Aperçu ProduitsTransistor à effet de champ de MOS

P creusent des rigoles le type le transistor, transistor MOSFET à haute tension de N de puissance de 19P03 D-U-V

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

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P creusent des rigoles le type le transistor, transistor MOSFET à haute tension de N de puissance de 19P03 D-U-V

P creusent des rigoles le type le transistor, transistor MOSFET à haute tension de N de puissance de 19P03 D-U-V
P creusent des rigoles le type le transistor, transistor MOSFET à haute tension de N de puissance de 19P03 D-U-V

Image Grand :  P creusent des rigoles le type le transistor, transistor MOSFET à haute tension de N de puissance de 19P03 D-U-V

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: 19P03 D-U-V
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: négociation
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

P creusent des rigoles le type le transistor, transistor MOSFET à haute tension de N de puissance de 19P03 D-U-V

description de
Nom du produit: N dactylographient le transistor V tension de Drain-source de SAD: -30 V
V tension de Porte-source de GSS: ±20 V La température de jonction maximum de T J: °C 150
Température ambiante de température de stockage de T STG: °C -55 à 150 I source de S Actuel-continue (diode de corps): -90 A
Surligner:

commutateur de transistor MOSFET de logique

,

conducteur de transistor MOSFET à l'aide du transistor

P creusent des rigoles le type le transistor, transistor MOSFET à haute tension de N de puissance de 19P03 D-U-V

 

N dactylographient l'introduction de transistor

 

Un transistor MOSFET de puissance est un type particulier de transistor à effet de champ de semiconducteur métal oxyde. Il est particulièrement conçu pour manipuler des puissances de haut niveau. Les transistors MOSFET de puissance sont construits dans une configuration de V. Par conséquent, elle s'appelle également comme V-MOSFET, VFET. Les symboles du transistor MOSFET de puissance de n canal et de canal de p sont montrés dans la figure ci-dessous.

 

N dactylographient la caractéristique de transistor


-30V/-90A
R DS (DESSUS) = 4.8mΩ (type.) @V GS = 10V
R DS (DESSUS) = 6.5mΩ (type.) @V GS = 4.5V
avalanche 100% examinée
Fiable et rocailleux
Dispositifs sans plomb et verts
Disponible (RoHS conforme)

 

N dactylographient des applications de transistor


Application de commutation

Gestion de puissance pour des systèmes d'inverseur.

 

L'information de commande et de repérage

 

D U V
19P03 19P03 19P03
YYXXXJWW G YYXXXJWW G YYXXXJWW G
Code de paquet
D : TO-252-2L U : TO-251-3L V : TO-251-3S
Matériel d'Assemblée de code de date
YYXXX WW G : L'halogène libèrent

 

Note : Les produits sans plomb de HUAYI contiennent des composés de bâti/meurent les matériaux d'attache et le fer-blanc de matte de 100%
Finition d'arrêt ; ce qui sont entièrement conformes avec RoHS. Les produits sans plomb de HUAYI rencontrent ou dépassent l'avance
Conditions libres d'IPC/JEDEC J-STD-020 pour la classification de MSL à la température maximale sans plomb de ré-écoulement.
HUAYI définit le « vert » pour signifier sans plomb (RoHS conforme) et l'halogène libre (le Br ou le Cl ne dépasse pas
900ppm en poids dans le matériel et le total homogènes de Br et de Cl ne dépasse pas 1500ppm en poids).
HUAYI se réserve le droit de faire des changements, des corrections, des améliorations, des modifications, et l'improveme NTS à
ce produit et/ou à ce document à tout moment sans préavis.

 

Capacités absolues

 

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Note : * estimation répétitive ; durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
** Surface montée sur le panneau FR-4.
*** Limité par T J maximum, commençant T J =25°C, L = 0.3mH, R G = 25Ω, V GS =10V.

 

Caractéristiques électriques (comité technique =25°C sauf indication contraire)

 

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Caractéristiques électriques (cont.) (comité technique =25°C sauf indication contraire)

 

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Note : essai de *Pulse ; ≤ 300us, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation

 

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