Détails sur le produit:
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Nom du produit: | Transistor de niveau de logique | Caractéristiques: | Puissant |
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Numéro de modèle: | 2N60- TO-220F | tension de Drain-source: | 600v |
Tension de Porte-Source: | ± 30V | Type: | Commutateur de transistor MOSFET de la Manche de N |
Surligner: | transistor de transistor MOSFET de canal de n,transistor à haute tension |
Commutateur puissant 2N60 TO-220F de transistor MOSFET de la Manche du transistor de niveau de logique/N
DESCRIPTION de niveau de transistor de logique
L'UTC 2N60-TC3 est un transistor MOSFET à haute tension de puissance et est conçu pour avoir de meilleures caractéristiques, telles que le temps rapide de commutation, la basse charge de porte, basse résistance de sur-état et pour avoir des caractéristiques rocailleuses élevées d'une avalanche. Ce transistor MOSFET de puissance est habituellement utilisé aux applications à grande vitesse de commutation dans des contrôles d'alimentations d'énergie, de moteur de PWM, Efficace élevé des convertisseurs continu-continu Et des montages en pont.
CARACTÉRISTIQUES de niveau de transistor de logique
* vitesse de commutation élevée du RDS < 7="">(DESSUS) *
SYMBOLE de niveau de transistor de logique
L'INFORMATION DE COMMANDE
Numéro de commande | Paquet | Tâche de Pin | Emballage | |||
Sans plomb | L'halogène libèrent | 1 | 2 | 3 | ||
2N60L-TF1-T | 2N60G-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Tube |
2N60L-TF3-T | 2N60G-TF3-T | TO-220F | G | D | S | Tube |
2N60L-TM3-T | 2N60G-TM3-T | TO-251 | G | D | S | Tube |
Note : Tâche de Pin : G : Porte D : Drain S : Source
REPÉRAGE
CAPACITÉS ABSOLUES (comité technique = 25°С, sauf indication contraire)
PARAMÈTRE | SYMBOLE | ESTIMATIONS | UNITÉ | |
Tension de Drain-source | VDSS | 600 | V | |
Tension de Porte-source | VGSS | ± 30 | V | |
Vidangez le courant | Continu | Identification | 2 | A |
Pulsé (note 2) | IDM | 4 | A | |
Énergie d'avalanche | Choisissez pulsé (note 3) | EAS | 84 | MJ |
Faites une pointe la récupération de diode dv/dt (note 4) | dv/dt | 4,5 | V/ns | |
Dissipation de puissance | TO-220F/TO-220F1 | Palladium | 23 | W |
TO-251 | 44 | W | ||
La température de jonction | TJ | +150 | °C | |
Température de stockage | TSTG | -55 | +150 | °C |
Notes : 1. les capacités absolues sont ces valeurs au delà dont le dispositif pourrait être de manière permanente endommagé.
Les capacités absolues sont des estimations d'effort seulement et l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée.
Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
L = 84mH, IAS =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 commençant TJ = 25°C
≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, VDD ≤BVDSS d'ISD, commençant TJ = 25°C
DONNÉES THERMIQUES
PARAMÈTRE | SYMBOLE | ESTIMATIONS | UNITÉ | |
Jonction à ambiant | TO-220F/TO-220F1 | θJA | 62,5 | °C/W |
TO-251 | 100 | °C/W | ||
Jonction au cas | TO-220F/TO-220F1 | θJC | 5,5 | °C/W |
TO-251 | 2,87 | °C/W |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TJ = 25°С, sauf indication contraire)
PARAMÈTRE | SYMBOLE | CONDITIONS D'ESSAI | MINUTE | TYPE | Max | UNITÉ | |
OUTRE DES CARACTÉRISTIQUES | |||||||
Tension claque de Drain-source | BVDSS | VGS=0V, ID= 250μA | 600 |
|
| V | |
Courant de fuite de Drain-source | IDSS | VDS=600V, VGS=0V |
|
| 1 | µA | |
Courant de fuite de Porte-source | En avant | IGSS | VGS=30V, VDS=0V |
|
| 100 | Na |
Inverse | VGS=-30V, VDS=0V |
|
| -100 | Na | ||
SUR DES CARACTÉRISTIQUES | |||||||
Tension de seuil de porte | VGS (TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2,0 |
| 4,0 | V | |
Résistance statique de Sur-état de Drain-source | LE RDS (DESSUS) | VGS=10V, ID=1.0A |
|
| 7,0 | Ω | |
CARACTÉRISTIQUES DYNAMIQUES | |||||||
Capacité d'entrée | CISS | |
| 190 |
| PF | |
Capacité de sortie | COSS |
| 28 |
| PF | ||
Capacité inverse de transfert | CRSS |
| 2 |
| PF | ||
CARACTÉRISTIQUES DE COMMUTATION | |||||||
Charge totale de porte (note 1) | QG | VDS=200V, VGS=10V, ID=2.0A IG=1mA (note 1, 2) |
| 7 |
| OR | |
Charge de Gateource | QGS |
| 2,9 |
| OR | ||
Charge de Porte-drain | QGD |
| 1,9 |
| OR | ||
Temps de retard d'ouverture (note 1) | le TD (DESSUS) | |
| 4 |
| NS | |
Temps de montée | TR |
| 16 |
| NS | ||
Temps de retard d'arrêt | le TD () |
| 16 |
| NS | ||
Chute-Time | tF |
| 19 |
| NS | ||
ESTIMATIONS ET CARACTÉRISTIQUES DE DIODE DE DRAIN DE SOURCE | |||||||
Courant continu de Corps-diode maximum | EST |
|
|
| 2 | A | |
La Corps-diode maximum a palpité courant | ISM |
|
|
| 8 | A | |
Tension en avant de diode de Drain-source (note 1) | VSD | VGS=0V, IS=2.0A |
|
| 1,4 | V | |
Temps de rétablissement inverse (note 1) | trr | VGS=0V, IS=2.0A, |
| 232 |
| NS | |
Charge inverse de récupération | Qrr |
| 1,1 |
| µC |
Notes : 1. essai d'impulsion : ≤ 300µs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.
Essentiellement indépendant de température de fonctionnement.
Personne à contacter: David