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Détails sur le produit:
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| Nom du produit: | transistor de puissance de transistor MOSFET | Application: | Gestion de puissance |
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| D'entité: | L'excellent RDS (dessus) | Transistor de transistor MOSFET de puissance: | Transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration |
| Numéro de modèle: | 13P10D | ||
| Surligner: | transistor de transistor MOSFET de canal de n,transistor à haute tension |
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Le transistor de puissance de transistor MOSFET de 13P10D -100V pour la gestion ESD de puissance a protesté
DESCRIPTION
Le 13P10D emploie la technologie et la conception avancées de fossé pour fournir à l'excellent RDS (DESSUS) le bas gat
charge d'e. Elle peut être employée dans une grande variété d'applications. C'est ESD protesté.
CARACTÉRISTIQUES
VDS =-100V, IDENTIFICATION =-13A
LE RDS (DESSUS) <170m>
Technologie transformatrice de haut de cellules fossé avancé dense superbe de conception fiable et rocailleuse
Celldesign à haute densité pour la sur-résistance très réduite
Application
Convertisseurs du commutateur électrique DC/DC
Inscription et information de commande de paquet
| Identité de produit | Paquet | Repérage | Quantité (PCS) |
| 13P10D | TO-252 | 13P10D YYWW | 2500 |
Caractéristique thermique
| Résistance thermique, Jonction-à-cas (note 2) | RθJc | 3,13 | ℃/W |
CAPACITÉS ABSOLUES (TC = 25°С, sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Limite | Unité |
| Tension de Drain-source | VDS | -100 | V |
| Tension de Porte-source | VGS | ±20 | V |
| Vidangez Actuel-continu | Identification | -13 | A |
| Vidangez Actuel-continu (TC=100℃) | Identification (100℃) | -9,2 | A |
| Courant pulsé de drain | IDM | -30 | A |
| Dissipation de puissance maximum | Palladium | 40 | W |
| Sous-sollicitation du facteur | 0,32 | W/℃ | |
| Énergie simple d'avalanche d'impulsion (note 5) | EAS | 110 | MJ |
| Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | TJ, TSTG | -55 à 150 | ℃ |
Notes : 1. les capacités absolues sont ces valeurs au delà dont le dispositif pourrait être de manière permanente endommagé.
Les capacités absolues sont des estimations d'effort seulement et l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée.
4. Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
5. L = 84mH, ICOMME =1.4A, Vdensité double = 50V, RG = Ω 25 commençant TJ = 25°C
6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, densité double ≤BVSAD d'écart-typede V, commençant TJ = 25°C
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TJ = 25°С, sauf indication contraire)
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Essentiellement indépendant de température de fonctionnement. Notes : 1. essai d'impulsion : ≤ 300µs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.
Personne à contacter: David
