Aperçu Produitstransistor de puissance de transistor MOSFET

Transistor de puissance de transistor MOSFET de haute performance avec la densité élevée extrême de cellules

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Transistor de puissance de transistor MOSFET de haute performance avec la densité élevée extrême de cellules

Transistor de puissance de transistor MOSFET de haute performance avec la densité élevée extrême de cellules
Transistor de puissance de transistor MOSFET de haute performance avec la densité élevée extrême de cellules

Image Grand :  Transistor de puissance de transistor MOSFET de haute performance avec la densité élevée extrême de cellules

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: HXY1404S
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: négociation
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Transistor de puissance de transistor MOSFET de haute performance avec la densité élevée extrême de cellules

description de
Nom du produit: transistor de puissance de transistor MOSFET modèle: AOD240
VDS: 40V Identification (à V GS =10V): 70A
R DS (DESSUS) (à V GS =10V): < 3m=""> R DS (DESSUS) (à V GS = 4.5V): < 3="">
Surligner:

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

transistor à haute tension

 

Description générale

 

L'AOD240 emploie la technologie de transistor MOSFET de fossé cela
est uniquement optimisé pour fournir la haute la plus efficace
représentation de commutation de fréquence. Les pertes de puissance sont
en raison réduit au minimum extrêmement - d'une basse combinaison de
Rss de R DS (DESSUS) et de C. En outre, le comportement de changement est bien
commandé avec une diode molle de corps de récupération « de style de Schottky »

 

Paramètres

 

Numéro de la pièce

Statut

Paquet

Polarité

VDS (v)

VGS (±V)

Identification (a)

Palladium (w)

† du RDS (DESSUS) (mΩ maximum) à VGS=

VGS (Th)
(V) maximum

Ciss
(PF)

Coss
(PF)

Crss
(PF)

Qg*
(OR)

Qgd
(OR)

Le TD (dessus)
(NS)

Le TD ()
(NS)

Trr
(NS)

Qrr
(OR)

25°C

25°C

10V

4.5V

2.5V

1.8V

AOD240

Pleine production

TO-252

N

40

20

70

150

3

3,9

 

 

2,2

3510

1070

68

22

7

11

38

21

58

AOD403

Pas pour de nouvelles conceptions

TO-252

P

-30

25

-70

90

8

 

 

 

-3,5

2890

585

470

51*

16

16

45

18

11

AOD407

Pleine production

TO-252

P

-60

20

-12

50

115

150

 

 

-3

987

114

46

7,4

3,5

9

25

27,5

30

AOD409

Pleine production

TO-252

P

-60

20

-26

60

40

55

 

 

-2,4

2977

241

153

22,2

10

12

38

40

59

AOD409G

Pleine production

TO-252

P

-60

20

-28

60

40

55

 

 

-2,5

2350

160

115

22

10

12

38

23

107

AOD413A

Pleine production

TO-252

P

-40

20

-12

50

44

66

 

 

-3

900

97

68

7,2

3,5

6,2

44,8

21,2

13,8

AOD417

Pleine production

TO-252

P

-30

20

-25

50

34

55

 

 

-3

920

140

90

8,2

3,6

8

22

23

14

AOD418

Pleine production

TO-252

N

30

20

36

50

7,5

11

 

 

2,5

1150

180

105

9,5

5

6,5

17

8,7

13,5

AOD423

Pas pour de nouvelles conceptions

TO-252

P

-30

25

-70

90

8

 

 

 

-3,5

2760

550

375

45*

12

13

35

15

30

AOD424

Pleine production

TO-252

N

20

12

45

100

4,4

5,7

 

 

1,6

3860

740

580

36

12

7

70

17

36

AOD424G

Pleine production

TO-252

N

20

12

46

50

 

4,9

6,3

 

1,25

3300

485

370

31

8

 

 

17

30

AOD442

Pas pour de nouvelles conceptions

TO-252

N

60

20

38

60

20

25

 

 

3

1920

155

116

24,2

14,4

7,4

28,2

3

46

AOD442G

Pleine production

TO-252

N

60

20

40

60

18

23

 

 

2,7

1920

155

115

24

14,5

 

 

30

105

AOD444

Pleine production

TO-252

N

60

20

12

20

60

85

 

 

3

450

61

27

3,8

1,9

4,2

16

27

30

AOD454A

Pas pour de nouvelles conceptions

TO-252

N

40

20

20

37

30

40

 

 

3

516

82

43

8,3

1,6

6,4

16,2

18

10

AOD464

Pleine production

TO-252

N

105

25

40

100

28

31*

 

 

4

2038

204

85

38.5*

10

12,7

31,5

59,6

161

AOD478

Pleine production

TO-252

N

100

20

11

45

140

152

 

 

2,8

445

29

16

5,1

2,4

8

17

21

97

AOD480

Pas pour de nouvelles conceptions

TO-252

N

30

20

25

21

23

33

 

 

2,6

373

67

41

3,5

1,6

4,3

15,8

10,5

4,5

AOD482

Pleine production

TO-252

N

100

20

32

100

37

42

 

 

2,7

1630

100

50

18

9

7

29

32

200

AOD486A

Pas pour de nouvelles conceptions

TO-252

N

40

20

50

50

9,8

13

 

 

3

1600

320

100

10,5

4,8

6,5

33

31

33

AOD508

Pleine production

TO-252

N

30

20

70

50

3

4,5

 

 

2,2

2010

898

124

17

8

7,5

37

14

20,3

AOD514

Pas pour de nouvelles conceptions

TO-252

N

30

20

46

50

5,9

11,9

 

 

2,4

1187

483

60

8,8

3,6

7,3

21,8

14,7

24

AOD516

Pas pour de nouvelles conceptions

TO-252

N

30

20

46

50

5

10

 

 

2,6

1333

512

42

8,5

2,5

7,5

23,3

14,1

16,2

AOD536

Pleine production

TO-252

N

30

20

46

37,5

8,5

14,7

 

 

2,2

1140

400

45

6,5

2,5

7

18,5

12

20

AOD538

Pleine production

TO-252

N

30

20

70

93

3,1

4,8

 

 

3,1

2160

915

115

14

6,3

8

29

16,5

34,2

AOD558

Pleine production

TO-252

N

30

20

50

50

5,4

9,5

 

 

2,4

1187

483

60

4,1

3,6

 

 

14,7

24

AOD2144

Pleine production

TO-252

N

40

20

120

156

2,3

4

 

 

2,4

5225

895

55

28

4,5

 

 

20

60

AOD2146

Pleine production

TO-252

N

40

20

54

100

3,1

4,2

 

 

2,5

3830

630

45

20

3

 

 

18,5

50

AOD2606

Pleine production

TO-252

N

60

20

46

150

6,8

 

 

 

3,5

4050

345

16,8

22

5

18

33

26

125

AOD2610E

Pleine production

TO-252

N

60

20

46

59,5

9,5

13,3

 

 

2,4

1100

300

28

7

3,5

 

 

19

65

AOD2910

Pleine production

TO-252

N

100

20

31

53,5

24

33

 

 

2,7

1190

95

7

7

2,5

7

20

30

145

AOD2910E

Pleine production

TO-252

N

100

20

37

71,5

23

33

 

 

2,7

1200

93

6,3

8

2,5

7

20

25

120

AOD2916

Pleine production

TO-252

N

100

20

25

50

34

43,5

 

 

2,7

870

68

3,5

5,5

2

7,5

23

20

88

AOD2922

Pleine production

TO-252

N

100

20

7

17

140

176

 

 

2,7

250

19

2,5

1,8

0,8

5

19

19

52

AOD21357

Nouveau

TO-252

P

-30

25

-70

78

8

13

 

 

-2,3

2830

430

365

35

12

12,5

125

32

62

AOD4126

Pleine production

TO-252

N

100

25

43

100

24

30*

 

 

4

1770

165

55

28*

10

12

17

20

82

AOD4130

Pas pour de nouvelles conceptions

TO-252

N

60

20

30

52

24

30

 

 

2,8

1582

100

67

13,4

7,2

7,5

33

22

76

AOD4132

Pleine production

TO-252

N

30

20

85

100

4

6

 

 

3

3700

700

390

33

17,6

12

40

34

30

AOD4184A

Pas pour de nouvelles conceptions

TO-252

N

40

20

50

50

7

9,5

 

 

2,6

1500

215

135

14

6

6

30

29

26

AOD4185

Pleine production

TO-252

P

-40

20

-40

62,5

15

20

 

 

-3

2550

280

190

18,6

8,6

9,4

55

38

47

AOD4186

Pas pour de nouvelles conceptions

TO-252

N

40

20

35

50

15

19

 

 

2,7

980

130

80

9

4,5

6

26

12

31

AOD4189

Pleine production

TO-252

P

-40

20

-40

62,5

22

29

 

 

-3

1870

185

155

7,9

6,2

10

38

32

30

AOD4286

Pleine production

TO-252

N

100

20

14

30

68

92

 

 

2,9

390

30

3

2,8

1,2

6

18

15

53

AOD66406

Pleine production

TO-252

N

40

20

60

52

6,1

9,4

 

 

2,5

1480

245

13

8,5

3

 

 

11

21

AOD66616

Nouveau

TO-252

N

60

20

70

113

3,7

 

 

 

3,4

2870

940

38

42.5*

10

14,5

33

26

87

 

  1. La valeur du θJA de R est mesurée avec le dispositif monté sur 1in le panneau 2 FR-4 avec 2oz. Cuivrez, dans un environnement aérien encore avec T A =25°C. la dissipation de puissance P DSM est basée sur le θJA de R et la température de jonction laissée par maximum de 150°C. la valeur dans n'importe quelle application indiquée dépend de la conception spécifique du conseil de l'utilisateur, et la température maximale de 175°C peut être employée si la carte PCB la permet.
  2. La dissipation de puissance P D est basée sur T J (max) =175°C, utilisant la résistance thermique de jonction-à-cas, et est plus utile en fixant la limite d'upperdissipation pour des cas où heatsinking supplémentaire est employé.
  3. L'estimation répétitive, durée d'impulsion limitée par des estimations de la température de jonction T J (max) =175°C. sont basées sur basse fréquence et des temps d'utilisation pour garder T initial J =25°C.
  4. Le θJA de R est la somme de l'impédance thermique de la jonction pour enfermer le θJC et la caisse de R à ambiant.
  5. Les caractéristiques statiques sur les schémas 1 6 sont obtenues utilisant <300>
  6. Ces courbes sont basées sur l'impédance thermique de jonction-à-cas qui est mesurée avec le dispositif monté à un grand radiateur, supposant qu'une température de jonction maximum de T J (max) =175°C. la courbe de SOA fournit une estimation simple d'impulsion.
  7. L'estimation actuelle maximum est paquet limité.
  8. Ces essais sont réalisés avec le dispositif monté sur 1 dans le panneau 2 FR-4 avec 2oz. Cuivrez, dans un environnement aérien encore avec T A =25°C.

 

ce produit a été conçu et qualifié pour le marché de consommateurs. applications ou utilisations comme critique
des composants dans des dispositifs ou des systèmes d'assistance vitale ne sont pas autorisés. l'AOS n'assume aucun surgir de responsabilité
hors de telles applications ou utilisations de ses produits. l'AOS se réserve le droit d'améliorer la conception de produits,
fonctions et fiabilité sans préavis.

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET THERMIQUES TYPIQUES

 

Transistor de puissance de transistor MOSFET de haute performance avec la densité élevée extrême de cellules 0

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET THERMIQUES TYPIQUES

Transistor de puissance de transistor MOSFET de haute performance avec la densité élevée extrême de cellules 1

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET THERMIQUES TYPIQUES

 

Transistor de puissance de transistor MOSFET de haute performance avec la densité élevée extrême de cellules 2

Circuit et forme d'onde d'essai de charge de porte

 

Transistor de puissance de transistor MOSFET de haute performance avec la densité élevée extrême de cellules 3

 

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