Aperçu ProduitsTransistor à effet de champ de MOS

Structure verticale linéaire 3403D-U-V de transistor à effet de champ de MOS de puissance

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Structure verticale linéaire 3403D-U-V de transistor à effet de champ de MOS de puissance

Structure verticale linéaire 3403D-U-V de transistor à effet de champ de MOS de puissance
Structure verticale linéaire 3403D-U-V de transistor à effet de champ de MOS de puissance

Image Grand :  Structure verticale linéaire 3403D-U-V de transistor à effet de champ de MOS de puissance

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: 3403D-U-V
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: négociation
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Structure verticale linéaire 3403D-U-V de transistor à effet de champ de MOS de puissance

description de
Nom du produit: Transistor à effet de champ de MOS V tension de Drain-source de SAD: 30 V
V tension de Porte-source de GSS: ±20 V La température de jonction maximum de T J: °C 175
Température ambiante de température de stockage de T STG: °C -55 à 150 I source de S Actuel-continue (diode de corps): 100A
Surligner:

commutateur de transistor MOSFET de logique

,

conducteur de transistor MOSFET à l'aide du transistor

Structure verticale linéaire 3403D-U-V de transistor à effet de champ de MOS de puissance

 

Description de transistor à effet de champ de MOS

 

Le transistor à effet de champ de MOS sont utilisés dans les beaucoup alimentation d'énergie et applications de puissance générale, particulièrement comme commutateurs. La variante s incluent les transistors MOSFET planaires, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs et d'autres différentes marques.

 

Caractéristique de transistor à effet de champ de MOS

 

30V/100A
R DS (DESSUS) = 2.4mΩ (type.) @V GS = 10V
R DS (DESSUS) = 2.9mΩ (type.) @V GS = 4.5V

Avalanche 100% examinée

Fiable et rocailleux

Halogène libre et dispositifs verts disponibles

(RoHS conforme)

 

Applications

 

Mâle synchrone à haute fréquence de systèmes
Convertisseurs pour la puissance de processeur d'ordinateur
DC-DC d'isolement par haute fréquence
Convertisseurs avec la rectification synchrone
pour des télécom et l'usage industriel

 

L'information de commande et de repérage

 

D U V
3403 3403 3403
YYXXXJWW G YYXXXJWW G YYXXXJWW G

Code de paquet
D : TO-252-2L U : TO-251-3L V : TO-251-3S
Matériel d'Assemblée de code de date
YYXXX WW G : L'halogène libèrent

 

Note : les produits sans contiennent des composés de bâti/meurent les matériaux d'attache et le plateTermi- de bidon de matte de 100%
Finition de nation ; ce qui sont entièrement conformes avec RoHS. les produits sans rencontrent ou dépassent le sans plomb exigent
ments d'IPC/JEDEC J-STD-020 pour la classification de MSL à la température maximale sans plomb de ré-écoulement. « Vert »
pour signifier sans plomb (RoHS conforme) et l'halogène libre (le Br ou le Cl ne dépasse pas 900ppm en poids dans homogène
matériel et total du Br et du Cl ne dépasse pas 1500ppm en poids).
se réserve le droit d'apporter des changements, des corrections, des améliorations, des modifications, et des améliorations à ce produit et/ou à ce document à tout moment sans préavis.

 

Capacités absolues

 

Structure verticale linéaire 3403D-U-V de transistor à effet de champ de MOS de puissance 0

 

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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