Aperçu Produitstransistor de puissance de transistor MOSFET

Commutation de circuit du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N 2A 600V pour la commande de LED

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Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Commutation de circuit du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N 2A 600V pour la commande de LED

Commutation de circuit du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N 2A 600V pour la commande de LED
Commutation de circuit du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N 2A 600V pour la commande de LED

Image Grand :  Commutation de circuit du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N 2A 600V pour la commande de LED

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: 5N20DY TO-252
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: négociation
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Commutation de circuit du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N 2A 600V pour la commande de LED

description de
Nom du produit: transistor de puissance de transistor MOSFET Type: La Manche de N
Numéro de modèle: 5N20DY TO-252 tension de Drain-source: 200 V
Tension de Porte-Source: ±20V Applications: Commande de LED
Surligner:

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

transistor à haute tension

Commutation de circuit du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N 2A 600V pour la commande de LED

 

Description de transistor de puissance de transistor MOSFET

 

Le fossé avancé d'utilisations d'AP50N20D

technologie pour fournir l'excellent RDS (DESSUS) et la basse charge de porte.

Les transistors MOSFET complémentaires peuvent être utilisés pour former un commutateur latéral élevé décalé par niveau, et pour un centre serveur d'autre

 

Caractéristiques générales de transistor de puissance de transistor MOSFET


V DS =200V, I D =5A
R DS (DESSUS) <520m>

 

Application de transistor de puissance de transistor MOSFET

 

Commutation de charge

Dur commuté et la haute fréquence fait le tour de l'alimentation d'énergie non interruptible

 

Inscription et information de commande de paquet

 

Identité de produit Paquet Repérage Quantité (PCS)
5N20D TO-252 5N20D 3000
5N20Y TO-251 5N20Y 4000

 

Capacités absolues (TA=25℃ sauf indication contraire)

 

Paramètre Symbole Limite Unité
Tension de Drain-source VDS 200 V
Tension de Porte-source VGS ±20 V
Vidangez Actuel-continu Identification 5 A
Vidangez Actuel-pulsé (note 1) IDM 20 A
Dissipation de puissance maximum Palladium 30 W
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage TJ, TSTG -55 à 150

 

Caractéristique thermique

 

Résistance thermique, Jonction-à-ambiante (note 2) RθJA 4,17 ℃/W

 

Caractéristiques électriques (TA=25℃ sauf indication contraire)

 

Paramètre Symbole Condition Minute Type Maximum Unité
Outre des caractéristiques
Tension claque de Drain-source BVDSS VGS=0V ID=250μA 200 - - V
Courant zéro de drain de tension de porte IDSS VDS=200V, VGS=0V - - 1 μA
Courant de fuite de Porte-corps IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 Na
Sur des caractéristiques (note 3)
Tension de seuil de porte VGS (Th) VDS=VGS, ID=250μA 1,2 1,7 2,5 V
Résistance de Sur-état de Drain-source LE RDS (DESSUS) VGS=10V, ID=2A - 520 580 mΩ
Transconductance en avant gFS VDS=15V, ID=2A - 8 - S
Caractéristiques dynamiques (Note4)
Capacité d'entrée Clss

 

VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz

- 580 - PF
Capacité de sortie Coss - 90 - PF
Capacité inverse de transfert Crss - 3 - PF
Caractéristiques de commutation (note 4)
Temps de retard d'ouverture le TD (dessus)

 

VDD=100V, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω

- 10 - NS
Temps de montée d'ouverture TR - 12 - NS
Temps de retard d'arrêt le TD () - 15 - NS
Temps d'arrêt d'automne tf - 15 - NS
Charge totale de porte Qg

 

VDS=100V, ID=2A, VGS=10V

- 12   OR
Charge de Porte-source Qgs - 2,5 - OR
Charge de Porte-drain Qgd - 3,8 - OR
Caractéristiques de diode de Drain-source
Tension en avant de diode (note 3) VSD VGS=0V, IS=2A - - 1,2 V
Courant en avant de diode (note 2) EST   - - 5 A

 

Notes :

  1. Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
  2. Surface montée sur FR4 le panneau, sec du ≤ 10 de t.
  3. Essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.
  4. Garanti par conception, pas sujet à la production

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Symbole

Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
Minimal. Maximum. Minimal. Maximum.
A 2,200 2,400 0,087 0,094
A1 0,000 0,127 0,000 0,005
b 0,660 0,860 0,026 0,034
c 0,460 0,580 0,018 0,023
D 6,500 6,700 0,256 0,264
D1 5,100 5,460 0,201 0,215
D2 0,483 TYPES. 0,190 TYPES.
E 6,000 6,200 0,236 0,244
e 2,186 2,386 0,086 0,094
L 9,800 10,400 0,386 0,409
L1 2,900 TYPE. 0,114 TYPES.
L2 1,400 1,700 0,055 0,067
L3 1,600 TYPE. 0,063 TYPES.
L4 0,600 1,000 0,024 0,039
Φ 1,100 1,300 0,043 0,051
θ
h 0,000 0,300 0,000 0,012
V 5,350 TYPE. 0,211 TYPES.

 

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