Aperçu Produitstransistor de puissance de transistor MOSFET

Transistor à effet de champ complémentaire original AP5N10LI de transistors de puissance/

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Transistor à effet de champ complémentaire original AP5N10LI de transistors de puissance/

Transistor à effet de champ complémentaire original AP5N10LI de transistors de puissance/
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Image Grand :  Transistor à effet de champ complémentaire original AP5N10LI de transistors de puissance/

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: AP5N10LI
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: négociation
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Transistor à effet de champ complémentaire original AP5N10LI de transistors de puissance/

description de
Nom du produit: Transistors de puissance complémentaires modèle: AP5N10LI
Repérage: MA6S Paquet: SOT23
Tension de VDSDrain-source: 100V Tension de rce de VGSGate-Sou: ±20A
Surligner:

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

transistor à haute tension

Transistor à effet de champ complémentaire original AP5N10LI de transistors de puissance/

 

Description complémentaire de transistors de puissance

 

L'AP5N10LI emploie la technologie avancée de fossé pour fournir excellent R DS (DESSUS), basses charge de porte et opération avec des tensions de porte aussi basses que 4.5V. Ce dispositif convient pour l'usage comme protection de batterie ou dans l'autre application de commutation.

 

Caractéristiques complémentaires de transistors de puissance

 

VDS= 100V I D = 5A

 

LE RDS (DESSUS) < 140m="">

Protection de batterie

 

Commutateur de charge

Alimentation d'énergie non interruptible

 

Inscription et information de commande de paquet

 

Identité de produit Paquet Repérage Quantité (PCS)
AP5N10LI SOT23-6 MA6S 3000

 

Capacités absolues à Tj=25℃ sauf indication contraire

 

Paramètre Symbole Valeur Unité
Vidangez la tension de source VDS 100 V
Tension de source de porte VGS ±20 V
Courant continu de drain, ℃ TC=25 Identification 5 A
Courant pulsé de drain, ℃ du comité technique =25 Identification, impulsion 15 A
Dissipation de puissance, ℃ de T C=25

P

D

17 W
Choisissez l'énergie pulsée d'avalanche 5) EAS 1,2 MJ
Opération et température de stockage Tstg, Tj -55 à 150
Résistance thermique, jonction-cas RθJC 7,4 ℃/W
Résistance thermique, junction-ambient4) RθJA 62 ℃/W

 

Caractéristiques électriques au ℃ du transistor MOSFET j=25 de mode d'amélioration de N-canal de T AP5N10LI 100V sauf indication contraire

 

Symbole Paramètre Condition d'essai Minimal. Type. Maximum. Unité
BVDSS tension claque de Drain-source V =0 V, μA ID=250 100     V
VGS (Th) Tension de seuil de porte V =V, μA ID=250 1,2 1,5 2,5 V
LE RDS (DESSUS) résistance de sur-état de Drain-source VGS=10 V, ID=5 A   110 140
LE RDS (DESSUS) résistance de sur-état de Drain-source V =4.5 V, ID=3 A   160 180

 

IGSS

 

courant de fuite de Porte-source

V =20 V     100

 

Na

V =-20 V     -100
IDSS courant de fuite de Drain-source VDS=100 V, VGS=0 V     1 uA
Ciss Capacité d'entrée V =0 V,   206,1   PF
Coss Capacité de sortie   28,9   PF
Crss Capacité inverse de transfert   1,4   PF
le TD (dessus) Temps de retard d'ouverture

VGS=10 V,

VDS=50 V,

  14,7   NS
TR Temps de montée   3,5   NS
le TD () Temps de retard d'arrêt   20,9   NS

t

f

Temps de chute   2,7   NS
Qg Charge totale de porte     4,3   OR
Qgs charge de Porte-source   1,5   OR
Qgd charge de Porte-drain   1,1   OR
Vplateau Tension de plateau de porte   5,0   V
EST La diode expédient le courant

 

VGS

    7

 

A

ISP Courant de source pulsé     21
VSD Tension en avant de diode IS=7 A, VGS=0 V     1,0 V

t

rr

Temps de rétablissement inverse     32,1   NS
Qrr Charge inverse de récupération   39,4   OR
Irrm Courant de récupération d'inversion maximal   2,1   A
Symbole Paramètre Condition d'essai Minimal. Type. Maximum. Unité
BVDSS tension claque de Drain-source V =0 V, μA ID=250 100     V
VGS (Th) Tension de seuil de porte V =V, μA ID=250 1,2 1,5 2,5 V
LE RDS (DESSUS) résistance de sur-état de Drain-source VGS=10 V, ID=5 A   110 140
LE RDS (DESSUS) résistance de sur-état de Drain-source V =4.5 V, ID=3 A   160 180

 

IGSS

 

courant de fuite de Porte-source

V =20 V     100

 

Na

V =-20 V     -100
IDSS courant de fuite de Drain-source VDS=100 V, VGS=0 V     1 uA
Ciss Capacité d'entrée V =0 V,   206,1   PF
Coss Capacité de sortie   28,9   PF
Crss Capacité inverse de transfert   1,4   PF
le TD (dessus) Temps de retard d'ouverture

VGS=10 V,

VDS=50 V,

  14,7   NS
TR Temps de montée   3,5   NS
le TD () Temps de retard d'arrêt   20,9   NS

t

f

Temps de chute   2,7   NS
Qg Charge totale de porte     4,3   OR
Qgs charge de Porte-source   1,5   OR
Qgd charge de Porte-drain   1,1   OR
Vplateau Tension de plateau de porte   5,0   V
EST La diode expédient le courant

 

VGS

    7

 

A

ISP Courant de source pulsé     21
VSD Tension en avant de diode IS=7 A, VGS=0 V     1,0 V

t

rr

Temps de rétablissement inverse     32,1   NS
Qrr Charge inverse de récupération   39,4   OR
Irrm Courant de récupération d'inversion maximal   2,1   A

 

Note

 

1) Courant continu calculé basé sur la température de jonction maximale permise.

2) Estimation répétitive ; durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximale.

3) Le palladium est basé sur la température de jonction maximale, utilisant la résistance thermique de jonction-cas.

4) La valeur de RθJA est mesurée avec le dispositif monté sur 1 dans le panneau 2 FR-4 avec 2oz. Cuivrez, dans un environnement aérien encore avec T un =25 °C. 5) VDD=50 V, RG=50 Ω, L=0.3 MH, commençant Tj=25 °C.

 

Transistor à effet de champ complémentaire original AP5N10LI de transistors de puissance/ 0

Attention

 

1, l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus n'ont pas des caractéristiques qui peuvent manipuler les applications qui exigent extrêmement des hauts niveaux de fiabilité, tels que des systèmes d'assistance vitale, des systèmes de contrôle du de bord, ou d'autres applications dont l'échec peut être raisonnablement prévu pour avoir comme conséquence des dommages physiques et/ou matériels sérieux. Consultez-avec votre plus proche représentatif de la microélectronique d'APM vous avant d'employer tous les produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus dans de telles applications.

2, la microélectronique d'APM n'assume aucune responsabilité des pannes d'équipement qui résultent d'employer des produits aux valeurs qui dépassent, même momentanément, des valeurs évaluées (telles que des estimations maximum, la condition de fonctionnement s'étend, ou d'autres paramètres) énumérées dans des caractéristiques de produits de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus.

3, caractéristiques de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM ont décrit ou ont contenu ici l'instipulate la représentation, les caractéristiques, et les fonctions des produits décrits dans l'État indépendant, et ne sont pas des garanties de la représentation, des caractéristiques, et des fonctions des produits décrits comme monté dans les produits ou l'équipement du client. Pour vérifier les symptômes et les déclarer qui ne peuvent pas être évalués dans un dispositif indépendant, le client devrait toujours évaluer et examiner des dispositifs montés dans les produits ou l'équipement du client.

4, le semi-conducteur Cie., Ltd de la microélectronique d'APM tâche de fournir de hauts produits de haute qualité de fiabilité. Cependant, l'intégralité de produits semiconducteurs échouent avec une certaine probabilité. Il est possible que ces échecs probabilistes pourraient provoquer les accidents ou les événements qui pourraient mettre en danger les vies humaines qui pourraient provoquer la fumée ou le feu, ou qui pourraient endommager l'autre propriété. L'équipement de Whendesigning, adoptent des mesures de sécurité de sorte que ces genres d'accidents ou d'événements ne puissent pas se produire. De telles mesures incluent mais ne sont pas limitées aux circuits de protection et aux circuits de prévention d'erreur pour la conception sûre, la conception superflue, et la conception structurelle.

5, au cas où tout ou une partie de produits de la microélectronique d'APM (données techniques y compris, services) décrits ou contenus ci-dessus seraient commandés sous un quelconque de lois et de règlements de contrôle des exportations locales applicables, de tels produits ne doivent pas être exportés sans obtenir le permis d'exportation des autorités concernées selon la loi ci-dessus.

6, aucune partie de cette publication peuvent être reproduits ou transmis sous n'importe quelle forme ou par tous les moyens, électronique ou mécanique, y compris la photocopiage et l'enregistrement, ou n'importe quel système de stockage ou de récupération de l'information, ou autrement, sans autorisation écrite préalable du semi-conducteur Cie. de la microélectronique d'APM, Ltd.

7, l'information (schémas de circuit y compris et paramètres de circuit) est ci-dessus par exemple seulement ; on ne le garantit pas pour la production de masse. La microélectronique d'APM croit que l'information ci-dessus est précise et fiable, mais aucune garantie n'est faite ou est impliquée concernant son utilisation ou toutes les infractions à des droits de propriété intellectuelle ou à d'autres droits des tiers.

, L'intégralité d'information décrite ou contenue ci-dessus sont sujettes au changement sans préavis dû au produit/à amélioration de technologie, etc. En concevant l'équipement, référez-vous aux « spécifications de la livraison » pour le produit de la microélectronique d'APM que vous avez l'intention d'employer.

 

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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