Détails sur le produit:
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Nom du produit: | Transistor à effet de champ | V tension de Drain-source de SAD: | 40V |
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V tension de Porte-source de GSS: | ±20 V | La température de jonction maximum de T J: | °C 175 |
Température ambiante de température de stockage de T STG: | °C -55 à 150 | I source de S Actuel-continue (diode de corps): | 250A |
Surligner: | commutateur de transistor MOSFET de logique,conducteur de transistor MOSFET à l'aide du transistor |
Transistor à effet de champ/transistor MOSFET fiables et rocailleux de haute fréquence
Caractéristique de transistor à effet de champ
40V/250A
R DS (DESSUS) = de m (type.) @ V GS =10V
avalanche 100% examinée
Reliableand rocailleux
Avance FreeandGreenDevicesAvailable
(RoHSCompliant)
Applications de transistor à effet de champ
Application de commutation
Gestion de puissance pour des systèmes d'inverseur
Capacités absolues
Personne à contacter: David