Aperçu Produitstransistor de puissance de transistor MOSFET

Commutateur puissant 2N60 TO-220F de transistor MOSFET de la Manche du transistor de niveau de logique/N

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

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Commutateur puissant 2N60 TO-220F de transistor MOSFET de la Manche du transistor de niveau de logique/N

Commutateur puissant 2N60 TO-220F de transistor MOSFET de la Manche du transistor de niveau de logique/N
Commutateur puissant 2N60 TO-220F de transistor MOSFET de la Manche du transistor de niveau de logique/N Commutateur puissant 2N60 TO-220F de transistor MOSFET de la Manche du transistor de niveau de logique/N

Image Grand :  Commutateur puissant 2N60 TO-220F de transistor MOSFET de la Manche du transistor de niveau de logique/N

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: 2N60- TO-220F
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: négociation
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Commutateur puissant 2N60 TO-220F de transistor MOSFET de la Manche du transistor de niveau de logique/N

description de
Nom du produit: Transistor de niveau de logique Caractéristiques: Puissant
Numéro de modèle: 2N60- TO-220F tension de Drain-source: 600v
Tension de Porte-Source: ± 30V Type: Commutateur de transistor MOSFET de la Manche de N
Surligner:

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

transistor à haute tension

Commutateur puissant 2N60 TO-220F de transistor MOSFET de la Manche du transistor de niveau de logique/N
 
DESCRIPTION de niveau de transistor de logique
 
L'UTC 2N60-TC3 est un transistor MOSFET à haute tension de puissance et est conçu pour avoir de meilleures caractéristiques, telles que le temps rapide de commutation, la basse charge de porte, basse résistance de sur-état et pour avoir des caractéristiques rocailleuses élevées d'une avalanche. Ce transistor MOSFET de puissance est habituellement utilisé aux applications à grande vitesse de commutation dans des contrôles d'alimentations d'énergie, de moteur de PWM, Efficace élevé des convertisseurs continu-continu Et des montages en pont.
 
CARACTÉRISTIQUES de niveau de transistor de logique
 
* vitesse de commutation élevée du RDS < 7="">(DESSUS) *
 
SYMBOLE de niveau de transistor de logique
Commutateur puissant 2N60 TO-220F de transistor MOSFET de la Manche du transistor de niveau de logique/N 0
L'INFORMATION DE COMMANDE

Numéro de commande

Paquet

Tâche de Pin

Emballage

Sans plomb

L'halogène libèrent

1

2

3

2N60L-TF1-T

2N60G-TF1-T

TO-220F1

G

D

S

Tube

2N60L-TF3-T

2N60G-TF3-T

TO-220F

G

D

S

Tube

2N60L-TM3-T

2N60G-TM3-T

TO-251

G

D

S

Tube


Note : Tâche de Pin : G : Porte D : Drain S : Source
 
Commutateur puissant 2N60 TO-220F de transistor MOSFET de la Manche du transistor de niveau de logique/N 1
REPÉRAGE
Commutateur puissant 2N60 TO-220F de transistor MOSFET de la Manche du transistor de niveau de logique/N 2
CAPACITÉS ABSOLUES (comité technique = 25°С, sauf indication contraire)
 

PARAMÈTRE

SYMBOLE

ESTIMATIONS

UNITÉ

Tension de Drain-source

VDSS

600

V

Tension de Porte-source

VGSS

± 30

V

Vidangez le courant

Continu

Identification

2

A

Pulsé (note 2)

IDM

4

A

Énergie d'avalanche

Choisissez pulsé (note 3)

EAS

84

MJ

Faites une pointe la récupération de diode dv/dt (note 4)

dv/dt

4,5

V/ns

Dissipation de puissance

TO-220F/TO-220F1

Palladium

23

W

TO-251

44

W

La température de jonction

TJ

+150

°C

Température de stockage

TSTG

-55 | +150

°C

Notes : 1. les capacités absolues sont ces valeurs au delà dont le dispositif pourrait être de manière permanente endommagé.
Les capacités absolues sont des estimations d'effort seulement et l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée.

  1. Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.

  2. L = 84mH, IAS =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 commençant TJ = 25°C

  3. ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, VDD ≤BVDSS d'ISD, commençant TJ = 25°C

DONNÉES THERMIQUES
 

PARAMÈTRE

SYMBOLE

ESTIMATIONS

UNITÉ

Jonction à ambiant

TO-220F/TO-220F1

θJA

62,5

°C/W

TO-251

100

°C/W

Jonction au cas

TO-220F/TO-220F1

θJC

5,5

°C/W

TO-251

2,87

°C/W

 
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TJ = 25°С, sauf indication contraire)
 

PARAMÈTRE

SYMBOLE

CONDITIONS D'ESSAI

MINUTE

TYPE

Max

UNITÉ

OUTRE DES CARACTÉRISTIQUES

Tension claque de Drain-source

BVDSS

VGS=0V, ID= 250μA

600

 

 

V

Courant de fuite de Drain-source

IDSS

VDS=600V, VGS=0V

 

 

1

µA

Courant de fuite de Porte-source

En avant

IGSS

VGS=30V, VDS=0V

 

 

100

Na

Inverse

VGS=-30V, VDS=0V

 

 

-100

Na

SUR DES CARACTÉRISTIQUES

Tension de seuil de porte

VGS (TH)

VDS=VGS, ID=250μA

2,0

 

4,0

V

Résistance statique de Sur-état de Drain-source

LE RDS (DESSUS)

VGS=10V, ID=1.0A

 

 

7,0

CARACTÉRISTIQUES DYNAMIQUES

Capacité d'entrée

CISS

 
VGS=0V, VDS=25V, f=1.0 mégahertz

 

190

 

PF

Capacité de sortie

COSS

 

28

 

PF

Capacité inverse de transfert

CRSS

 

2

 

PF

CARACTÉRISTIQUES DE COMMUTATION

Charge totale de porte (note 1)

QG

VDS=200V, VGS=10V, ID=2.0A IG=1mA (note 1, 2)

 

7

 

OR

Charge de Gateource

QGS

 

2,9

 

OR

Charge de Porte-drain

QGD

 

1,9

 

OR

Temps de retard d'ouverture (note 1)

le TD (DESSUS)

 
VDS=300V, VGS=10V, ID=2.0A, RG=25Ω (note 1, 2)

 

4

 

NS

Temps de montée

TR

 

16

 

NS

Temps de retard d'arrêt

le TD ()

 

16

 

NS

Chute-Time

tF

 

19

 

NS

ESTIMATIONS ET CARACTÉRISTIQUES DE DIODE DE DRAIN DE SOURCE

Courant continu de Corps-diode maximum

EST

 

 

 

2

A

La Corps-diode maximum a palpité courant

ISM

 

 

 

8

A

Tension en avant de diode de Drain-source (note 1)

VSD

VGS=0V, IS=2.0A

 

 

1,4

V

Temps de rétablissement inverse (note 1)

trr

VGS=0V, IS=2.0A,
dIF/dt=100A/µs (Note1)

 

232

 

NS

Charge inverse de récupération

Qrr

 

1,1

 

µC

Notes : 1. essai d'impulsion : ≤ 300µs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.
   Essentiellement indépendant de température de fonctionnement.
 
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