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Détails sur le produit:
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| Nom du produit: | Puissance de transistor MOSFET de la Manche de N | modèle: | AP3N10BI |
|---|---|---|---|
| Repérage: | MA4 | Paquet: | SOT23 |
| Tension de VDSDrain-source: | 100V | Tension de rce de VGSGate-Sou: | ±20A |
| Surligner: | transistor de transistor MOSFET de canal de n,transistor à haute tension |
||
Tension 100V de transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche du mode N d'amélioration basse
Puissance de transistor MOSFET de la Manche de N Fonctionnement et caractéristiques
La construction du transistor MOSFET de puissance est dans les V-configurations, comme nous pouvons voir dans la figure suivante. Ainsi le dispositif s'appelle également comme V-MOSFET ou V-FET. Le v que la forme du transistor MOSFET de puissance est coupée pour pénétrer de la surface de dispositif est presque au substrat de N+ au N+, au P, et au N – couches. La couche de N+ est la couche fortement enduite avec un bas matériel résistif et la couche de n est une couche légèrement enduite avec la région de haute résistance.
Caractéristiques de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N
VDS= 100V I D=2.8 A
LE RDS (DESSUS)< 320m="">
Application de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N
Protection de batterie
Alimentation d'énergie non interruptible
Inscription et information de commande de paquet
| Identité de produit | Paquet | Repérage | Quantité (PCS) |
| AP3N10BI | SOT23 | MA4 | 3000 |
Capacités absolues (TC=25℃ sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Évaluation | Unités |
| VDS | Tension de Drain-source | 100 | V |
| VGS | Tension de rce de porte-Sou | ±20 | V |
| ID@TA =25℃ | Courant continu de drain, V GS @ 10V 1 | 2,8 | A |
| ID@TA =70℃ | Courant continu de drain, V GS @ 10V 1 | 1 | A |
| IDM | Drain pulsé Current2 | 5 | A |
| ℃ de PD@TA =25 | Puissance totale Dissipation3 | 1 | W |
| TSTG | Température ambiante de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Température ambiante fonctionnante de jonction | -55 à 150 | ℃ |
| RθJA | Résistance thermique 1 Jonction-ambiant | 125 | ℃/W |
| RθJC | Jonction-cas 1 de résistance thermique | 80 | ℃/W |
Caractéristiques électriques (℃ de TJ =25, sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Minimal. | Type. | Maximum. | Unité |
| BVDSS | Tension claque de Drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △ BVDSS/△TJ | Coefficient de température de BVDSS | Référence à 25℃, ID=1mA | --- | 0,067 | --- | V/℃ |
| LE RDS (DESSUS) | Sur-résistance statique de Drain-source | VGS=10V, I D=1A | --- | 260 | 310 |
mΩ |
| VGS=4.5V, I D=0.5A | --- | 270 | 320 | |||
| VGS (Th) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, I =250UA | 1,0 | 1,5 | 2,5 | V |
| △VGS (Th) | Coefficient de température de VGS (Th) | --- | -4,2 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite de Drain-source | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IDSS | Courant de fuite de Drain-source | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 5 | uA |
| IGSS | Courant de fuite de Porte-source | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | Na |
| gfs | Transconductance en avant | VDS=5V, ID=1A | --- | 2,4 | --- | S |
| Rg | Résistance de porte | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2,8 | 5,6 | |
| Qg | Charge totale de porte (10V) | --- | 9,7 | 13,6 | ||
| Qgs | Charge de Porte-source | --- | 1,6 | 2,2 | ||
| Qgd | Charge de Porte-drain | --- | 1,7 | 2,4 | ||
| Le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture |
VDD=50V, VGS=10V, RG=3.3 ID=1A |
--- | 1,6 | 3,2 |
NS |
| TR | ||||||
| Le TD () | Temps de retard d'arrêt | --- | 13,6 | 27 | ||
| Tf | Temps de chute | --- | 19 | 38 | ||
| Ciss | Capacité d'entrée | --- | 508 | 711 | ||
| Coss | Capacité de sortie | --- | 29 | 41 | ||
| Crss | Capacité inverse de transfert | --- | 16,4 | 23 | ||
| EST | Courant de source continu 1,4 | VG=VD=0V, courant de force | --- | --- | 1,2 | A |
| ISM | Courant de source pulsé 2,4 | --- | --- | 5 | A | |
| VSD | La diode expédient Voltage2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1,2 | V |
| trr | Temps de rétablissement inverse | IF=1A, dI/dt=100A/µs, | --- | 14 | --- | NS |
| Qrr | Charge inverse de récupération | --- | 9,3 | --- | OR |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Minimal. | Type. | Maximum. | Unité |
| BVDSS | Tension claque de Drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △ BVDSS/△TJ | Coefficient de température de BVDSS | Référence à 25℃, ID=1mA | --- | 0,067 | --- | V/℃ |
| LE RDS (DESSUS) | Sur-résistance statique de Drain-source | VGS=10V, I D=1A | --- | 260 | 310 |
mΩ |
| VGS=4.5V, I D=0.5A | --- | 270 | 320 | |||
| VGS (Th) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, I =250UA | 1,0 | 1,5 | 2,5 | V |
| △VGS (Th) | Coefficient de température de VGS (Th) | --- | -4,2 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite de Drain-source | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IDSS | Courant de fuite de Drain-source | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 5 | uA |
| IGSS | Courant de fuite de Porte-source | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | Na |
| gfs | Transconductance en avant | VDS=5V, ID=1A | --- | 2,4 | --- | S |
| Rg | Résistance de porte | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2,8 | 5,6 | |
| Qg | Charge totale de porte (10V) | --- | 9,7 | 13,6 | ||
| Qgs | Charge de Porte-source | --- | 1,6 | 2,2 | ||
| Qgd | Charge de Porte-drain | --- | 1,7 | 2,4 | ||
| Le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture |
VDD=50V, VGS=10V, RG=3.3 ID=1A |
--- | 1,6 | 3,2 |
NS |
| TR | ||||||
| Le TD () | Temps de retard d'arrêt | --- | 13,6 | 27 | ||
| Tf | Temps de chute | --- | 19 | 38 | ||
| Ciss | Capacité d'entrée | --- | 508 | 711 | ||
| Coss | Capacité de sortie | --- | 29 | 41 | ||
| Crss | Capacité inverse de transfert | --- | 16,4 | 23 | ||
| EST | Courant de source continu 1,4 | VG=VD=0V, courant de force | --- | --- | 1,2 | A |
| ISM | Courant de source pulsé 2,4 | --- | --- | 5 | A | |
| VSD | La diode expédient Voltage2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1,2 | V |
| trr | Temps de rétablissement inverse | IF=1A, dI/dt=100A/µs, | --- | 14 | --- | NS |
| Qrr | Charge inverse de récupération | --- | 9,3 | --- | OR |
Note :
les données 1.The ont examiné par la surface montée sur un conseil de 1 pouce FR-4 avec le cuivre 2OZ. les données 2.The ont examiné par pulsé, la durée d'impulsion ≦300us, le coefficient d'utilisation ≦2%
la dissipation de puissance 3.The est limitée par la température de jonction de 150 ℃
4. Les données sont théoriquement identique que l'identification et l'IDM, dans de vraies applications, devraient être limité par dissipation de puissance totale.
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Symbole |
Dimensions dans les millimètres | |
| MINIMAL. | MAXIMUM. | |
| A | 0,900 | 1,150 |
| A1 | 0,000 | 0,100 |
| A2 | 0,900 | 1,050 |
| b | 0,300 | 0,500 |
| c | 0,080 | 0,150 |
| D | 2,800 | 3,000 |
| E | 1,200 | 1,400 |
| E1 | 2,250 | 2,550 |
| e | 0.950TYPE | |
| e1 | 1,800 | 2,000 |
| L | 0.550REF | |
| L1 | 0,300 | 0,500 |
| θ | 0° | 8° |
Attention
1, l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus n'ont pas des caractéristiques qui peuvent manipuler les applications qui exigent extrêmement des hauts niveaux de fiabilité, tels que des systèmes d'assistance vitale, des systèmes de contrôle du de bord, ou d'autres applications dont l'échec peut être raisonnablement prévu pour avoir comme conséquence des dommages physiques et/ou matériels sérieux. Consultez-avec votre plus proche représentatif de la microélectronique d'APM vous avant d'employer tous les produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus dans de telles applications.
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