Aperçu Produitstransistor de puissance de transistor MOSFET

Structure de verticale de transistor de puissance de transistor MOSFET d'AP10H03S 10A 30V SOP-8

Certificat
Chine Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certifications
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Examens de client
nous coopération avec Hua Xuan Yang est en grande partie dû à leur professionnalisme, leur réponse désireuse à la personnalisation des produits que nous avons besoin, le règlement de tous nos besoins et, surtout, ils prestation des services de qualité.

—— -- Jason du Canada

Sous la recommandation de mon ami, nous savons Hua Xuan Yang, un expert supérieur en matière de semi-conducteur et d'industrie de composants électroniques, qui nous a permise de réduire notre temps précieux et ne doit pas oser l'essai d'autres usines.

—— -- Виктор de Russie

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Structure de verticale de transistor de puissance de transistor MOSFET d'AP10H03S 10A 30V SOP-8

Structure de verticale de transistor de puissance de transistor MOSFET d'AP10H03S 10A 30V SOP-8
Structure de verticale de transistor de puissance de transistor MOSFET d'AP10H03S 10A 30V SOP-8 Structure de verticale de transistor de puissance de transistor MOSFET d'AP10H03S 10A 30V SOP-8 Structure de verticale de transistor de puissance de transistor MOSFET d'AP10H03S 10A 30V SOP-8

Image Grand :  Structure de verticale de transistor de puissance de transistor MOSFET d'AP10H03S 10A 30V SOP-8

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Shenzhen en Chine
Nom de marque: Hua Xuan Yang
Certification: RoHS、SGS
Numéro de modèle: AP10H03S
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: négociation
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement: 18,000,000PCS/par jour

Structure de verticale de transistor de puissance de transistor MOSFET d'AP10H03S 10A 30V SOP-8

description de
Nom du produit: transistor de puissance de transistor MOSFET modèle: AP10H03S
Paquet: SOP-8 Repérage: AP10H03S XXX YYYY
Tension de VDSDrain-source: 30V Tension de rce de VGSGate-Sou: ±20A
Surligner:

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

transistor à haute tension

Structure de verticale de transistor de puissance de transistor MOSFET d'AP10H03S 10A 30V SOP-8

 

Description de transistor de puissance de transistor MOSFET :

 

L'AP10H03S est le fossé de la plus haute performance
transistors MOSFET N-ch avec la densité élevée extrême de cellules,
ce qui fournissent excellent RDSON et déclenchent la charge
pour la majeure partie de la petite commutation de puissance et
applications de commutateur de charge. Le rassemblement le RoHS et
Condition de produit avec la pleine fiabilité de fonction approuvée.

 

Caractéristiques de transistor de puissance de transistor MOSFET

 

VDS = 30V IDENTIFICATION = 10A
LE RDS (DESSUS) < 12m=""> LE RDS (DESSUS) < 16="">

 

Application de transistor de puissance de transistor MOSFET

 

Protection de batterie
Commutateur de charge
Alimentation d'énergie non interruptible

 

Inscription et information de commande de paquet

 

Identité de produit Paquet Repérage Quantité (PCS)
AP10H03S SOP-8 AP10H03S XXX YYYY 3000

 

Capacités absolues (TA=25℃UNLESS OTHERWISE NOTED)

 

 

Symbole Paramètre Évaluation Unités
VDS Tension de Drain-source 30 V
VGS Tension de Porte-source ±20 V
ID@TC =25℃ Courant continu de drain, V GS @ 10V 1 10 A
℃ d'ID@TC =100 Courant continu de drain, V GS @ 10V 1 8,2 A
ID@TA =25℃ Courant continu de drain, VGS @ 10V1 9,5 A
ID@TA =70℃ Courant continu de drain, V GS @ 10V 1 7,6 A
IDM Drain pulsé Current2 75 A
EAS Énergie simple 3 d'avalanche d'impulsion 24,2 MJ
IAS Courant d'avalanche 22 A
℃ de PD@TC =25 Puissance totale Dissipation4 26 W
℃ de PD@TA =25 Puissance totale Dissipation4 1,67 W
TSTG Température ambiante de température de stockage -55 à 150
TJ Température ambiante fonctionnante de jonction -55 à 150
RθJA Résistance thermique 1 Jonction-ambiant 75 ℃/W
RθJC Jonction-cas 1 de résistance thermique 4,8 ℃/W

 

Caractéristiques électriques (de TJ =25, sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Conditions Minimal. Type. Maximum. Unité
BVDSS Tension claque de Drain-source VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
△BVDSS/T J Coefficient de température de BVDSS Référence à 25℃, ID=1mA --- 0,023 --- V/℃
LE RDS (DESSUS) Sur-résistance statique de Drain-source VGS=10V, I D=15A --- --- 12

 

VGS=4.5V, I D=10A --- --- 16,5
VGS (Th) Tension de seuil de porte

 

VGS=VDS, IDENTIFICATION =250UA

1,0 --- 2,5 V
△VGS (Th) Coefficient de température de VGS (Th) --- -5,08 --- mV/℃

 

IDSS

 

Courant de fuite de Drain-source

VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1

 

uA

VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5
IGSS Courant de fuite de Porte-source VGS=±20V, V DS=0V --- --- ±100 Na
gfs Transconductance en avant VDS=5V, ID=15A --- 24,4 --- S
Rg Résistance de porte VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1,8 --- Ω
Qg Charge totale de porte (4.5V) VDS=15V, VGS=4.5V, ID=12A --- 9,82 ---  
Qgs Charge de Porte-source --- 2,24 ---
Qgd Charge de Porte-drain --- 5,54 ---
Le TD (dessus) Temps de retard d'ouverture VDD=15V, VGS=10V, RG=1.5
ID=20A
--- 6,4 ---  
TR Temps de montée --- 39 ---
Le TD () Temps de retard d'arrêt --- 21 ---
Tf Temps de chute --- 4,7 ---
Ciss Capacité d'entrée VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 896 ---  
Coss Capacité de sortie --- 126 ---
Crss Capacité inverse de transfert --- 108 ---
EST Courant de source continu 1,5

 

VG=VD=0V, courant de force

--- --- 37 A
ISM Source pulsée Current2,5 --- --- 75 A
VSD La diode expédient Voltage2 VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1 V
Symbole Paramètre Conditions Minimal. Type. Maximum. Unité
BVDSS Tension claque de Drain-source VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
△BVDSS/T J Coefficient de température de BVDSS Référence à 25℃, ID=1mA --- 0,023 --- V/℃
LE RDS (DESSUS) Sur-résistance statique de Drain-source VGS=10V, I D=15A --- --- 12

 

VGS=4.5V, I D=10A --- --- 16,5
VGS (Th) Tension de seuil de porte

 

VGS=VDS, IDENTIFICATION =250UA

1,0 --- 2,5 V
△VGS (Th) Coefficient de température de VGS (Th) --- -5,08 --- mV/℃

 

IDSS

 

Courant de fuite de Drain-source

VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1

 

uA

VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5
IGSS Courant de fuite de Porte-source VGS=±20V, V DS=0V --- --- ±100 Na
gfs Transconductance en avant VDS=5V, ID=15A --- 24,4 --- S
Rg Résistance de porte VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1,8 --- Ω
Qg Charge totale de porte (4.5V)   --- 9,82 ---  
Qgs Charge de Porte-source --- 2,24 ---
Qgd Charge de Porte-drain --- 5,54 ---
Le TD (dessus) Temps de retard d'ouverture   --- 6,4 ---  
TR Temps de montée --- 39 ---
Le TD () Temps de retard d'arrêt --- 21 ---
Tf Temps de chute --- 4,7 ---
Ciss Capacité d'entrée   --- 896 ---  
Coss Capacité de sortie --- 126 ---
Crss Capacité inverse de transfert --- 108 ---
EST Courant de source continu 1,5

 

VG=VD=0V, courant de force

--- --- 37 A
ISM Source pulsée Current2,5 --- --- 75 A
VSD La diode expédient Voltage2 VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1 V

 

Note :

1. Les données ont examiné par la surface montée sur un conseil de 1 pouce FR-4 avec le cuivre 2OZ.

2. Les données ont examiné par pulsé, le ≦ 300us, le coefficient d'utilisation ≦2% de durée d'impulsion

3 . Les données d'EAS montrent l'estimation maximale. La condition d'essai est VDD=25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS=22A

4. La dissipation de puissance est limitée par la température de jonction 175℃

5. Les données sont théoriquement identique qu'I D et IDM, dans de vraies applications, devrait être limité par dissipation de puissance totale.

 

Attention

 

1, l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus n'ont pas des caractéristiques qui peuvent manipuler les applications qui exigent extrêmement des hauts niveaux de fiabilité, tels que des systèmes d'assistance vitale, des systèmes de contrôle du de bord, ou d'autres applications dont l'échec peut être raisonnablement prévu pour avoir comme conséquence des dommages physiques et/ou matériels sérieux. Consultez-avec votre plus proche représentatif de la microélectronique d'APM vous avant d'employer tous les produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus dans de telles applications.

2, la microélectronique d'APM n'assume aucune responsabilité des pannes d'équipement qui résultent d'employer des produits aux valeurs qui dépassent, même momentanément, des valeurs évaluées (telles que des estimations maximum, la condition de fonctionnement s'étend, ou d'autres paramètres) énumérées dans des caractéristiques de produits de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus.

3, caractéristiques de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM ont décrit ou ont contenu ici l'instipulate la représentation, les caractéristiques, et les fonctions des produits décrits dans l'État indépendant, et ne sont pas des garanties de la représentation, des caractéristiques, et des fonctions des produits décrits comme monté dans les produits ou l'équipement du client. Pour vérifier les symptômes et les déclarer qui ne peuvent pas être évalués dans un dispositif indépendant, le client devrait toujours évaluer et examiner des dispositifs montés dans les produits ou l'équipement du client.

4, le semi-conducteur Cie., Ltd de la microélectronique d'APM tâche de fournir de hauts produits de haute qualité de fiabilité. Cependant, l'intégralité de produits semiconducteurs échouent avec une certaine probabilité. Il est possible que ces échecs probabilistes pourraient provoquer les accidents ou les événements qui pourraient mettre en danger les vies humaines qui pourraient provoquer la fumée ou le feu, ou qui pourraient endommager l'autre propriété. L'équipement de Whendesigning, adoptent des mesures de sécurité de sorte que ces genres d'accidents ou d'événements ne puissent pas se produire. De telles mesures incluent mais ne sont pas limitées aux circuits de protection et aux circuits de prévention d'erreur pour la conception sûre, la conception superflue, et la conception structurelle.

5, au cas où tout ou une partie de produits de la microélectronique d'APM (données techniques y compris, services) décrits ou contenus ci-dessus seraient commandés sous un quelconque de lois et de règlements de contrôle des exportations locales applicables, de tels produits ne doivent pas être exportés sans obtenir le permis d'exportation des autorités concernées selon la loi ci-dessus.

6, aucune partie de cette publication peuvent être reproduits ou transmis sous n'importe quelle forme ou par tous les moyens, électronique ou mécanique, y compris la photocopiage et l'enregistrement, ou n'importe quel système de stockage ou de récupération de l'information, ou autrement, sans autorisation écrite préalable du semi-conducteur Cie. de la microélectronique d'APM, Ltd.

7, l'information (schémas de circuit y compris et paramètres de circuit) est ci-dessus par exemple seulement ; on ne le garantit pas pour la production de masse. La microélectronique d'APM croit que l'information ci-dessus est précise et fiable, mais aucune garantie n'est faite ou est impliquée concernant son utilisation ou toutes les infractions à des droits de propriété intellectuelle ou à d'autres droits des tiers.

8, l'intégralité d'information décrits ou contenus ci-dessus sont sujets au changement sans préavis dû au produit/à amélioration de technologie, etc. En concevant l'équipement, référez-vous aux « spécifications de la livraison » pour le produit de la microélectronique d'APM que vous avez l'intention d'employer.

 

Coordonnées
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Personne à contacter: David

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