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Détails sur le produit:
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| Nom du produit: | transistor de puissance de transistor MOSFET | modèle: | AP6H06S |
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| Paquet: | SOP-8 | Repérage: | AP6H06S |
| Tension de VDSDrain-source: | 60V | Tension de rce de VGSGate-Sou: | ±20A |
| Surligner: | transistor de transistor MOSFET de canal de n,transistor à haute tension |
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Transistor de puissance de changement rapide de transistor MOSFET AP6H06S 6A 60V adapté aux besoins du client
Introduction de transistor de puissance de transistor MOSFET
La technologie de transistor MOSFET est idéale pour l'usage dans beaucoup d'applications de puissance, où le bas commutateur sur la résistance permet à des hauts niveaux d'efficacité d'être atteints.
Il y a un certain nombre de différentes variétés de transistor MOSFET de puissance fournies par différents fabricants, chacun avec ses propres caractéristiques et capacités.
Beaucoup de transistors MOSFET de puissance incorporent une topologie verticale de structure. Ceci permet la commutation à forte intensité avec le rendement élevé dans relativement un petit meurent secteur. Il permet également au dispositif de soutenir la commutation à forte intensité et de tension.
Caractéristiques générales
VDS = 60V IDENTIFICATION =6 A
LE RDS (DESSUS) < 35m="">
Application
Protection de batterie
Commutateur de charge
Alimentation d'énergie non interruptible
Inscription et information de commande de paquet
| Identité de produit | Paquet | Repérage | Quantité (PCS) |
| AP6H06S | SOP-8 | AP6H06S | 3000 |
Capacités absolues (MERCI =25℃ sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Limite | Unité |
| Tension de Drain-source | VDS | 60 | V |
| Tension de Porte-source | VGS | ±20 | V |
| Vidangez Actuel-continu | Identification | 6 | A |
| Vidangez Actuel-continu (TC=100℃) | Identification (100℃) | 3,5 | A |
| Courant pulsé de drain | IDM | 24 | A |
| Dissipation de puissance maximum | Palladium | 2 | W |
| Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | TJ, TSTG | -55 à 150 | ℃ |
| Résistance thermique, Jonction-à-ambiante (note 2) | RθJA | 62,5 | ℃/W |
Caractéristiques électriques (MERCI =25℃ sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Condition | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension claque de Drain-source | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 60 | - | - | V |
| Courant zéro de drain de tension de porte | IDSS | VDS=60V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| Courant de fuite de Porte-corps | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
| Tension de seuil de porte | VGS (Th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1,2 | 1,6 | 2,5 | V |
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Résistance de Sur-état de Drain-source |
LE RDS (DESSUS) | VGS=10V, ID=5A | - | 26 | 35 | mΩ |
| LE RDS (DESSUS) | VGS=4.5V, ID=5A | - | 32 | 45 | mΩ | |
| Transconductance en avant | gFS | VDS=5V, ID=5A | 11 | - | - | S |
| Capacité d'entrée | Clss | - | 979 | - | PF | |
| Capacité de sortie | Coss | - | 120 | - | PF | |
| Capacité inverse de transfert | Crss | - | 100 | - | PF | |
| Temps de retard d'ouverture | le TD (dessus) | - | 5,2 | - | NS | |
| Temps de montée d'ouverture |
r t |
- | 3 | - | NS | |
| Temps de retard d'arrêt | le TD () | - | 17 | - | NS | |
| Temps d'arrêt d'automne |
f t |
- | 2,5 | - | NS | |
| Charge totale de porte | Qg |
VDS=30V, ID=5A, |
- | 22 | OR | |
| Charge de Porte-source | Qgs | - | 3,3 | OR | ||
| Charge de Porte-drain | Qgd | - | 5,2 | OR | ||
| Tension en avant de diode (note 3) | VSD | VGS=0V, IS=5A | - | 1,2 | V | |
| Courant en avant de diode (note 2) |
S I |
- | - | 5 | A | |
| Temps d'ouverture en avant | tonne | Le temps d'ouverture intrinsèque est négligeable (la mise en fonction est dominée par LS+LD) | ||||
Notes :
1. estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum. 2. surface montée sur FR4 le panneau, sec du ≤ 10 de t.
3. Essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.
4. Garanti par conception, pas sujet à la production
5. état d'EAS : Tj=25℃, VDD=30V, VG=10V, L=0.5mH, Ω Rg=25
Attention
1, l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus n'ont pas des caractéristiques qui peuvent manipuler les applications qui exigent extrêmement des hauts niveaux de fiabilité, tels que des systèmes d'assistance vitale, des systèmes de contrôle du de bord, ou d'autres applications dont l'échec peut être raisonnablement prévu pour avoir comme conséquence des dommages physiques et/ou matériels sérieux. Consultez-avec votre plus proche représentatif de la microélectronique d'APM vous avant d'employer tous les produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus dans de telles applications.
2, la microélectronique d'APM n'assume aucune responsabilité des pannes d'équipement qui résultent d'employer des produits aux valeurs qui dépassent, même momentanément, des valeurs évaluées (telles que des estimations maximum, la condition de fonctionnement s'étend, ou d'autres paramètres) énumérées dans des caractéristiques de produits de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus.
3, caractéristiques de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM ont décrit ou ont contenu ici l'instipulate la représentation, les caractéristiques, et les fonctions des produits décrits dans l'État indépendant, et ne sont pas des garanties de la représentation, des caractéristiques, et des fonctions des produits décrits comme monté dans les produits ou l'équipement du client. Pour vérifier les symptômes et les déclarer qui ne peuvent pas être évalués dans un dispositif indépendant, le client devrait toujours évaluer et examiner des dispositifs montés dans les produits ou l'équipement du client.
4, le semi-conducteur Cie., Ltd de la microélectronique d'APM tâche de fournir de hauts produits de haute qualité de fiabilité. Cependant, l'intégralité de produits semiconducteurs échouent avec une certaine probabilité. Il est possible que ces échecs probabilistes pourraient provoquer les accidents ou les événements qui pourraient mettre en danger les vies humaines qui pourraient provoquer la fumée ou le feu, ou qui pourraient endommager l'autre propriété. L'équipement de Whendesigning, adoptent des mesures de sécurité de sorte que ces genres d'accidents ou d'événements ne puissent pas se produire. De telles mesures incluent mais ne sont pas limitées aux circuits de protection et aux circuits de prévention d'erreur pour la conception sûre, la conception superflue, et la conception structurelle.
5, au cas où tout ou une partie de produits de la microélectronique d'APM (données techniques y compris, services) décrits ou contenus ci-dessus seraient commandés sous un quelconque de lois et de règlements de contrôle des exportations locales applicables, de tels produits ne doivent pas être exportés sans obtenir le permis d'exportation des autorités concernées selon la loi ci-dessus.
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, L'intégralité d'information décrite ou contenue ci-dessus sont sujettes au changement sans préavis dû au produit/à amélioration de technologie, etc. En concevant l'équipement, référez-vous aux « spécifications de la livraison » pour le produit de la microélectronique d'APM que vous avez l'intention d'employer.
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