de drain de tension de porte | IDSS | VDS=100V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| Courant de fuite de Porte-corps | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
| Sur des caractéristiques (note 3) | ||||||
| Tension de seuil de porte | VGS (Th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1,2 | 1,8 | 2,5 | V |
| Résistance de Sur-état de Drain-source | LE RDS (DESSUS) | VGS=10V, ID =8A | 98 | 130 | Ω de m | |
| Transconductance en avant | gFS | VDS=25V, ID=6A | 3,5 | - | - | S |
| Caractéristiques dynamiques (Note4) | ||||||
| Capacité d'entrée | Clss |
VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz |
- | 690 | - | PF |
| Capacité de sortie | Coss | - | 120 | - | PF | |
| Capacité inverse de transfert | Crss | - | 90 | - | PF | |
| Caractéristiques de commutation (note 4) | ||||||
| Temps de retard d'ouverture | le TD (dessus) |
VDD=30V, ID=2A, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω |
- | 11 | - | NS |
| Temps de montée d'ouverture | tr | - | 7,4 | - | NS | |
| Temps de retard d'arrêt | le TD () | - | 35 | - | NS | |
| Temps d'arrêt d'automne | tf | - | 9,1 | - | NS | |
| Charge totale de porte | Qg |
VDS=30V, ID=3A, VGS=10V |
- | 15,5 | OR | |
| Charge de Porte-source | Qgs | - | 3,2 | - | OR | |
| Charge de Porte-drain | Qgd | - | 4,7 | - | OR | |
| Caractéristiques de diode de Drain-source | ||||||
| Tension en avant de diode (note 3) | VSD | VGS=0V, IS=9.6A | - | - | 1,2 | V |
| Courant en avant de diode (note 2) | IS | - | - | 9,6 | A | |
| Temps de rétablissement inverse | trr |
TJ = 25°C, SI =9.6A di/dt = 100A/μs(Note3) |
- | 21 | NS | |
| Charge inverse de récupération | Qrr | - | 97 | OR | ||
| Temps d'ouverture en avant | tonne | Le temps d'ouverture intrinsèque est négligeable (la mise en fonction est dominée par LS+LD) | ||||
Essentiellement indépendant de température de fonctionnement. Notes : 1. essai d'impulsion : ≤ 300µs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.
Personne à contacter: David
