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Détails sur le produit:
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| Nom du produit: | transistor de puissance élevée | V tension de Drain-source de SAD: | 40 V |
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| V tension de Porte-source de GSS: | ±20 V | La température de jonction maximum de T J: | °C -55 à 175 |
| Température ambiante de température de stockage de T STG: | °C -55 à 175 | I source de S Actuel-continue (diode de corps): | 150A |
| Surligner: | commutateur de transistor MOSFET de logique,conducteur de transistor MOSFET à l'aide du transistor |
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transistor de la puissance 150A élevée, transistor à effet de champ de MOS de la Manche de 40V N
Applications de transistor de puissance élevée
La technologie de la puissance MOSEFET s'applique à beaucoup de types de circuit. Les applications incluent :
Caractéristique de transistor de puissance élevée
40V/150A
R DS (DESSUS) = (type.) @V 2.4mΩ GS = 10V
R DS (DESSUS) = (type.) @V 4.2mΩ GS = 4.5V
Avalanche 100% examinée
Fiable et rocailleux
Halogène libre et dispositifs verts disponibles
(RoHS conforme)
L'information de commande et de repérage
D U V
G023N04 G023N04 G023N04
Code de paquet
D : TO-252-2L U : TO-251-3L V : TO-251-3S
Code de date
Note : Les produits sans plomb de HUAYI contiennent des composés de bâti/meurent les matériaux d'attache et le plateTermi- de bidon de matte de 100%
Finition de nation ; ce qui sont entièrement conformes avec RoHS. Les produits sans plomb de HUAYI rencontrent ou dépassent le sans plomb exigent
ments d'IPC/JEDEC J-STD-020 pour la classification de MSL à la température maximale sans plomb de ré-écoulement. HUAYI définit le « vert »
pour signifier sans plomb (RoHS conforme) et l'halogène libre (le Br ou le Cl ne dépasse pas 900ppm en poids dans homogène
matériel et total du Br et du Cl ne dépasse pas 1500ppm en poids).
HUAYI se réserve le droit d'apporter des changements, des corrections, des améliorations, des modifications, et des améliorations à ces RP
- oduct et/ou à ce document à tout moment sans préavis.
Capacités absolues
Personne à contacter: David
