Aperçu Produitstransistor de puissance de transistor MOSFET

Haute fréquence de transistor à effet de champ de MOS de la Manche d'AP7H03DF 7A 30V DFN33 N

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Haute fréquence de transistor à effet de champ de MOS de la Manche d'AP7H03DF 7A 30V DFN33 N

Haute fréquence de transistor à effet de champ de MOS de la Manche d'AP7H03DF 7A 30V DFN33 N
Haute fréquence de transistor à effet de champ de MOS de la Manche d'AP7H03DF 7A 30V DFN33 N Haute fréquence de transistor à effet de champ de MOS de la Manche d'AP7H03DF 7A 30V DFN33 N

Image Grand :  Haute fréquence de transistor à effet de champ de MOS de la Manche d'AP7H03DF 7A 30V DFN33 N

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: AP7H03DF
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: négociation
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Haute fréquence de transistor à effet de champ de MOS de la Manche d'AP7H03DF 7A 30V DFN33 N

description de
Nom de produit: Transistor de commutation à haute fréquence modèle: AP7H03DF
Paquet: DFN3*3-8L Repérage: AP7H03DF XXX YYYY
Tension de VDSDrain-source: 30V Tension de rce de VGSGate-Sou: ±20A
Surligner:

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

transistor à haute tension

Haute fréquence de transistor à effet de champ de MOS de la Manche d'AP7H03DF 7A 30V DFN33 N

 

Description de transistor à effet de champ de MOS de la Manche de N :

 

L'AP7H03DF est le fossé de la plus haute performance
transistors MOSFET N-ch avec la densité élevée extrême de cellules,
ce qui fournissent excellent RDSON et déclenchent la charge
pour la majeure partie de la petite commutation de puissance et
applications de commutateur de charge. Le rassemblement le RoHS et
Condition de produit avec la pleine fiabilité de fonction approuvée.

 

Caractéristiques de transistor à effet de champ de MOS de la Manche de N

 

VDS = 30V IDENTIFICATION = 7A
LE RDS (DESSUS) < 18m=""> LE RDS (DESSUS) < 30m="">

 

Détails

 

Le transistor à effet de champ de MOS sont utilisés dans les beaucoup alimentation d'énergie et applications de puissance générale, particulièrement comme commutateurs. La variante s incluent les transistors MOSFET planaires, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs et d'autres différentes marques.


Inscription et information de commande de paquet

 

 

Identité de produit Paquet Repérage Quantité (PCS)
AP7H03DF DFN3*3-8L AP7H03DF XXX YYYY 5000

 

Capacités absolues (MERCI =25℃ sauf indication contraire)

 

 

Symbole Paramètre Évaluation Unités
V DS Tension de Drain-source 30 V
V GS Tension de rce de porte-Sou ±20 V
℃ de l'identification @TC=25 Courant continu de drain, V GS @ 10V 1 7 A
℃ de l'identification @TC=100 Courant continu de drain, V GS @ 10V 1 5 A
℃ de l'identification @TA=25 Courant continu de drain, V GS @ 10V 1 6,4 A
℃ de l'identification @TA=70 Courant continu de drain, V GS @ 10V 1 6 A
IDM Courant pulsé 2 de drain 56 A
EAS Énergie simple 3 d'avalanche d'impulsion 22,1 MJ
IAS Courant d'avalanche 21 A
℃ DE P D@TC =25 Dissipation de puissance totale 4 20,8 W
℃ DE P D@TA =25 Dissipation de puissance totale 4 1,67 W
TSTG Température ambiante de température de stockage -55 à 150
TJ Température ambiante fonctionnante de jonction -55 à 150
RθJA Résistance thermique 1 Jonction-ambiant 75 ℃/W
RθJC Jonction-cas 1 de résistance thermique 6 ℃/W

 

Caractéristiques électriques (℃ de TJ =25, sauf indication contraire)

 

 

Symbole Paramètre Conditions Minimal. Type. Maximum. Unité
LA BV SAD Tension claque de Drain-source V GS=0V, I D=250uA 30 --- --- V
△BV SAD △TJ Coefficient de température de BVDSS Référence 25 au ℃, ID=1mA --- 0,022 --- V/℃

 

LE RDS (DESSUS)

 

Sur-résistance statique 2 de Drain-source

V GS=10V, ID=10A --- --- 18

 

V GS=4.5V, ID=5A --- --- 30
V GS (Th) Tension de seuil de porte V GS=V DS, IDENTIFICATION =250UA 1,0 --- 2,5 V
△VGS (Th) V coefficient de température de GS (Th)   --- -5,1 --- mV/℃
IDSS Courant de fuite de Drain-source V DS=24V, V GS=0V, ℃ DE TJ =25 --- --- 1 uA
V DS=24V, V GS=0V, ℃ DE TJ =55 --- --- 5
IGSS Courant de fuite de Porte-source V GS = ±20V, V DS=0V --- --- ±100 Na
gfs Transconductance en avant V DS=5V, ID=10A --- 4,5 --- S
Rg Résistance de porte V DS=0V, V GS=0V, f=1MHz --- 2,5 --- Ω
Qg Charge totale de porte (4.5V)   --- 7,2 ---  
Qgs Charge de Porte-source --- 1,4 ---
Qgd Charge de Porte-drain --- 2,2 ---
Le TD (dessus) Temps de retard d'ouverture

 

V DD=12V, V GS=10V,

RG=3.3

ID=5A

--- 4,1 ---

 

NS

TR        
Le TD () Temps de retard d'arrêt --- 15,5 ---
Tf Temps de chute --- 6,0 ---
Ciss Capacité d'entrée   --- 572 ---  
Coss Capacité de sortie --- 81 ---
Crss Capacité inverse de transfert --- 65 ---
EST Courant de source continu 1,5 V G=V D=0V, forcent le courant --- --- 28 A
ISM Courant de source pulsé 2,5 --- --- 56 A
V ÉCART-TYPE Tension en avant 2 de diode V GS=0V, I S=1A, ℃ DE TJ =25 --- --- 1,2 V
Symbole Paramètre Conditions Minimal. Type. Maximum. Unité
LA BV SAD Tension claque de Drain-source V GS=0V, I D=250uA 30 --- --- V
△BV SAD △TJ Coefficient de température de BVDSS Référence 25 au ℃, ID=1mA --- 0,022 --- V/℃

 

LE RDS (DESSUS)

 

Sur-résistance statique 2 de Drain-source

V GS=10V, ID=10A --- --- 18

 

V GS=4.5V, ID=5A --- --- 30
V GS (Th) Tension de seuil de porte V GS=V DS, IDENTIFICATION =250UA 1,0 --- 2,5 V
△VGS (Th) V coefficient de température de GS (Th)   --- -5,1 --- mV/℃
IDSS Courant de fuite de Drain-source V DS=24V, V GS=0V, ℃ DE TJ =25 --- --- 1 uA
V DS=24V, V GS=0V, ℃ DE TJ =55 --- --- 5
IGSS Courant de fuite de Porte-source V GS = ±20V, V DS=0V --- --- ±100 Na
gfs Transconductance en avant V DS=5V, ID=10A --- 4,5 --- S
Rg Résistance de porte V DS=0V, V GS=0V, f=1MHz --- 2,5 --- Ω
Qg Charge totale de porte (4.5V)   --- 7,2 ---  
Qgs Charge de Porte-source --- 1,4 ---
Qgd Charge de Porte-drain --- 2,2 ---
Le TD (dessus) Temps de retard d'ouverture

 

V DD=12V, V GS=10V,

RG=3.3

ID=5A

--- 4,1 ---

 

NS

TR        
Le TD () Temps de retard d'arrêt --- 15,5 ---
Tf Temps de chute --- 6,0 ---
Ciss Capacité d'entrée   --- 572 ---  
Coss Capacité de sortie --- 81 ---
Crss Capacité inverse de transfert --- 65 ---
EST Courant de source continu 1,5 V G=V D=0V, forcent le courant --- --- 28 A
ISM Courant de source pulsé 2,5 --- --- 56 A
V ÉCART-TYPE Tension en avant 2 de diode V GS=0V, I S=1A, ℃ DE TJ =25 --- --- 1,2 V

 

Note :

 

les données 1.The ont examiné par la surface montée sur un conseil de 1 pouce FR-4 avec le cuivre 2OZ.

les données 2.The ont examiné par pulsé, le ≦ 300us, le ≦ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation

les données de 3.The EAS montrent l'estimation maximale. La condition d'essai est la densité double =25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS=21A de V

la dissipation de puissance 4.The est limitée par la température de jonction 150℃

les données 5.The sont théoriquement identique qu'I D et I DM, dans de vraies applications, devraient être limité par dissipation de puissance totale.

 

Attention

 

1, l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus n'ont pas des caractéristiques qui peuvent manipuler les applications qui exigent extrêmement des hauts niveaux de fiabilité, tels que des systèmes d'assistance vitale, des systèmes de contrôle du de bord, ou d'autres applications dont l'échec peut être raisonnablement prévu pour avoir comme conséquence des dommages physiques et/ou matériels sérieux. Consultez-avec votre plus proche représentatif de la microélectronique d'APM vous avant d'employer tous les produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus dans de telles applications.

2, la microélectronique d'APM n'assume aucune responsabilité des pannes d'équipement qui résultent d'employer des produits aux valeurs qui dépassent, même momentanément, des valeurs évaluées (telles que des estimations maximum, la condition de fonctionnement s'étend, ou d'autres paramètres) énumérées dans des caractéristiques de produits de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus.

1, caractéristiques de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM a décrit ou a contenu ici l'instipulate la représentation, les caractéristiques, et les fonctions des produits décrits dans l'État indépendant, et n'est pas des garanties de la représentation, des caractéristiques, et des fonctions des produits décrits comme monté dans les produits ou l'équipement du client. Pour vérifier les symptômes et les déclarer qui ne peuvent pas être évalués dans un dispositif indépendant, le client devrait toujours évaluer et examiner des dispositifs montés dans les produits ou l'équipement du client.

2, le semi-conducteur Cie., Ltd de la microélectronique d'APM tâche de fournir de hauts produits de haute qualité de fiabilité. Cependant, l'intégralité de produits semiconducteurs échouent avec une certaine probabilité. Il est possible que ces échecs probabilistes pourraient provoquer les accidents ou les événements qui pourraient mettre en danger les vies humaines qui pourraient provoquer la fumée ou le feu, ou qui pourraient endommager l'autre propriété. L'équipement de Whendesigning, adoptent des mesures de sécurité de sorte que ces genres d'accidents ou d'événements ne puissent pas se produire. De telles mesures incluent mais ne sont pas limitées aux circuits de protection et aux circuits de prévention d'erreur pour la conception sûre, la conception superflue, et la conception structurelle.

3, au cas où tout ou une partie de produits de la microélectronique d'APM (données techniques y compris, services) décrits ou contenus ci-dessus seraient commandés sous un quelconque de lois et de règlements de contrôle des exportations locales applicables, de tels produits ne doivent pas être exportés sans obtenir le permis d'exportation des autorités concernées selon la loi ci-dessus.

4, aucune partie de cette publication peuvent être reproduits ou transmis sous n'importe quelle forme ou par tous les moyens, électronique ou mécanique, y compris la photocopiage et l'enregistrement, ou n'importe quel système de stockage ou de récupération de l'information, ou autrement, sans autorisation écrite préalable du semi-conducteur Cie. de la microélectronique d'APM, Ltd.

5, l'information (schémas de circuit y compris et paramètres de circuit) est ci-dessus par exemple seulement ; on ne le garantit pas pour la production de masse. La microélectronique d'APM croit que l'information ci-dessus est précise et fiable, mais aucune garantie n'est faite ou est impliquée concernant son utilisation ou toutes les infractions à des droits de propriété intellectuelle ou à d'autres droits des tiers.

, L'intégralité d'information décrite ou contenue ci-dessus sont sujettes au changement sans préavis dû au produit/à amélioration de technologie, etc. En concevant l'équipement, référez-vous aux « spécifications de la livraison » pour le produit de la microélectronique d'APM que vous avez l'intention d'employer

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Personne à contacter: David

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