Aperçu Produitstransistor de puissance de transistor MOSFET

Bas transistor de puissance de transistor MOSFET de charge de porte pour la gestion-système d'inverseur

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

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Bas transistor de puissance de transistor MOSFET de charge de porte pour la gestion-système d'inverseur

Bas transistor de puissance de transistor MOSFET de charge de porte pour la gestion-système d'inverseur
Bas transistor de puissance de transistor MOSFET de charge de porte pour la gestion-système d'inverseur

Image Grand :  Bas transistor de puissance de transistor MOSFET de charge de porte pour la gestion-système d'inverseur

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: 4306W-A
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: négociation
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Bas transistor de puissance de transistor MOSFET de charge de porte pour la gestion-système d'inverseur

description de
Nom du produit: transistor de puissance de transistor MOSFET Numéro de modèle: 4306W-A
Puissance: 60V/230A R DS (DESSUS) =  de m (type.): @ V GS =10V
D'entité: Basse charge de porte Application: Commutation
Surligner:

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

transistor à haute tension

Bas transistor de puissance de transistor MOSFET de charge de porte pour la gestion-système d'inverseur

 

Quel est un transistor de puissance de transistor MOSFET ?

 

Un transistor MOSFET de puissance est un type particulier de transistor à effet de champ de semiconducteur métal oxyde. Il est particulièrement conçu pour manipuler des puissances de haut niveau. Les transistors MOSFET de puissance sont construits dans une configuration de V. Par conséquent, elle s'appelle également comme V-MOSFET, VFET. Les symboles du transistor MOSFET de puissance de n canal et de canal de p sont montrés dans la figure ci-dessous.

 

Description de transistor de puissance de transistor MOSFET

 

60V/230A
R DS (DESSUS) =  de m (type.) @ V GS =10V
Reliableand rocailleux
Avance FreeandGreenDevicesAvailable
(RoHSCompliant)

 

Applications de transistor de puissance de transistor MOSFET

 

Application de commutation

Gestion de puissance pour des systèmes d'inverseur.

 

L'information de commande et de repérage

 

Note : Les produits sans plomb de HUAYI contiennent des composés de bâti/meurent les matériaux d'attache et le fer-blanc de matte de 100% Termi-
Finition de nation ; ce qui sont entièrement conformes avec RoHS. Les produits sans plomb de HUAYI rencontrent ou dépassent le sans plomb exigent
ments d'IPC/JEDEC J-STD-020 pour la classification de MSL à la température maximale sans plomb de ré-écoulement. HUAYI définit
« Vert » pour signifier sans plomb (RoHS conforme) et l'halogène libre (le Br ou le Cl ne dépasse pas 900ppm en poids dedans
le matériel et le total homogènes de Br et de Cl ne dépasse pas 1500ppm en poids).
HUAYI se réserve le droit d'apporter des changements, des corrections, des améliorations, des modifications, et des améliorations à ces RP
oduct et/ou à ce document à tout moment sans préavis.

 

Capacités absolues

 

Bas transistor de puissance de transistor MOSFET de charge de porte pour la gestion-système d'inverseur 0

 

Caractéristiques de fonctionnement typiques

 

Bas transistor de puissance de transistor MOSFET de charge de porte pour la gestion-système d'inverseur 1

 

 

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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