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Détails sur le produit:
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| Nom du produit: | transistor de puissance de transistor MOSFET | Caractéristiques: | Paquet extérieur de bâti |
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| Numéro de modèle: | 50P03NF TO-252 | tension de Drain-source: | -30 V |
| Tension de Porte-Source: | ±20 V | Applications: | Gestion de puissance de commutateur de charge |
| Surligner: | transistor de transistor MOSFET de canal de n,transistor à haute tension |
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Transistor de puissance de transistor MOSFET de 50P03NF TO-252 pour la gestion de puissance de commutateur de charge
DESCRIPTION de transistor de puissance de transistor MOSFET
Le 50P03NF emploie la technologie avancée de fossé pour fournir
excellent R DS (DESSUS), basses charge de porte et opération avec la porte
tensions aussi basses que 4.5V. Ce dispositif convient à
utilisation comme commutateur d'aload ou dans des applications de PWM.
GÉNÉRAL CARACTÉRISTIQUES de transistor de puissance de transistor MOSFET
V DS = -30V, I D = -50A
R de puissance élevée de DS ( < 18m="">
DESSUS) R DS ( < 13m="">
DESSUS) et capacité de remise actuelle
Le produit sans plomb est acquis
Paquet extérieur de bâti
Application de transistor de puissance de transistor MOSFET
Applications de PWM
Commutateur de charge
Gestion de puissance
Inscription et information de commande de paquet
CAPACITÉS ABSOLUES (TA=25℃ sauf indication contraire)
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TA=25℃ sauf indication contraire)
NOTES :
1. Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
2. surface montée sur 1in 2 FR4 panneau, sec du ≤ 10 de t.
3. essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation. 4. garanti par conception, pas sujet à l'essai de production.
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET THERMIQUES TYPIQUES
L'information du paquet DFN5X6-8
Personne à contacter: David
