Aperçu Produitstransistor de puissance de transistor MOSFET

Transistor de puissance de transistor MOSFET de haute performance avec la densité élevée extrême de cellules

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

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Transistor de puissance de transistor MOSFET de haute performance avec la densité élevée extrême de cellules

Transistor de puissance de transistor MOSFET de haute performance avec la densité élevée extrême de cellules
Transistor de puissance de transistor MOSFET de haute performance avec la densité élevée extrême de cellules

Image Grand :  Transistor de puissance de transistor MOSFET de haute performance avec la densité élevée extrême de cellules

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: HXY1404S
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: négociation
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Transistor de puissance de transistor MOSFET de haute performance avec la densité élevée extrême de cellules

description de
Nom du produit: transistor de puissance de transistor MOSFET Numéro de modèle: HXY1404S
Puissance: 40V/12A R DS (DESSUS) = 16mΩ (type.): @V GS = 4.5V
D'entité: Densité élevée extrême de cellules Application: protection de batterie
Surligner:

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

transistor à haute tension

Transistor de puissance de transistor MOSFET de la plus haute performance avec la densité élevée extrême de cellules

 

Description de caractéristique de transistor de puissance de transistor MOSFET

 

C'est un transistor MOSFET à haute tension de puissance conçu pour avoir de meilleures caractéristiques, telles que le temps rapide de commutation, la basse charge de porte, la basse résistance de sur-état et les caractéristiques rocailleuses élevées d'avalanche. Ce transistor MOSFET de puissance est habituellement utilisé dans des applications à grande vitesse de commutation des alimentations et des adaptateurs d'énergie de commutation.

 

40V/12A
R DS (DESSUS) = (type.) @V 13mΩ GS = 10V
R DS (DESSUS) = (type.) @V 16mΩ GS = 4.5V
100%Avalanche examiné
Fiable et rocailleux
Halogène libre et DevicesAvailable vert
(RoHSCompliant)

 

 

Applications de transistor de puissance de transistor MOSFET

 

PowerManagement forDC/DC
Application de commutation
Protection de batterie

 

 

L'information de commande et de repérage

 

S
HXY1404
YYXXXJWW G

 

Code de paquet
S : SOP-8L
Matériel d'Assemblée de code de date
YYXXX WW G : L'halogène libèrent

 

Note : Les produits sans plomb de HUAYI contiennent des composés de bâti/meurent les matériaux d'attache et le fer-blanc de matte de 100% Termi-
Finition de nation ; ce qui sont entièrement conformes avec RoHS. Les produits sans plomb de HUAYI rencontrent ou dépassent le sans plomb exigent
ments d'IPC/JEDEC J-STD-020 pour la classification de MSL à la température maximale sans plomb de ré-écoulement. HUAYI définit
« Vert » pour signifier sans plomb (RoHS conforme) et l'halogène libre (le Br ou le Cl ne dépasse pas 900ppm en poids dedans
le matériel et le total homogènes de Br et de Cl ne dépasse pas 1500ppm en poids).
HUAYI se réserve le droit d'apporter des changements, des corrections, des améliorations, des modifications, et des améliorations à ces RP
oduct et/ou à ce document à tout moment sans préavis.

 

Capacités absolues

 

Transistor de puissance de transistor MOSFET de haute performance avec la densité élevée extrême de cellules 0

 

Caractéristiques de fonctionnement typiques

 

Transistor de puissance de transistor MOSFET de haute performance avec la densité élevée extrême de cellules 1

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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