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Détails sur le produit:
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| Nom de produit: | Conducteur de transistor MOSFET à l'aide du transistor | modèle: | AP6H03S |
|---|---|---|---|
| Paquet: | SOP-8 | Repérage: | AP6H03S YYWWWW |
| Tension de VDSDrain-source: | 30v | Tension de rce de VGSGate-Sou: | ±20A |
| Surligner: | transistor de transistor MOSFET de canal de n,transistor à haute tension |
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Conducteur de transistor MOSFET d'AP6H03S à l'aide du transistor, haut transistor durable d'ampère
Conducteur de transistor MOSFET employant la description de transistor :
Le fossé avancé d'AP6H03Suses
technologie pour fournir l'excellent RDS (DESSUS) et la basse charge de porte.
Les transistors MOSFET complémentaires peuvent être utilisés pour former a
le niveau a décalé le commutateur latéral élevé, et pour un centre serveur d'autre
applications
Conducteur de transistor MOSFET employant des caractéristiques de transistor
N-canal
VDS = 30V, IDENTIFICATION =7.5A
NChannel du RDS (DESSUS < 16m="">
)
VDS = 30V, IDENTIFICATION =7.5A
Puissance élevée du RDS ( < 16m="">
DESSUS) et capacité de remise actuelle
Le produit sans plomb est acquis
Paquet extérieur de bâti
Conducteur de transistor MOSFET employant l'application de transistor
Circuits dur commutés et à haute fréquence de ●
Alimentation d'énergie non interruptible de ●
Inscription et information de commande de paquet
| Identité de produit | Paquet | Repérage | Quantité (PCS) |
| AP6H03S | SOP-8 | AP6H03S YYWWWW | 3000 |
Capacités absolues Tc=25℃ sauf indication contraire
| Symbole | Paramètre | Évaluation | Unités |
| VDS | Tension de Drain-source | 30 | V |
| VGS | Tension de rce de porte-Sou | ±20 | V |
|
D I |
Courant de drain – continu (TC=25℃) | 7,5 | A |
| Courant de drain – continu (TC=100℃) | 4,8 | A | |
| IDM | Courant de drain – Pulsed1 | 30 | A |
| EAS | Énergie simple 2 d'avalanche d'impulsion | 14 | MJ |
| IAS | Courant simple 2 d'Avalanched d'impulsion | 17 | A |
|
Palladium |
Dissipation de puissance (TC=25℃) | 2,1 | W |
| Dissipation de puissance – sous-sollicitez au-dessus de 25℃ | 0,017 | W/℃ | |
| TSTG | Température ambiante de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Température ambiante fonctionnante de jonction | -55 à 150 | ℃ |
| Symbole | Paramètre | Évaluation | Unités |
| VDS | Tension de Drain-source | 30 | V |
| VGS | Tension de rce de porte-Sou | ±20 | V |
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D I |
Courant de drain – continu (TC=25℃) | 7,5 | A |
| Courant de drain – continu (TC=100℃) | 4,8 | A | |
| IDM | Courant de drain – Pulsed1 | 30 | A |
| EAS | Énergie simple 2 d'avalanche d'impulsion | 14 | MJ |
| IAS | Courant simple 2 d'Avalanched d'impulsion | 17 | A |
|
Palladium |
Dissipation de puissance (TC=25℃) | 2,1 | W |
| Dissipation de puissance – sous-sollicitez au-dessus de 25℃ | 0,017 | W/℃ | |
| TSTG | Température ambiante de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Température ambiante fonctionnante de jonction | -55 à 150 | ℃ |
Caractéristiques thermiques
| Symbole | Paramètre | Type. | Maximum. | Unité |
| RθJA | Jonction de résistance thermique à ambiant | --- | 60 | ℃/W |
Caractéristiques électriques (℃ de TJ =25, sauf indication contraire) outre des caractéristiques
| Symbole | Paramètre | Conditions | Minimal. | Type. | Maximum. | Unité |
| BVDSS | Tension claque de Drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △ BVDSS/△ TJ | Coefficient de température de BVDSS | Référence à 25℃•, ID=1mA | --- | 0,04 | --- | V/℃ |
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IDSS |
Courant de fuite de Drain-source |
VDS=30V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V, VGS=0V, TJ=125℃ | --- | --- | 10 | uA | ||
| IGSS | Courant de fuite de Porte-source | VGS=± 20V, VDS=0V | --- | --- | ± 100 | Na |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Minimal. | Type. | Maximum. | Unité |
| BVDSS | Tension claque de Drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △ BVDSS/△ TJ | Coefficient de température de BVDSS | Référence à 25℃•, ID=1mA | --- | 0,04 | --- | V/℃ |
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IDSS |
Courant de fuite de Drain-source |
VDS=30V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V, VGS=0V, TJ=125℃ | --- | --- | 10 | uA | ||
| IGSS | Courant de fuite de Porte-source | VGS=± 20V, VDS=0V | --- | --- | ± 100 | Na |
| LE RDS (DESSUS) | Sur-résistance statique de Drain-source | VGS=10V, ID=6A | --- | 15 | 20 | mΩ |
| VGS=4.5V, ID=3A | --- | 23 | 30 | mΩ | ||
| VGS (Th) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, I =250UA | 1,2 | 1,5 | 2,5 | V |
| △VGS (Th) | Coefficient de température de VGS (Th) | --- | -4 | --- | mV/℃ | |
| gfs | Transconductance en avant | VDS=10V, I D=6A | --- | 13 | --- | S |
| Qg | Porte totale Charge3, 4 | --- | 4,1 | 8 | ||
| Qgs | Charge 3, 4 de Porte-source | --- | 1 | 2 | ||
| Qgd | Charge de Porte-drain | --- | 2,1 | 4 | ||
| Le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture 3, 4 | --- | 2,6 | 5 | ||
| TR | Temps de montée | --- | 7,2 | 14 | ||
| Le TD () | Temps de retard d'arrêt 3, 4 | --- | 15,8 | 30 | ||
| Tf | Temps de chute 3, 4 | --- | 4,6 | 9 | ||
| Ciss | Capacité d'entrée | --- | 345 | 500 | ||
| Coss | Capacité de sortie | --- | 55 | 80 | ||
| Crss | Capacité inverse de transfert | --- | 32 | 55 | ||
| Rg | Résistance de porte | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | --- | 3,2 | 6,4 | Ω |
| EST | Courant de source continu |
VG=VD=0V, courant de force |
--- | --- | 7,5 | A |
| ISM | Courant de source pulsé | --- | --- | 30 | A | |
| VSD | La diode expédient Voltage3 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | V |
|
rr t |
Temps de rétablissement inverse | VGS=0V, IS=1A, di/dt=100A/µs | --- | --- | --- | NS |
| Qrr | Charge inverse de récupération | --- | --- | --- | OR |
| EST | Courant de source continu |
VG=VD=0V, courant de force |
--- | --- | 7,5 | A |
| ISM | Courant de source pulsé | --- | --- | 30 | A | |
| VSD | La diode expédient Voltage3 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | V |
|
rr t |
Temps de rétablissement inverse | VGS=0V, IS=1A, di/dt=100A/µs | --- | --- | --- | NS |
| Qrr | Charge inverse de récupération | --- | --- | --- | OR |
Soudure de ré-écoulement
Le choix de la méthode de chauffage peut être influencé par le paquet en plastique de QFP). Si l'infrarouge ou le chauffage de phase vapeur est employé et le paquet n'est pas absolument sec (moins de 0,1% teneurs en eau en poids), la vaporisation d'un peu d'humidité dans eux peut causer la fissuration du corps en plastique. Le préchauffage est nécessaire pour sécher la pâte et pour évaporer le lieur. Durée de préchauffage : 45 minutes à 45 °C.
La soudure de ré-écoulement exige de la pâte de soudure (une suspension des particules fines de soudure, du flux et du lieur) pour être appliquée au panneau de circuit imprimé par l'impression, la polycopie ou la pression-seringue d'écran distribuant avant le placement de paquet. Plusieurs méthodes existent pour reflowing ; par exemple, convection ou convection/chauffage infrarouge dans un type four de convoyeur. Les temps de sortie (préchauffage, soudant et se refroidissant) varient entre 100 et 200 secondes selon la méthode de chauffage.
Température ambiante typique de crête de ré-écoulement de 215 au °C 270 selon le matériel de pâte de soudure. La dessus-surface
la température des paquets si préférable d'être gardé en-dessous du °C 245 pour profondément/grands paquets (paquets avec une épaisseur
2,5 millimètres ou avec un volume paquets épais de 350 millimètres soi-disant/grands). La température de dessus-surface des paquets si préférable d'être gardé en-dessous du °C 260 pour paquets minces/petits (paquets avec une épaisseur < 2="">
| 1' Ram de St vers le haut du taux | max3.0+/-2 /sec | - |
| Préchauffez | 150 ~200 | sec 60~180 |
| 2' Ram de ND | max3.0+/-2 /sec | - |
| Joint de soudure | 217 ci-dessus | sec 60~150 |
| Temp maximal | 260 +0/-5 | sec 20~40 |
| De Ram taux vers le bas | 6 /sec maximum | - |
Soudure de vague :
La soudure simple conventionnelle de vague n'est pas recommandée pour les dispositifs extérieurs (SMDs) de bâti ou les panneaux de circuit imprimé avec une densité composante élevée, car le pont et le non-mouillage en soudure peuvent présenter des problèmes majeurs.
Soudure de manuel :
Fixez le composant en soudant d'abord deux avances diagonal-opposées d'extrémité. Employez un bas fer à souder de tension (24 V ou moins) appliqué à la partie plate de l'avance. Le temps de contact doit être limité à 10 secondes à jusqu'à 300 °C. À l'aide d'un outil consacré, toutes autres avances peuvent être soudées dans une opération dans 2 à 5 secondes entre 270 et 320 °C.
Personne à contacter: David
