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Détails sur le produit:
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| Nom du produit: | transistor de puissance élevée | Caractéristiques: | Haute puissance |
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| Numéro de modèle: | 30P06D TO-252 | tension de Drain-source: | -60 V |
| Tension de Porte-Source: | ±20 V | L'autre nom: | Transistor à effet de champ |
| Surligner: | transistor de transistor MOSFET de canal de n,transistor à haute tension |
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Transistor de puissance élevée de 30P06D TO-252, transistor à effet de champ fait sur commande
DESCRIPTION de transistor de puissance élevée
Le fossé avancé des utilisations 30P06D
technologie pour fournir excellent R DS (DESSUS)
et basse charge de porte. Ce dispositif est
approprié pour l'usage comme commutateur de charge ou dedans
Applications de PWM.
GÉNÉRAL CARACTÉRISTIQUES de transistor de puissance élevée
V DS = - 60V, I D =-30A
R de puissance élevée de DS ( < 40m="">
DESSUS) R DS ( < 55m="">
DESSUS) et capacité de remise actuelle
Le produit sans plomb est acquis
Paquet extérieur de bâti
Application de transistor de puissance élevée
Applications de PWM
Gestion de puissance
Inscription et information de commande de paquet
CAPACITÉS ABSOLUES (TA=25℃ sauf indication contraire)
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TA=25℃ sauf indication contraire)
NOTES :
1. Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
2. surface montée sur 1in 2 FR4 panneau, sec du ≤ 10 de t.
3. essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation. 4. garanti par conception, pas sujet à l'essai de production.
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET THERMIQUES TYPIQUES
L'information du paquet TO-252
Personne à contacter: David
